Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2011-176
［基調講演］BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
○木村紳一郎（超低電圧デバイス技研組合）
pp. 1 - 5
SDM2011-177
Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
○久米一平・井上尚也・肱岡健一郎・川原 潤・武田晃一・古武直也・白井浩樹・風間賢也・桑原愼一・渡會雅敏・佐甲 隆・高橋寿史・小倉 卓・泰地稔二・笠間佳子（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 7 - 11
SDM2011-178
InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
○金子貴昭・井上尚也・齋藤 忍・古武直也・砂村 潤・川原 潤・羽根正巳・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）
pp. 13 - 17
SDM2011-179
ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究
○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研）
pp. 19 - 24
SDM2011-180
ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
○清水秀治（大陽日酸/東大）・嶋 紘平・百瀬 健（東大）・小林芳彦（大陽日酸）・霜垣幸浩（東大）
pp. 25 - 29
SDM2011-181
微小流路型反応器を利用した銅めっき液中添加剤作用の解析
○齊藤丈靖・宮本 豊・服部 直・岡本尚樹・近藤和夫（阪府大）
pp. 31 - 35
SDM2011-182
3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成
○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三（関西大）
pp. 37 - 40
SDM2011-183
Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）
pp. 41 - 46
SDM2011-184
Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大）
pp. 47 - 52
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．