☆ このファイルは印刷用の文書をもとに作成されておりますので、一部化け 等が発生しております。なお、本会誌8月号本分末に全プログラムが掲載 されております。 一般講演 C―1. 電磁界理論      9月18日  10:40〜11:55  総合教育棟B6講義室座長 長野 勇(金沢大) C- 1.電子・ミューオン・核子のスピン…内田公三(内田国際特許事務所) C- 2.電磁現象の新たな基本概念(余滴5)―電子クーロン場の平面波展開―…中島将光(京大) C- 3.損失媒質境界面における屈折―ポインティングベクトル―…○早川有史・徳丸 仁(慶大) C- 4.2方向ラプラス変換を用いた電磁界解析についての一考察…○松塚 勇・長澤幸二(日大) C- 5.ランダム表面による2次インコヒレント散乱…伊藤繁夫(東洋大) 9月18日  1:00〜5:25  総合教育棟B6講義室座長 森下克己(阪電通大) C- 6.メソスコピック光導波路構造における光の強局在(5)…山登 猛・○大高眞人・橋本明弘(福井大) C- 7.平面誘電体境界上のBeam Displacementを伴うパルス伝搬の近似解析…○筒井英人・石原豊彦(防衛大) C- 8.波動伝搬法によるX線導波型機能素子の収束特性…○奥山 孝・宮崎保光(豊橋技科大) C- 9.Pure Bend Loss Evaluation of Slab Waveguide with Finite Claddings by Coupled-Mode Theory…○Mirianashvili Maria・小野和雄・堀田昌志(愛媛大) C- 10.平面回路線路における表面波漏洩条件について…○三宮大樹・辻 幹男・繁沢 宏(同志社大) C- 11.開口面法における積分面位置の一考察…○大堂雅之・安藤 真(東工大) C- 12.電子レンジ用ドアシールの電磁界解析…○岩渕康司・窪田哲男(日立ホームテック)・柏 達也(北大) C- 13.雷放電によるVLFパルス電磁界波形のfull wave計算…○宮村和俊・長野 勇・八木谷聡(金沢大) 休  憩(3:10 再開)座長 小林一哉(中大) C- 14.原子内不均質屈折率モデルにおけるX線の散乱特性…○海野隆司・宮崎保光(豊橋技科大) C- 15.X線領域におけるガウスビーム波の円柱における散乱解析…○尾崎雄一・宮崎保光(豊橋技科大) C- 16.地表面付近に置かれた導体楕円柱からの平面波の散乱解析…○増田忠弘・宮崎保光(豊橋技科大) C- 17.電磁波散乱現象の時間周波数解析における時間応答及び周波数応答のウェーブレット変換について…○西本昌彦・生野浩正(熊本大) C- 18.Wiener-Hopf Analysis of the E-polarized Diffraction by a Strip in the Plane Interface between Two Semi-Infinite Media: Comparison of Two Asymptotic Solutions    …○中島健介・Sevtap Sapmaz・小林一哉(中大) C- 19.開放円筒曲面の両端のエッジによって生じる散乱電磁界の近似解析…○八巻倫己・石原豊彦(防衛大) C- 20.エッジのある物体からの高周波回折界と低周波散乱界の関係…橋本正弘(阪電通大) C- 21.クラックによる平面電磁波の散乱…○佐藤亮一・白井 宏(中大) C- 22.近傍円筒領域RCS測定値による遠方RCS推定結果…○稲沢良夫・千葉 勇・飯田知之(三菱電機)・石田 剛(三菱電機エンジニアリング)・井上正人(三菱電機) C―2. マイクロ波A      9月18日  9:00〜11:55 総合教育棟E10講義室座長 広田哲夫(NTT) C- 23.アクティブバランを用いた偶高調波リングミクサのアイソレーション特性の解析…○川上憲司・下沢充弘・伊東健治・笠井信之・飯田明夫(三菱電機) C- 24.アンチパラレルダイオードペアの不平衡量についての検討    …○伊東健治・川上憲司・石田修己(三菱電機)・水野皓司(東北大) C- 25.