電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 112, Number 303

電子デバイス

開催日 2012-11-19 - 2012-11-20 / 発行日 2012-11-12

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目次

ED2012-54
カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討 (第1報)
○樋口敏春・佐々木正洋・遠藤俊宏・堀江翔太・山田洋一(筑波大)・松本修二・福田茂樹(高エネルギー加速器研究機構)
pp. 1 - 6

ED2012-55
グラフェンエッジ冷陰極の作製と電子放出特性の評価
○村上勝久(筑波大)・山口尚登(ラトガーズ大)・若家冨士男・高井幹夫(阪大)・Manish Chhowalla(ラトガーズ大)
pp. 7 - 10

ED2012-56
高温燃焼グラファイト電界放出源を用いた高電圧X線管
○岩井勇輔(鬼塚硝子/静岡大)・小池高寿・定塚淳生・羽山洋平・中村智宣・鬼塚好弘(鬼塚硝子)・三村秀典(静岡大)
pp. 11 - 14

ED2012-57
アモルファスセレンとダイヤモンド冷陰極を用いた光検出器の評価
○増澤智昭・国吉真吾・大西正徳・斎藤市太郎(国際基督教大)・Angel T. T. Koh・Daniel H. C. Chua(NUS)・山田貴壽(産総研)・下澤達雄(東大)・岡野 健(国際基督教大)
pp. 15 - 17

ED2012-58
スパッタプロセスを用いたスピント型電子源の作製
○吉田知也・長尾昌善・神田信子・西 孝(産総研)・中野武雄(成蹊大)
pp. 19 - 23

ED2012-59
S帯2kWパルスMPM用ミニTWTの開発
○宗廣孝継・小林潤一・吉田 満・松岡順一(ネットコムセック)・上田芳信・開沼 聡(NEC)
pp. 25 - 29

ED2012-60
簡素化PIC-FDTDシミュレーションによる高効率スミス・パーセルテラヘルツ超放射の解析
○岡島亜希子・松井龍之介・畑 浩一(三重大)
pp. 31 - 35

ED2012-61
nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果
○嶋脇秀隆(八戸工大)・根尾陽一郎・三村秀典(静岡大)・若家冨士男・高井幹夫(阪大)
pp. 37 - 40

ED2012-62
電子ビーム誘起堆積三極構造Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測
○北山智久・阿保 智・若家冨士男・高井幹夫(阪大)
pp. 41 - 44

ED2012-63
フィールドエミッタアレイを用いた電子デバイスにおける空間電荷効果
○後藤康仁・安友佳樹・辻 博司(京大)
pp. 45 - 48

ED2012-64
表面プラズモン共鳴を用いたフォトカソードの量子効率増加の取り組み
○根尾陽一郎(静岡大)・松本貴裕(スタンレー電気)・三村秀典(静岡大)
pp. 49 - 53

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


IEICE / 電子情報通信学会