Print edition: ISSN 0913-5685
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MW2006-153
NTCサーミスタを用いたW-CDMA用PAモジュールの利得の温度特性改善
○栗山 哲（日立）・湯山茂浩（ルネサステクノロジ）・大西正己・松本秀俊（日立）・田上知紀・大部 功（ルネサステクノロジ）
pp. 1 - 5
MW2006-154
速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路
○石原 昇（群馬大）
pp. 7 - 12
MW2006-155
マイクロストリップ集中定数形超広帯域(UWB)帯域通過フィルタの設計
馬 哲旺・○石原浩明・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）
pp. 13 - 18
MW2006-156
集中定数形コンポジット共振器を用いた小形マイクロストリップ帯域通過フィルタの設計
馬 哲旺・○阿部尚義・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）
pp. 19 - 22
MW2006-157
コンポジット共振器を用いたマイクロストリップトリプルバンド帯域通過フィルタの設計
○清水太一・馬 哲旺・小林禧夫（埼玉大）・穴田哲夫（神奈川大）
pp. 23 - 28
MW2006-158
容量装荷λ/2MSL共振器を用いた直接結合型BPFに関する実験的検討
○松本 真（電通大）・島方幸広・山内拡幸（太陽誘電）・和田光司・岩崎 俊（電通大）
pp. 29 - 34
MW2006-159
タップ結合法を適用したマイクロストリップ線路共振器を用いた有極形デュアルバンドフィルタに関する実験的検討
○奥崎伸彦（電通大）・島方幸弘・山内拡幸（太陽誘電）・和田光司・岩崎 俊（電通大）
pp. 35 - 40
MW2006-160
固体プラズマ上におかれた周期金属構造のサブミリ波放射特性
○土井和也・淀川信一・高坂 諭・小武内哲雄（秋田大）
pp. 41 - 46
MW2006-161
反射形0次共振器を用いたKu帯発振器
○水谷浩之・津留正臣・川上憲司・西野 有・宮崎守泰（三菱電機）
pp. 47 - 50
MW2006-162
ブランチスタブを用いたBPFによる通過帯域近傍の特性改善に関する基礎検討
○安住壮紀・大野貴信・橋本 修（青学大）・和田光司（電通大）
pp. 51 - 56
MW2006-163
帯域切替型マルチバンドアイソレータの検討
○古田敬幸・福田敦史・岡崎浩司・楢橋祥一（NTTドコモ）
pp. 57 - 60
MW2006-164
［特別講演］第36回欧州マイクロ波会議出席報告
○関 智弘・上綱秀樹（NTT）・福田敦史（NTTドコモ）・田中高行（佐賀大）・西野 有・宮口賢一（三菱電機）・陳 春平（神奈川大）・杉浦慎哉（豊田中研）・風間保裕（日本無線）
pp. 61 - 68
MW2006-165
広帯域同軸-CPW変換器
○グェン コク ディン・グェン タイン・亀井利久・内海要三（防衛大）
pp. 69 - 72
MW2006-166
液晶装荷浮遊電極付高速移相器の特性改善の検討
○前田壮彦・亀井利久・内海要三（防衛大）
pp. 73 - 77
MW2006-167
60GHz帯NRDガイドパルスレーダを用いたレベルセンサシング信号処理部における連続サンプリングによる測定精度の向上
○出穂剛史・黒木太司（呉高専）・米山 務（東北工大）
pp. 79 - 82
MW2006-168
UHF帯TV信号受信用小型・薄型J字型モノポールアンテナアレイ
黒木太司・○太田宙志（呉高専）
pp. 83 - 88
MW2006-169
誘電体基板両面に配置した小型・薄型クロスミアンダラインアンテナ
○黒木太司・太田宙志（呉高専）
pp. 89 - 94
MW2006-170
ミリ波帯におけるプリント伝送線路の伝送損失軽減法に関する考察
黒木太司・○宮本和哉・舛本亮太・田丸了次（呉高専）
pp. 95 - 98
MW2006-171
ミリ波帯誘電体基板支持トリプレート伝送線路フィルタの不要放射抑圧
黒木太司・○宮本和哉（呉高専）
pp. 99 - 103
MW2006-172
FDTD法による共振器結合係数の算出
○鈴木健司・石田哲也・粟井郁雄（龍谷大）
pp. 105 - 110
MW2006-173
広帯域積層導波管バランスフィルタの一検討
○福永達也（TDK）・和田光司（電通大）
pp. 111 - 114
MW2006-174
FDTDシミュレーション技術を用いた材料測定法に関する検討 ～ ミリ波帯金属表皮抵抗と半導体ウェハを含む誘電体板の測定 ～
○飯田幸雄・中尾公一・大村泰久・田村 進（関西大）
pp. 115 - 120
MW2006-175
低融点樹脂を用いた粉体の複素比誘電率の測定法に関する検討
大塚健二郎・○佐藤彰祐・橋本 修（青学大）
