電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 111, Number 357

シリコン材料・デバイス

開催日 2011-12-16 / 発行日 2011-12-09

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目次

SDM2011-132
ZnS系無機EL蛍光体の発光特性に対する高圧水蒸気熱処理による効果
○紺谷拓哉・谷口真央・堀田昌宏(奈良先端大)・田口信義(イメージテック)・石河泰明・浦岡行治(奈良先端大)
pp. 1 - 5

SDM2011-133
平面電極を用いた分散型無機ELパネルの基本特性
○野中俊宏(龍谷大)・浦岡行治(奈良先端大)・田口信義(イメージテック)・山本伸一(龍谷大)
pp. 7 - 10

SDM2011-134
SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果
○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆(奈良先端大)
pp. 11 - 15

SDM2011-135
接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
○丹羽弘樹・馮 淦・須田 淳・木本恒暢(京大)
pp. 17 - 21

SDM2011-136
放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
○西川誠二・岡田亮太・松浦秀治(阪電通大)
pp. 23 - 28

SDM2011-137
Ti電極上コバルトナノ微粒子の位置選択性制御
○板倉聡之(龍谷大)・山田啓文(京大)・浦岡行治(奈良先端大)・山下一郎(松下電器)・山本伸一(龍谷大)
pp. 29 - 30

SDM2011-138
[招待講演]Siスパッタエピタキシーによる単結晶Si太陽電池の作製
○葉 文昌(島根大)・方 ユー斌・黄 祥恩(台湾科技大)
pp. 31 - 35

SDM2011-139
[招待講演]酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響
○古田 守・島川伸一(高知工科大)
pp. 37 - 41

SDM2011-140
ゲル-ナノインプリントプロセスによるZnO-2次元フォトニック結晶の作製
○張 敏・荒木慎司・呂 莉・堀田昌宏・西田貴司・石河泰明・浦岡行治(奈良先端大)
pp. 43 - 46

SDM2011-141
Poly-Si TFTによる温度センサ
○田矢 純・椋田朋訓・中島章弘・木村 睦(龍谷大)
pp. 47 - 52

SDM2011-142
poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング
○太田俊史・辻 博史・鎌倉良成・谷口研二(阪大)
pp. 53 - 58

SDM2011-143
レーザー結晶化のプロセスシミュレータの開発 ~ 2次元および3次元シミュレータの開発 ~
○木村 睦・松木邦晃・斎藤龍輔・塚本周史(龍谷大)
pp. 59 - 64

SDM2011-144
SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案
○岡田亮太・西川誠二・松浦秀治(阪電通大)
pp. 65 - 70

SDM2011-145
軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発
○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏(兵庫県立大)・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信(九大)
pp. 71 - 76

SDM2011-146
長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢(京大)
pp. 77 - 82

SDM2011-147
DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性
○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄(兵庫県立大)・横山 新(広島大)
pp. 83 - 85

SDM2011-148
抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢(京大)
pp. 87 - 92

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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