トランジスタ差動付を用いたハーモニックミキサの評価…○渡辺 理・山路隆文(東芝) C- 26.HFET/HBTによる30GHzダウンコンバータMFIC…○高橋和晃・藤田 卓(松下技研)・酒井啓之(松下電子)・吉田隆之(松下電器)・佐川守一(松下技研) C- 27.InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ…柏 卓夫・加藤隆幸・○石田多華生・小島善樹・吉田直人・高木 直(三菱電機) 休  憩(10:25 再開)座長 モハマド マディヒアン(NEC) C- 28.新構造のNRDガイドを用いた60GHz帯バランス型ミキサ…石川容平・谷崎 透・○西田 浩(村田製作所) C- 29.270GHz帯イメージリジェクションSISミクサ…○桧枝護重・高見哲也・伊山義忠・玉井保男(三菱電機)・飯田幸榮・池田直美(NASDA) C- 30.低電圧広帯域直接直交変調器IC…○滝川久美子・清水敏彦・萩沢 弘(日立) C- 31.HPFと3/4波長先端短絡スタブを用いたC帯FET3逓倍器…○池松 寛・伊東健治・尾崎 裕・飯田明夫・斎藤和夫(三菱電機) C- 32.InAlAs/歪InGaAs HEMTを用いた30/60GHz逓倍器…○澤田 学・松ヶ谷和沖・佐々木邦彦・上野祥樹(日本電装) C- 33.ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性…○加藤隆幸・小丸真喜雄・柏 卓夫・矢嶋孝太郎・佐々木肇・高木 直(三菱電機)・松崎一浩・根本規生・中村悦造・阿久津亮夫・松田純夫(NASDA) 9月18日  1:00〜5:10  総合教育棟E10講義室座長 大平 孝(NTT) C- 34.42GHz帯送信モジュール…○三輪 衛(東芝)・杉之下文康・中北久雄・伊藤重之(NHK)・兼清靖弘・安部文一朗・柴田清裕(東芝) C- 35.20GHz帯マスタスライスMMIC1チップ受信機…○西川健二郎・徳満恒雄・鴨川健司・豊田一彦・平野 真(NTT) C- 36.V帯受信モジュール…桑原俊秀・伊藤誠一・佐梁智昭・○和田賢三(NEC) C- 37.60GHz帯超小型ハイビジョン送信機…○中北久雄・杉之下文康(NHK)・大橋洋二(富士通研) C- 38.MICミリ波電圧制御発振器…○藤井恒平・高野雄二・原 泰彦(日本無線) C- 39.InAlAs/歪InGaAs HEMTを用いた30GHz帯VCO…○松ヶ谷和沖・澤田 学・田口隆志・上野祥樹(日本電装) C- 40.新構造のNRDガイドを用いたFMパルス変調用60GHz帯DR-VCO…坂本孝一・○山下貞夫・梶川武久・石川容平(村田製作所) C- 41.AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた60GHz・70GHz帯高出力モノリシック発振器…○柏 卓夫・星 裕之・石田多華生・中野博文・小丸真喜雄・高木 直(三菱電機) 休  憩(3:10 再開)座長 伊東健治(三菱電機) C- 42.0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLL IC…○矢野仁之・松野典朗・鈴木康之・本城和彦(NEC) C- 43.3同調形DDS駆動PLLシンセサイザとその低スプリアス周波数設定法…○田島賢一・伊東健治(三菱電機) C- 44.任意分数設定型フラクショナルN・PLLのスプリアス低減技術…○中川匡夫・野坂秀之(NTT) C- 45.15GHz帯位相同期発振器…○濱田智次・藤代博記・長井 清・西 清次・山田浩幸(沖電気) C- 46.インバータ付共振器を2つ装荷したオクターブ動作低雑音電圧制御発振器…○今井芳彦・金川陽介・伊東健治・飯田明夫(三菱電機) C- 47.MMIC注入同期発振器chain構成法―ミリ波帯MMICシンセサイザへの検討―…○鴨川健司・徳満恒雄・相川正義(NTT) C- 48.OFDM用低位相雑音局部発振器と搬送波のS/N特性検討…○山本昭夫・西村恵造(次世代DTV研) C- 49.