Print edition: ISSN 0913-5685
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ED2006-240
3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
○朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京）
pp. 1 - 6
ED2006-241
共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析
○奥山太樹・菅原健太郎・江幡友彦・和保孝夫（上智大）
pp. 7 - 12
ED2006-242
高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
○前澤宏一（富山大）・大川洋平・岸本 茂・水谷 孝（名大）
pp. 13 - 16
ED2006-243
［招待講演］SiGe系量子効果デバイス ～ 共鳴トンネルダイオード(RTD)とGeドットアレイ技術 ～
○須田良幸・前川裕隆・佐野嘉洋・高橋陽一・小林忠正・花房宏明（東京農工大）
pp. 17 - 22
ED2006-244
Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
○自念圭輔・内田 薫・小平新志（東工大）・渡辺正裕・浅田雅洋（東工大/JST-SORST）
pp. 23 - 28
ED2006-245
決定グラフによる論理表現とナノワイヤネットワークトポロジの融合による新しい論理回路実装手法の検討
○葛西誠也・中村達也・白鳥悠太（北大）
pp. 29 - 34
ED2006-246
Siナノドットアレイを用いた多入力単電子デバイス
○開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大）
pp. 35 - 40
ED2006-247
磁束量子回路によるスパイクニューロン回路とその応用
○廣瀬哲也・浅井哲也・雨宮好仁（北大）
pp. 41 - 45
ED2006-248
InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用への垂直電界依存性
○松田 喬・陽 完治（北大）
pp. 47 - 50
ED2006-249
ハーフメタル系ホイスラー合金Co2Cr0.6Fe0.4Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性
○丸亀孝生・石川貴之・松田健一・植村哲也・山本眞史（北大）
pp. 51 - 56
ED2006-250
CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性３値連想メモリ
○植村哲也・丸亀孝生・松田健一・山本眞史（北大）
pp. 57 - 62
ED2006-251
シリコン酸化膜上に形成したナノグラファイトの電子輸送特性
○小西敬太・松田 喬・陽 完治（北大）
pp. 63 - 66
ED2006-252
InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果
○小山政俊・高橋 寛・井上達也・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇（阪工大）
pp. 67 - 71
ED2006-253
ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ３分岐接合デバイスの試作と評価
○中村達也・葛西誠也・白鳥悠太・橋詰 保（北大）
pp. 73 - 77
ED2006-254
多重ドットシリコン単電子トランジスタにおけるコトンネリング電流
大倉健作・北出哲也・○中島安理（広島大）
pp. 79 - 82
ED2006-255
Time-controlled single-electron transfer in single-gated asymmetric multiple tunnel junction arrays
○Daniel Moraru（Shizuoka Univ.）・Yukinori Ono（ＮＴＴ）・Hiroshi Inokawa・Kiyohito Yokoi・Ratno Nuryadi・Hiroya Ikeda・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 83 - 88
ED2006-256
Photon irradiation effects on Si multiple-tunnel-junction field-effect transistors
-- Sensing the presence of a single-charge in the substrate --
○Zainal Burhanudin・Ratno Nuryadi・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）
pp. 89 - 94
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．