Print edition: ISSN 0913-5685
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ICD2006-1
DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起原 ～ 接合リーク電流の2値変動 ～
毛利友紀（日立）・大湯靜憲・小此木堅祐（エルピーダメモリ）・○山田廉一（日立）
pp. 1 - 6
ICD2006-2
リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
○高井智久・永井 健・和田政春・岩井 斎・加来真理子・鈴木 淳・糸賀尚子・宮崎隆行（東芝）・竹中博幸（東芝マイクロエレクトロニクス）・北城岳彦・宮野信治（東芝）
pp. 7 - 12
ICD2006-3
カラムアクセス8.4ns,1.6Gbpsデータ転送を実現する512M DDR3 SDRAMのデータ転送回路技術の開発
○久保内修一（日立超LSIシステムズ）・藤澤宏樹・黒木浩二・西岡直久・利穂吉郎・野田浩正（エルピーダメモリ）・藤井 勇・余公秀之・瀧下隆治・伊藤孝洋・田中 均（日立超LSIシステムズ）・中村正行（エルピーダメモリ）
pp. 13 - 18
ICD2006-4
［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術
○河原尊之（日立）
pp. 19 - 24
ICD2006-5
90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
○中島博臣・南 良博・篠 智彰（東芝）・坂本篤史（東芝情報システム）・東 知輝（東芝マイクロエレクトロニクス）・楠 直樹・藤田勝之・初田幸輔・大澤 隆・青木伸俊・谷本弘吉・森門六月生・井納和美・浜本毅司・仁田山晃寛（東芝）
pp. 25 - 30
ICD2006-6
［特別招待講演］Chain FeRAM技術と将来展望
○高島大三郎（東芝）
pp. 31 - 36
ICD2006-7
［特別招待講演］新構造メモリ技術とSoCプラットフォーム
○有本和民（ルネサステクノロジ）
pp. 37 - 42
ICD2006-8
［特別招待講演］SoC設計からみたメモリへの要求
○高橋真史（東芝）
pp. 43 - 48
ICD2006-9
［パネル討論］新メモリとSoC,今何をすべきか？
○日高秀人（ルネサステクノロジ）・田口眞男（SPANSION JAPAN）・河原尊之（日立）・高島大三郎（東芝）・上野修一（ルネサステクノロジ）・高田雅史（金沢大）・高橋真史（東芝）
p. 49
ICD2006-10
相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究
○高田雅史・中山和也・泉 貴富・新村 達・秋田純一・北川章夫（金沢大）
pp. 51 - 56
ICD2006-11
MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討
○岡村怜王奈（早大）・木原雄治（ルネサステクノロジ）・金 泰潤・木村史法・松井悠亮（早大）・大石 司（ルネサステクノロジ）・吉原 務（早大）
pp. 57 - 62
ICD2006-12
4MbMRAMとその応用
○杉林直彦・本田雄士・崎村 昇・永原聖万・三浦貞彦・志村健一・辻 清孝・福本能之・本庄弘明・鈴木哲広・加藤有光・齋藤信作・笠井直記・沼田秀昭・大嶋則和（NEC）
pp. 63 - 67
ICD2006-13
携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM
○清水有威・岩田佳久・土田賢二・稲場恒夫・滝沢亮介・上田善寛・板垣清太郎・浅尾吉昭・梶山 健・細谷啓司・池川純夫・甲斐 正・中山昌彦・與田博明（東芝）
pp. 69 - 73
ICD2006-14
［特別招待講演］Spin-Transfer Torque Writing Technology (STT-RAM) For Future MRAM
○Hide Nagai・Yiming Huai（Grandis）・Shuichi Ueno・Tsuyoshi Koga（Renesas Technology）
pp. 75 - 80
ICD2006-15
DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM
○木原雄治・中嶋 泰・井筒 隆・中本正幸（ルネサステクノロジ）・吉原 務（早大）
pp. 81 - 84
ICD2006-16
次世代ＳＲＡＭのために再定義した書き込みマージン
○武田晃一・池田秀寿・萩原靖彦・野村昌弘（NEC）・小畑弘之（NECエレクトロニクス）
pp. 85 - 90
ICD2006-17
［特別招待講演］バッテリ機器向け低電力・低電圧SRAM回路技術
○山岡雅直（日立）
pp. 91 - 96
ICD2006-18
Worst-Case Ananlysis to Obtain Stable Read/Write DC Margin of High Density 6T-SRAM-Array with Local Vth Variability
○Yasumasa Tsukamoto・Koji Nii（Renesas Technology）・Susumu Imaoka（Renesas Design）・Yuji Oda（Shikino High-Tech.）・Shigeki Ohbayashi・Makoto Yabuuchi・Hiroshi Makino・Koichiro Ishibashi・Hirofumi Shinohara（Renesas Technology）
pp. 97 - 102
ICD2006-19
Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
○Ryuji Ohba・Yuichiro Mitani・Naoharu Sugiyama・Shinobu Fujita（Toshiba）
pp. 103 - 107
ICD2006-20
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム
○石川次郎・田中利広・加藤 章・山木貴志・梅本由紀子・下里 健・中村 功・品川 裕（ルネサステクノロジ）
pp. 109 - 113
ICD2006-21
99mm2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ
○岩井 信・竹内 健・亀田 靖・藤村 進・大竹博之・細野浩司・志賀 仁・渡辺慶久・二山拓也・進藤佳彦・小島正嗣・白川政信・市毛正之・畠山多生・田中真一（東芝）
pp. 115 - 120
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．