注入信号位相と周波数を制御した発振器結合系のフェイズド・アレイ動作…佐薙 稔・○三宅史朗・景山正明・野木茂次(岡山大) 9月19日  9:00〜11:55  総合教育棟E10講義室座長 佐川守一(松下技研) C- 50.フリップチップ実装構造における反射特性の改善…○岩崎 登・石塚文則・加藤和利(NTT) C- 51.Si-MMIC用マイクロストリップ線路損失と基板の抵抗率との関係…○小野政好・末松憲治・重松智徳・久保俊次・伊山義忠・石田修己(三菱電機) C- 52.ウエハスケールインテグレーションに向けた両極性可変減衰回路…○鈴木義規(NTT)・上綱秀樹(NEL)・大平 孝・小川博世(NTT) C- 53.フェーズドアレー給電用WSMMIC可変ビーム形成回路…○大平 孝・豊田一彦(NTT)・上綱秀樹(NEL)・鈴木義規・小川博世(NTT) C- 54.アクティブバンドパスフィルタの負性抵抗回路を用いた同調…○井門儀晴・三雲悟志(阪産大)・平松治之(東邦テクトロン)・葛城源平・山本幸男(阪産大) 休  憩(10:25 再開)座長 徳満恒雄(NTT) C- 55.1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド…○末松憲治・小野政好・久保俊治・佐藤久恭・伊山義忠・石田修己(三菱電機) C- 56.高速ミリ波帯無線LAN用共振型モノリシックT/Rスイッチ…モハマド マディヒィアン・ロガンデクル・○丸橋建一・恩田和彦・葛原正明(NEC) C- 57.共振用インダクタを内蔵したミリ波帯FETスイッチ…○伊山義忠・茶木 伸・加藤隆幸・室井浩一・石田修己(三菱電機)・米山 務(東北大) C- 58.Ka帯MMIC4ビット減衰器…○室井浩一・神谷信之・茶木 伸・伊山義忠・稲見和喜(三菱電機) C- 59.3次元MMIC構造を用いたモノリシック移相器の小型・広帯域化…○中津川征士・井田 実・村口正弘(NTT) C- 60.Ka帯MMIC移相器…笠原通明・飯田知之・○川野 肇・安藤直人・伊山義忠・稲見和喜(三菱電機) 9月19日  1:00〜5:25  総合教育棟E10講義室座長 昆野舜夫(東芝) C- 61.1.5GHz65V/1WディジタルMCA携帯端末用パワーモジュール…森本 滋・○前田昌宏・中村守雄・正戸宏幸・太田順道(松下電子) C- 62.分布型SCFLレベル変換器付き分布ベースバンド増幅器IC…○木村俊二・今井祐記・宮本 裕(NTT) C- 63.73%付加効率X帯電力HEMT…前田美樹・○荒井重光・千住智博・石丸 淳・徳田博邦(東芝) C- 64.MMIC/Super-MIC組合せ形C〜Ku帯2Wバランス形増幅器…伊藤康之・○新居眞敏・竹内紀雄・塚原良洋・松永 誠(三菱電機) C- 65.FETセル分割整合形Ku帯20W HFET増幅器…○伊藤康之・土子 昭・笠原通明・稲見和喜・宇土元純一・辻 聖一・松永 誠(三菱電機) C- 66.26GHz帯SSPAモジュールの試作…○谷島正信・久田安正(NASDA)・石田有二・村上誠一・山本海三(NEC) C- 67.60GHz帯MMIC3段広帯域高出力増幅器…○井上 隆・舟橋政弘・大畑惠一(ミリウェイヴ,現NEC)・細谷健一・葛原正明(NEC) C- 68.60GHz帯高出力PHEMT…○星 裕之・小丸真喜雄・加藤隆幸・吉田直人・紫村輝之・高木 直・●女 豊(三菱電機) 休  憩(3:10 再開)座長 三井康郎(三菱電機) C- 69.電力増幅器における入力信号レベルによる動作電流変動の検討…中島秋重(日立) C- 70.FETのT-X特性より入出力位相特性を求める計算法…○森 一富・中山正敏・伊藤康之・三井康郎(三菱電機) C- 71.多合成電力増幅器用電力分配器の分配特性…○垂井幸宣・中原和彦・松永 誠(三菱電機) C- 72.