電子情報通信学会技術研究報告

Print edition: ISSN 0913-5685      Online edition: ISSN 2432-6380

Volume 111, Number 176

電子部品・材料

開催日 2011-08-10 - 2011-08-11 / 発行日 2011-08-03

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目次

CPM2011-56
レーザーアブレーション法によるAlN成長のSi基板面方位依存性
○鈴木大樹・熊谷知貴・中澤日出樹(弘前大)
pp. 1 - 6

CPM2011-57
In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価
○鈴木聡一郎・佐藤真哉・岩崎拓郎(弘前大)・俵 毅彦・舘野功太・後藤秀樹・寒川哲臣(NTT)・岡本 浩(弘前大)
pp. 7 - 10

CPM2011-58
SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一(信州大)
pp. 11 - 14

CPM2011-59
SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史・姉崎 豊・浅野 翔・加藤有行(長岡技科大)・成田 克(山形大)・中澤日出樹(弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治(長岡技科大)
pp. 15 - 20

CPM2011-60
TSFZ法による高温超伝導体Bi-2223単結晶の育成と評価
○足立伸太郎・臼井友洋・橋本雄三・渡辺孝夫(弘前大)・藤井武則(東大)
pp. 21 - 25

CPM2011-61
組成を変化させたZrBx薄膜の特性評価
○武山真弓・佐藤 勝・野矢 厚(北見工大)
pp. 27 - 30

CPM2011-62
プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
○奥野さおり・三浦創史・鎌田亮輔・中澤日出樹(弘前大)
pp. 31 - 36

CPM2011-63
レーザーアブレーション法によるDLC膜特性に及ぼすB、N添加の影響
○毛内裕介・遅澤遼一・中澤日出樹(弘前大)
pp. 37 - 42

CPM2011-64
低温と室温におけるコンダクタンス法の組合せによるGe-MIS構造の界面準位密度評価
○岩崎拓郎・佐藤真哉・鈴木聡一郎・小野俊郎(弘前大)・福田幸夫(諏訪東京理科大)・岡本 浩(弘前大)
pp. 43 - 46

CPM2011-65
ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価
○佐藤真哉・岩崎拓郎・鈴木聡一郎・小野俊郎(弘前大)・福田幸夫(諏訪東京理科大)・岡本 浩(弘前大)
pp. 47 - 50

CPM2011-66
反応性スパッタ法によるCuAlO2薄膜の作製とアニール効果
○阿部克也・横本拓也・前田洋輔・宮澤 匠(信州大)
pp. 51 - 54

CPM2011-67
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
○梅原 猛・野毛 悟(沼津高専)
pp. 55 - 60

CPM2011-68
シリコン酸化膜の不均一な熱分解
○遠田義晴・小川可乃・永井孝幸(弘前大)
pp. 61 - 64

CPM2011-69
赤外吸収分光法を用いたHfO2原子層堆積法の反応素過程評価
○廣瀬文彦・木下友太・鈴木貴彦(山形大)
pp. 65 - 68

CPM2011-70
OHラジカル酸化法の開発とデバイス評価
○出貝 求・黒沢正章・籾山克章・鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大)
pp. 69 - 71

CPM2011-71
下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
○野毛 悟・梅原 猛(沼津高専)・宇野武彦(神奈川工科大)
pp. 73 - 78

CPM2011-72
ユビキタスプロセッサチップの開発
○内海晴信・石原拓美・三村直道・高木竜哉・成田一貴・深瀬政秋・佐藤友暁(弘前大)
pp. 79 - 84

CPM2011-73
バルクヘテロ型有機薄膜太陽電池のアニール効果の解析
○栗原 啓・吉田一樹・鈴木貴彦・廣瀬文彦(山形大)
pp. 85 - 88

注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.


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