Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2015-38
［依頼講演］Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
○谷田部然治・橋詰 保（北大）
pp. 1 - 4
SDM2015-39
［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価
○徳田 豊（愛知工大）
pp. 5 - 10
SDM2015-40
［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT）
pp. 11 - 16
SDM2015-41
［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討
○野口宗隆・岩松俊明・三浦成久・中田修平・山川 聡（三菱電機）
pp. 17 - 20
SDM2015-42
［依頼講演］SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性
○森 大輔・井上 慧・寺西秀明・広瀬隆之・瀧川亜樹（富士電機）
pp. 21 - 26
SDM2015-43
［依頼講演］SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
○竹内和歌奈（名大）・山本建策（デンソー）・坂下満男（名大）・金村髙司（デンソー）・中塚 理・財満鎭明（名大）
pp. 27 - 30
SDM2015-44
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価
○渡辺浩成・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 31 - 35
SDM2015-45
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大）
pp. 37 - 40
SDM2015-46
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性
○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大）
pp. 41 - 45
SDM2015-47
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用
○永冨雄太・田中慎太郎・長岡裕一・山本圭介・王 冬・中島 寛（九大）
pp. 47 - 50
SDM2015-48
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）
pp. 51 - 55
SDM2015-49
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大）
pp. 57 - 61
SDM2015-50
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大）
pp. 63 - 68
SDM2015-51
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）
pp. 69 - 73
SDM2015-52
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process
○Keisuke Kado・Mutsunori Uenuma・Kyouhei Nabesaka・Kriti Sharma・Haruka Yamazaki・Satoshi Urakawa・Mami Fujii・Yasuaki Ishikawa・Yukiharu Uraoka（NAIST）
pp. 75 - 80
SDM2015-53
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善
吉田啓資・○竹内正太郎・中村芳明・酒井 朗（阪大）
pp. 81 - 86
SDM2015-54
［依頼講演］二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗
○野内 亮（阪府大）
pp. 87 - 92
SDM2015-55
［依頼講演］原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ
○中払 周（物質・材料研究機構）・飯島智彦・小川真一・八木克典・原田直樹・林 賢二郎・近藤大雄・高橋 慎（産総研）・黎 松林・山本真人・林 彦甫（物質・材料研究機構）・上野啓司（埼玉大）・塚越一仁（物質・材料研究機構）・佐藤信太郎・横山直樹（産総研）
pp. 93 - 98
SDM2015-56
［依頼講演］High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価
○森 貴洋（産総研）・二之宮成樹（横浜国大）・内田紀行・久保利隆（産総研）・渡辺英一郎・津谷大樹・森山悟士（物質・材料研究機構）・田中正俊（横浜国大）・安藤 淳（産総研）
pp. 99 - 103
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．