並列ダイオード装荷による高出力増幅器の高効率化…○山内和久・中山正敏・森 一富・三井康郎(三菱電機) C- 73.EOSによる高出力FETのアンバランス動作解析…高橋英匡・梨本泰信・○金森幹夫(NEC) C- 74.多電力分配器の不等電力分配による高出力増幅器の性能変化の検討…○中原和彦・垂井幸宣・松永 誠(三菱電機) C- 75.段間の通過位相を考慮した多段増幅器の安定化…○内田浩光・中原和彦・松永 誠(三菱電機) C- 76.位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ…○石田秀俊・宮辻和郎・田中 毅・竹中 浩・西辻 充・田村彰良・上田大助(松下電子) C- 77.レイアウト最適化技術を用いたX帯小型4段低雑音増幅器の設計    …○茶木 伸・佐々木善伸・安藤直人・高木 直(三菱電機) C―2. マイクロ波B      9月18日  1:00〜4:55  総合教育棟D10講義室座長 許 瑞邦(神奈川大) C- 78.角切断正方形平面回路の固有モード解析―伝送線路表示による―…○平岡隆晴・小島和也・許 瑞邦(神奈川大) C- 79.遮閉形高温超伝導コプレーナ線路共振器…○大和田哲・大橋英征・宮崎守泰・吉新喜市・今田勝大・内川英興(三菱電機) C- 80.マイクロストリップ形集中定数バンドパスフィルタの設計方法に関する検討…○能村健一・小林禧夫(埼玉大) C- 81.高誘電率基板を用いた準マイクロ波帯バンドパスフィルタ…○佐々木豊・中西秀文・田中裕明・石川容平(村田製作所) C- 82.F字形共振器装荷ブリッジ結合ストリップ線路形有極フィルタを用いた小形分波器…○宮崎守泰・西野 有(三菱電機) C- 83.リング型デュアルモード共振器を用いたBPFの検討…○松尾道明・矢吹博幸・佐川守一・牧本三夫(松下技研) C- 84.ブリッジ結合ストリップ線路形有極フィルタ…○西野 有・宮崎守泰(三菱電機) C- 85.スロット線路共振器形帯域フィルタの基本特性…○植松吉晃・野口泰正(近畿大) C- 86.両端接地形結合コプレーナ線路共振器帯域フィルタの検討…野口泰正・○井上順治(近畿大) 休  憩(3:25 再開)座長 野本俊裕(NHK) C- 87.結合薄膜多層電極を用いた準マイクロ波帯誘電体デュプレクサ…服部 準・久保田和彦・○伊勢智之・日高青路・石川容平(村田製作所) C- 88.リッジ型2重モード誘電体共振器を用いた移動体通信基地局用小型誘電体デュプレクサ…服部 準・西山大洋・久保浩行・○永見佳弘・石川容平(村田製作所) C- 89.2分割結合孔を用いた直交2偏波2周波数共用分波器…○米田尚史・堀江聡介・湯川秀憲・西野 有・宮崎守泰(三菱電機) C- 90.V帯TE011モード帯域通過フィルタ…○上田澄生・梅津圭一・佐々木清丈(日電エンジニアリング)・池田明寛(NEC) C- 91.反射型S/Nエンハンサの低周波数化及び周波数温度特性改善…○丹野雅行(信越化学)・九鬼孝夫(NHK)・碇 真憲・流王俊彦(信越化学)・野本俊裕(NHK) C- 92.MSSW/BVW混成波のS/Nエンハンサへの応用(その2)―YIG膜の飽和磁化と飽和過渡応答の検討―…○九鬼孝夫・野本俊裕(NHK) 9月20日  9:00〜11:45  総合教育棟E10講義室座長 厚木和彦(電通大) C- 93.マイクロストリップ線路の特性インピーダンス―グラウンド導体幅とストリップ導体オフセットの影響―…○小川啓介・小暮祐明・中野英樹・越地耕二・周 英明(東京理科大) C- 94.角を丸くした導体をもつマイクロストリップ線路の導体損…○厚木和彦・白坂幸一・李 可人(電通大) C- 95.台形誘電体内に導体をもつストリップ線路の特性…○益岡秀人・厚木和彦・李 可人(電通大) C- 96.直線テーパ形マイクロストリップ線路の導波管モデル解析と実験的検討…○白崎博公(玉川大)・西村貞彦・北谷和弘(阪大) C- 97.マイクロストリップ線路電磁結合型層間接続の帯域について…松永 誠(三菱電機) C- 98.