pp. 121 - 124
MW2006-176
集光レンズアンテナを用いた高損失誘電材料の複素比誘電率テンソルの測定に関する検討
○宮本昌尚・橋本 修・渡邊慎也（青学大）
pp. 125 - 130
MW2006-177
石膏ボードと抵抗膜を用いた二周波対応型無線LAN用電波吸収体
中村卓哉・大塚健二郎・○祥雲勇一・橋本 修（青学大）
pp. 131 - 135
MW2006-178
耐環境性に優れたゴムシートを用いた円形格子型電波吸収体に関する検討
○小澤 健・松本好太・三浦 裕（青学大）・岡田 治（ブリヂストン）・橋本 修（青学大）
pp. 137 - 142
MW2006-179
CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
○森脇孝雄・山本和也・小川喜之・三浦 猛・前村公正・紫村輝之（三菱電機）
pp. 143 - 148
MW2006-180
携帯電話基地局向け歪相殺ドハティ28V動作330W GaAsヘテロ接合FETパワーアンプ
○竹中 功・石倉幸治・高橋英匡・長谷川浩一・上田 隆・栗原俊道・麻埜和則・岩田直高（NECエレクトロニクス）
pp. 149 - 154
MW2006-181
GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
○後藤清毅・國井徹郎・井上 晃（三菱電機）・大植利和（Wave Technology）・河野正基・奥 友希・石川高英（三菱電機）
pp. 155 - 160
MW2006-182
高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
○井上 晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥 友希・石川高英（三菱電機）
pp. 161 - 166
MW2006-183
InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
○上綱秀樹（NTT）・山根康郎（NEL）・徳光雅美（NTT）・菅原裕彦（NTT-AT）・榎木孝知（NTT）
pp. 167 - 171
MW2006-184
GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
○山本和也・宮下美代・小川喜之・三浦 猛・紫村輝之（三菱電機）
pp. 173 - 178
MW2006-185
ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大）
pp. 179 - 182
MW2006-186
Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ
○渡邉則之・横山春喜・廣木正伸・小田康裕（NTT）・八木拓真（NTT-AT）・小林 隆（NTT）
pp. 183 - 187
MW2006-187
AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
○松尾尚慶・上野弘明・上田哲三・田中 毅（松下電器）
pp. 189 - 192
MW2006-188
ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ
○上本康裕・引田正洋・上野弘明・松尾尚慶・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器）
pp. 193 - 197
MW2006-189
絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
○金村雅仁・多木俊裕・今西健治・牧山剛三・岡本直哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英・常信和清（富士通/富士通研）
pp. 199 - 203
MW2006-190
GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波（>10MHz）E級アンプ回路
○齋藤 渉・土門知一・津田邦男・大村一郎（東芝）
pp. 205 - 208
MW2006-191
X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発
○松下景一・柏原 康・増田和俊・桜井博幸・高塚眞治・高木一考・川崎久夫・高田賢治・津田邦男（東芝）
pp. 209 - 212
MW2006-192
ミリ波向け高耐圧・高fmax GaN-HEMT
○牧山剛三・多木俊裕・今西健治・金村雅仁（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研）
pp. 213 - 217
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．