Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380
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SDM2011-115
［招待講演］電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ・センサの等価回路モデル
○年吉 洋（東大）
pp. 1 - 6
SDM2011-116
［招待講演］SISPAD 2011レビュー
○林 洋一（ラピスセミコンダクタ）
pp. 7 - 10
SDM2011-117
［招待講演］3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ
○笹子佳孝・木下勝治・峯邑浩行・安齋由美子・田井光春・黒土健三・森田精一・高橋俊和・高濱 高・森本忠雄・峰 利之・島 明生・小林 孝（日立）
pp. 11 - 15
SDM2011-118
［招待講演］デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
○東 悠介・百々信幸・百瀬寿代・大黒達也・松澤一也（東芝）
pp. 17 - 20
SDM2011-119
［招待講演］STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション
○福田浩一・西澤正泰・多田哲也（産総研）・Leonid Bolotov（筑波大）・鈴木 腕・佐藤成生（富士通セミコンダクター）・有本 宏・金山敏彦（産総研）
pp. 21 - 26
SDM2011-120
モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション
○久木田健太郎（阪大）・鎌倉良成（阪大/JST）
pp. 27 - 31
SDM2011-121
第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較
滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大）
pp. 33 - 38
SDM2011-122
摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション
○程 賀（名大/JST）・宇野重康（立命館大/JST）・沼田達宏（名大/JST）・中里和郎（名大）
pp. 39 - 43
SDM2011-123
非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～
○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST）
pp. 45 - 50
SDM2011-124
［招待講演］車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題
○石間伏 寿・植田賢志・長尾 勝・濱田公守（トヨタ自動車）
pp. 51 - 55
SDM2011-125
BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討
○宮地幸祐・洪 慶麟・竹内 健（東大）
pp. 57 - 61
SDM2011-126
MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成
○勝俣 翠・松永翔雲・羽生貴弘（東北大）
pp. 63 - 68
SDM2011-127
積層方式Chain構造PRAMの設計法
○加藤 翔・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 69 - 74
SDM2011-128
極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性
○廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大）
pp. 75 - 80
SDM2011-129
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果
○尹 鍾鐵・廣木 彰（京都工繊大）
pp. 81 - 85
SDM2011-130
CMOS負荷を持つ大規模RLC回路網の効率的な解析
○丹治裕一（香川大）
pp. 87 - 91
SDM2011-131
SGTとFinFETを用いた論理回路のパターン面積の比較検討
○小玉貴大・渡辺重佳（湘南工科大）
pp. 93 - 98
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．