同時伝搬現象を伴うコプレーナストリップ線路のパルス伝搬特性…○高山英碩・辻 幹男・繁沢 宏(同志社大) 休  憩(10:45 再開)座長 太田 勲(姫路工大) C- 99.3導体結合線路によるマルチポート方向性結合器…○佐野英一・尾崎俊明・武田明久(トキメック) C-100.多層構造を用いた対称型ブロードサイドカプラ…○岡崎浩司・中津川征士・広田哲夫(NTT) C-101.広帯域ハイブリッドにおける多重反射と結合特性の関係…○湯川秀憲・大橋英征・宮崎守泰(三菱電機) C-102.集中定数回路素子を用いた8ポートハイブリッド回路…○河合 正・小久保吉裕・太田 勲(姫路工大) 9月20日  1:00〜4:25  総合教育棟E10講義室座長 黒木太司(呉高専) C-103.高誘電率NRDガイドにおけるLSE01モードの伝送特性…黒木太司・○藤本一人・池田研吾(呉高専) C-104.LSE01モード伝送高誘電率NRDガイドの実験的検討…黒木太司・○池田研吾・藤本一人(呉高専) C-105.実効誘導率法による誘電体円板中のウィスパリングギャラリモード伝搬特性解析…○生地正枝・古神義則・苫米地義郎・松村和仁(宇都宮大) C-106.偏心配置した誘電体共振器の共振周波数…○韓  青・古神義則・苫米地義郎・松村和仁(宇都宮大) C-107.TE10ロッドレンズの試作…古田島博・○桂 謙二・川村京太郎・鈴木林蔵(法政大) C-108.60GHz帯におけるレーダドーム用材料の複素比誘電率の測定…橋本 修・○東 壽志・織壁健太郎・金子美貴(青学大)・石坂宏幸(日野自動車工業) C-109.ECRスパッタ法による低温堆積SrTiO3薄膜…○活田健治・石井康信(NTT) C-110.セラミック基板上の結合薄膜多層電極の評価…石川容平・○日高青路・松井則文・服部 準・阿部 眞(村田製作所) C-111.金属片を用いた単峰特性型FSSの表面インピーダンス測定…○渡邊宅治・今  斎(日大) 休  憩(3:25 再開)座長 相川正義(NTT) C-112.誘電損失シールドによる楕円人体モデル側部のピーク局所SARの低減…○西澤振一郎・橋本 修・土田 航(青学大) C-113.広帯域低反射損失導波管H面ベンドの設計…○山根 卓・馬 哲旺・山下榮吉(電通大) C-114.LHCDアンテナ用E面電力分配器の解析…○植田裕之・滝沢康博・新井宏之(横浜国大)・関 正美・前原 直・福田裕美(原子力研) C-115.方形同軸線路形Ku帯小形電力4合成回路…○大橋英征・湯川秀憲・宮崎守泰(三菱電機) C―2. マイクロ波C      9月18日  9:00〜11:55  総合教育棟D10講義室座長 米山 務(東北大) C-116.衛星通信用偶高調波形ダイレクトコンバータ…伊東健治・下沢充弘・今井芳彦・渡辺栄司・○尾崎 裕・佐伯昭夫(三菱電機) C-117.衛星搭載用Ku帯ビーコン送信機…○坪田吉弘・伊東健治・小牧昌彦・今井芳彦・清野清春・広瀬春三(三菱電機) C-118.新構造のNRDガイドと薄型誘電体レンズアンテナを用いた60GHz帯FMパルスレーダヘッド…石川容平・○谷崎 透・西田 浩・田口義規(村田製作所) C-119.パルスドップラレーダ方式近距離レーダの研究…○七田欣之・荒井郁男・本村和磨(電通大) C-120.レーダ断面積の簡易測定法…○本村和磨・荒井郁男(電通大) C-121.10素子全平面型イメージングアレイを用いたイメージング実験…○岡田寛正・山下榮吉(電通大)・銭 永喜(UCLA) 休  憩(10:40 再開)座長 二川佳央(防衛大) C-122.42GHz帯における伝搬特性の測定…○岩崎 徹・杉之下文康・大川祐二・渋谷一彦(NHK) C-123.ミリ波用遮断マイクロストリップ線路の実装誤差による伝送特性への影響の解析…○李 可人・厚木和彦(電通大) C-124.可変整合素子を用いた電子レンジの整合    …○窪田哲男・中野英樹・越地耕二・周 英明(東京理科大)・木元和彦(九州電力)・岩渕康司・菊池嚴夫(日立ホームテック) C-125.