Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2011-1
電気化学堆積法によるCuxS及びCuxZnyS薄膜の作製
○楊 凱・中島佑基・市村正也（名工大）
pp. 1 - 6
ED2011-2
a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長
○高木雄太・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 7 - 10
ED2011-3
エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価
○楊 士波・宮川鈴衣奈・三宅秀人・平松和政（三重大）・播磨 弘（京都工繊大）
pp. 11 - 14
ED2011-4
自立n型4H-SiCエピ膜におけるキャリアライフタイムのエピ厚および表面依存性
○加藤正史・吉田敦史・市村正也（名工大）
pp. 15 - 20
ED2011-5
3C-SiCウェハーにおける歪み領域とキャリアライフタイムマップの相関性評価
○吉田敦史・加藤正史・市村正也（名工大）
pp. 21 - 26
ED2011-6
水の光分解を目的としたSiC光電気化学特性評価
○安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）
pp. 27 - 31
ED2011-7
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
○木村允哉・加藤正史・市村正也（名工大）
pp. 33 - 38
ED2011-8
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長
○内山翔太・林 家弘・阿部亮太・丸山隆浩・成塚重弥（名城大）
pp. 39 - 43
ED2011-9
RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長
○田畑拓也・白 知鉉・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）
pp. 45 - 48
ED2011-10
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長
○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 49 - 54
ED2011-11
BGaPの分子線エピタキシー成長
○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 55 - 58
ED2011-12
MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御
○大内澄人・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 59 - 62
ED2011-13
(1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長
○谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・澤木宣彦（愛知工大）
pp. 63 - 66
ED2011-14
グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長
○好田慎一・瀧澤俊幸・長尾宣明・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）
pp. 67 - 70
ED2011-15
MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン
○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大）
pp. 71 - 75
ED2011-16
B-Ga2O3（100）基板上GaN及びAlGaNの成長
○伊藤 駿・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・竹原孝祐・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 77 - 81
ED2011-17
X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長
○田中大樹・飯田大輔・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）
pp. 83 - 87
ED2011-18
AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製
○矢木康太・加賀 充・山下浩司・竹田健一郎・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 89 - 93
ED2011-19
表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長
○森 雅之・中山幸二・中谷公彦・安井雄一郎・前澤宏一（富山大）
pp. 95 - 98
ED2011-20
III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討
○山下浩司・加賀 充・矢木康太（名城大）・鈴木敦志（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 99 - 104
ED2011-21
窒化物半導体トンネル接合の作製
○加賀 充・飯田大輔（名城大）・北野 司（エルシード）・山下浩司・矢木康太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 105 - 110
ED2011-22
ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化
○渕 真悟・小林俊一・大島弘嗣・竹田美和（名大）
pp. 111 - 116
ED2011-23
反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善
○竹原孝祐・竹田健一郎・永田賢吾・青島宏樹・伊藤 駿・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大）
pp. 117 - 121
ED2011-24
AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ～ UV-LEDの劣化メカニズム ～
○朴 貴珍・杉山貴之・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・稲津哲彦・藤田武彦・ぺルノー シリル・平野 光（創光科学）
pp. 123 - 126
ED2011-25
AlGaN量子井戸構造の内部量子効率
○山本準一・伴 和仁・竹田健一郎・井手公康・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 127 - 130
ED2011-26
MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発
○舘 忠裕・犬塚博章・藤村直也・近藤嵩輝・難波秀平・村松慎也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）
pp. 131 - 134
ED2011-27
Ga2O3酸素センサの作製と評価
○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大）
pp. 135 - 138
ED2011-28
TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性
○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大）
pp. 139 - 143
ED2011-29
スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価
○中村光宏・丹羽彬夫・以西雅章（静岡大）
pp. 145 - 149
ED2011-30
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価
○丸山大地・岡田 浩・関口寛人・若原昭浩（豊橋技科大）
pp. 151 - 155
ED2011-31
ZnO，SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池
○服部 翔・市村正也（名工大）
pp. 157 - 162
ED2011-32
非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製
○中尾達郎・桑原洋介・藤山泰治・藤井崇裕・杉山 徹・山本翔太・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 163 - 167
ED2011-33
窒化物太陽電池の電極構造検討
○山本翔太・森田義己・桑原洋介・藤井崇裕・杉山 徹・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・赤崎 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 169 - 173
ED2011-34
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ～ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ～
○杉山貴之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）・磯部康裕・押村吉徳・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤崎 勇（名城大）・今出 完・北岡康夫・森 勇介（阪大）
pp. 175 - 178
ED2011-35
GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
○池田和弥・磯部康裕・一木宏充・堀尾尚史・榊原辰幸・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤サキ 勇（名城大/名大）・天野 浩（名大）
pp. 179 - 183
ED2011-36
原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大）
pp. 185 - 190
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．