モノサイクルパルスマイクロ波による加温方法の検討…○山本幹二・二川佳央(防衛大) C-126.空洞共振器内部に置かれた培養細胞の印加電界の検討…○二川佳央・山本幹二(防衛大) C―3. 光エレクトロニクス      9月18日  9:00〜11:55  総合教育棟B10講義室座長 三田地成幸(NTT) C-127.磁気光学型可変光アッテネータ(1)―原理―…○福島暢洋(富士通)・尾中 寛・白崎正孝(富士通研)・鈴木洋一・中田英則・徳増次雄(富士電気化学) C-128.磁気光学型可変光アッテネータ(2)…○鈴木洋一・中田英則・徳増次雄(富士電気化学)・福島暢洋(富士通)・尾中 寛・白崎正孝(富士通研) C-129.マルチインライン光アイソレータの一構成法…○白石和男(宇都宮大)・川上彰二郎(東北大)・大石 勇(古河電工) C-130.GSGG基板を用いたCe置換YIG膜の形成…○新宅敏宏・加藤雄二郎(NTT) C-131.表面処理GGG基板上へのCe置換YIG薄膜の作成…○本村 真・岡野英明・山本錠彦(阪大)・岡村康行(阪大,和歌山大) 休  憩(10:25 再開)座長 宇野智昭(松下電器) C-132.PANDAファイバ用MU形光コネクタ…○長瀬 亮・三田地成幸(NTT) C-133.多心FPC光コネクタの検討…○小林 勝・岩野真一・長瀬 亮・浅川修一郎・三田地成幸(NTT) C-134.光マイクロコネクタにおける反射戻り光…○加藤利雄・水野純ホジェリオ・伊賀健一(東工大) C-135.コリメート光ファイバの試作(2)―コリメートファイバ間の非接触接触損失―…○小薮国夫・大平文和(NTT) C-136.FPCスプライスコネクタの検討(1)…○山内孝哉・大池知保・小野伸一・末沢正則(住友スリーエム) C-137.SC形,DS形,MU形光コネクタの塵埃試験結果…○三田地成幸・岩野真一・長瀬 亮(NTT) 9月18日  1:00〜5:25  総合教育棟B10講義室座長 山下 牧(オムロン) C-138.5eV帯吸収とファイバ・グレーティング…森下裕一・加藤真基重・鈴木 茂・○牟田健一(昭和電線) C-139.ブラッググレーティング用光ファイバの高感度化…○小向哲郎・中沢正隆(NTT) C-140.外部プローブ光によるファイバグレーティングの構造測定…伊藤達也・茂原政一・○井上 享・服部保次(住友電工) C-141.長周期グレーティングの作製…茂原政一・○重松昌行(住友電工) C-142.ファイバグレーティングの加熱経時変化…稲井麻紀・○伊藤真澄・榎本 正・弾塚俊雄(住友電工) C-143.ファイバグレーティング書込によるOH損失の増加…○鈴木 茂・森下裕一・牟田健一(昭和電線) C-144.マスクの振動によるアポダイズ・ファイバ・グレーティングの作製…○森下裕一・鈴木 茂・牟田健一(昭和電線) C-145.ファイバグレーティングの耐放射線特性…榎本 正・稲井麻紀・伊藤真澄・○弾塚俊雄(住友電工)・岡本信一・大西徳博(阪府大) 休  憩(3:10 再開)座長 岸野克巳(上智大) C-146.PLC-MZI型1.3&1.55/1.65μm用WDMカップラ…○肥田安弘・高戸範夫(NTT) C-147.線対称形連結テーパ導波路を有するPLC型広帯域カプラ…○高木章宏・高戸範夫・肥田安弘・小口泰介・野澤敏矩(NTT) C-148.TEOS低温プラズマCVDによる石英PLCカプラの開発…○中仙道和之・田中啓之・松本 浩・松村文雄(東洋通信機)・藤井陽一(日大) C-149.光導波路/光ファイバPC接続の損失特性…○浅川修一郎・長瀬 亮・小林 勝・三田地成幸(NTT) C-150.光ファイバカプラのPDL特性の改善…○山崎成史・佐々木秀樹・畔蒜富夫・鈴木文生・山内良三(フジクラ) C-151.石英光導波路の低温プロセス化と経済化の検討…○松本 浩・田中啓之・中仙道和之・松村文雄(東洋通信機)・藤井陽一(日大) C-152.テーパ導波路を用いた長波長用音響光学素子の試作…○山浦 均・鷹野定郎・岡田恵子・丸山 修・山下照夫・芝田岳永・横尾芳篤(HOYA) C-153.Erドープガーネット薄膜導波路型1.5μm帯光増幅素子の分光特性…○相馬 拓・宮崎保光(豊橋技科大) C-154.Erドーブ結晶薄膜を用いた導波型光増幅素子の動的特性…○R. Balasubramanian・宮崎保光(豊橋技科大) 9月19日  1:00〜5:35  総合教育棟B10講義室座長 西澤紘一(能開大) C-155.(招待講演)光波ネットワーク用PLCデバイス…岡本勝就(NTT) C-156.石英系PLC型複合機能付き(3×16,4×16)スプリッタ…○福満高雄・塙 文明・日比野善典・高戸範夫・井上靖之(NTT) C-157.ピッチ変換導波路を用いた高密度集積光スプリッタ…○白田知之・高橋龍太・寺岡達夫・鴨志田敏和(日立電線) C-158.PLCスプリッタの信頼度推定…○花房廣明・塙 文明・日比野善典・永井 収・野澤敏矩(NTT) C-159.石英系導波路型1×8光スプリッタの架空実フィールド試験…鈴木貴美・○佐々木恵逸・山田雄一(北日本電線) C-160.石英導波路型8×1光モードコンバイナ…○花田忠彦・北村直樹・下田 毅・北村光弘(NEC) C-161.PLCグレーティング用コア膜の検討…○樫村誠一・本郷晃史・大平健太郎・田村維識・荒井英明・上塚尚登(日立電線) 休  憩(3:05 再開)座長 荒木賢一(通信総研) C-162.a-Si膜装荷型チャンネル間隔10GHzアレイ導波路格子…○山田裕朗・高田和正・井上靖之・大森保治・三田地成幸(NTT) C-163.平坦な通過域特性を持つアレイ導波路格子型光合分波器の検討…○秋葉健次・鴨志田敏和・諸沢健一・池ヶ谷守彦・上塚尚登(日立電線) C-164.ループバック型アレイ導波路格子における干渉性クロストークの直接強度変調信号への影響…立川吉明(NTT) C-165.反転Δβ結合器を用いた光分波器の特性…○岸岡 清・伊藤一成(阪電通大) C-166.波長1.3μm帯ガラス光導波路波長フィルタの温度無依存化の実証…○米田 茂・田中洋彰・國分泰雄(横浜国大) C-167.波長可変フィルタモジュール…○嶋田 誠・石塚善彦・仲村 隆・柳町ともみ・小栗 均(住友大阪セメント) C-168.石英導波路上への誘電体多層膜フィルタを用いたフィルタ型WDMの検討…○植木 健・渡辺万記・小沢章一(古河電工) C-169.光照射グレーティングによる導波路型Add/Dropフィルタ…○上塚尚登・荒井英明・田村維識・樫村誠一・本郷晃史(日立電線) C-170.島状金属を有する半導体薄膜の光学特性…○松本裕幸・白石和男・松村和仁(宇都宮大) C-171.CD互換追記型光ディスク用島状銀薄膜…○八巻 城・馬場一隆・宮城光信(東北大) 9月18日  9:00〜11:55  総合教育棟C1講義室座長 高橋浩一(フジクラ) C-172.高性能完全スロープ補償型分散補償ファイバ…○大西正志・小谷野裕史・石黒洋一・金森弘雄・西村正幸(住友電工) C-173.ファイバ型波長分散補償器…○小谷野裕史・大西正志・笹岡英資・西村正幸(住友電工) C-174.非線形効果低減型分散シフトファイバ…○松尾昌一郎・山田成敏・畔蒜富夫・高橋浩一・山内良三(フジクラ) C-175.テラビット伝送における分散補償ファイバへの要求特性…○杉崎隆一・赤坂洋一・荒井慎一・鈴木好久(古河電工) C-176.低非線形性,低損失分散シフト光ファイバの検討…○荒井慎一・榎本憲嗣・赤坂洋一・鈴木好久(古河電工) 休  憩(10:25 再開)座長 久間和生(三菱電機) C-177.干渉型光ファイバジャイロにおけるファラデー効果誘起ドリフト…才田隆志・○保立和夫(東大) C-178.曲げ誘起複屈折を活用した単一モード光ファイバによる干渉型光ファイバジャイロ…保立和夫(東大)・○真崎浩一郎(東海大)・才田隆志(東大)・三上 修(東海大) C-179.低レーリー散乱ケイ酸系光ファイバの線引き…○坂口茂樹・轟 眞市(NTT) C-180.多心メカニカルスプライス実証試結果…岩井太郎・大川啓一(ニホンテレコム)・○大沢練太郎(山形スリーエム)・新田哲也(住友スリーエム) C-181.位相共役光を用いた光フィイバ結合実験…○畠山 巌・山口一弘・若松 孝(茨城高専)・山本二三男(NTT) C-182.イメージファイバにおける構造のランダムな不規則性とモード結合…小見山 彰(阪電通大) 9月18日  1:00〜5:35  総合教育棟C1講義室座長 田中 茂(住友電工) C-183.(招待講演)遠隔励起光増幅システムの検討…○大越春喜・大島 勇(古河電工) C-184.1.48μm帯励起Er光ファイバ増幅器の増幅モデルに関する考察…青木恭弘(NEC) C-185.Erドープファイバの利得ピーク波長の測定について…○田川憲治・稲垣真也・武田恵子・守谷 薫(富士通) C-186.EDF内Al添加濃度の利得広帯域化に与える影響…○武田憲幸・多賀秀徳・秋葉重幸(KDD) C-187.Er添加マルチコアファイバ増幅器の飽和出力特性の改善    …○井本克之・成田善廣(日立電線)・神屋和雄・阿部 淳(信越化学) C-188.Er添加マルチコアファイバ増幅器の偏光依存性の検討…井本克之(日立電線)・神屋和雄・○阿部 淳(信越化学) C-189.p-Al添加EDFのγ線照射特性…○柏田智徳・石黒洋一・金森弘雄(住友電工)・岡本信一・大西徳博(阪府大) 休  憩(3:05 再開)座長 清水健男(古河電工) C-190.Pr3+添加PbF2/InF3系フッ化物ファイバを用いた高効率PDFAモジュールの作製…○西田好毅・金森照寿・大石泰丈・山田 誠・須藤昭一(NTT) C-191.Pr3+ドープIn/Ga系フッ化物ガラスファイバの増幅特性U…○石川悦子・伊東勝久・青木 宏・柳田裕昭・虎渓久良(HOYA) C-192.発振波長を1000nmにシフトさせた980nm帯LDで励起したPDFA…○一色邦彦・笹森秀人・渡辺弘光(三菱電機) C-193.半導体LD励起による+27.6dBm出力光ファイバアンプ…○田代至男・橘 広紀・藤崎 晃・大越春喜(古河電工) C-194.光ファイバ増幅器用0.98/1.55WDMモジュール…○奥田圭二・福崎郁夫・西村英一(沖電気) C-195.波長多重伝送用光ファイバ増幅器モジュール…○奥野秀樹(NEC)・板橋薫志(日電エンジニアリング)・豊原篤志・横山 純・小熊健史・竹花 吏(NEC) C-196.光増幅器用複合LDモジュール…○高瀬泰治郎・三代川純・清水健男(古河電工) C-197.多心一括融着を用いた光増幅器モジュール…○柿沼孝之・笠井 弘・式井・滋・伊藤 徹・板垣和穂(沖電気) C-198.光増幅器用小型光アイソレータモジュール…○増田昭宏・加藤隆司・油利秀明・前田育生(富士電気化学) C-199.CPU内蔵光ファイバ増幅器の開発    …○長岡征典・藤井雄一(NECエンジニアリング)・森木和也・豊原篤志・小西千隆(NEC) 9月20日  9:00〜11:50  総合教育棟C1講義室座長 堀口正治(NTT) C-200.(招待講演)光加入者システム用光モジュール…○鳥羽 弘・内田直人・福田光男・鈴木安弘・板屋義夫・加藤和利・山田泰文・堀口正治(NTT) C-201.マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装…○佐々木誠美・三浦和則・田中一弘・山本 毅・山本剛之・荻田省一・小林正宏・小林宏彦・矢野光博(富士通研) C-202.表面実装型高出力LDモジュール…○東川公和・山内賢治・蔵田和彦・後藤明生・木村直樹・石川重太(NEC) C-203.ファイバ直接結合型半導体LDモジュール…○西川 透・光田昌弘・鬼頭雅弘・宇野智昭・松井 康(松下電器) 休  憩(10:20 再開)座長 渡辺正信(電総研) C-204.モールド型平面実装LDモジュール…○中村 努・内藤勝好・寺嶌宗弘・平野貴正・有元洋志・堀田 一(沖電気) C-205.ストライプ状AuSnバンプを用いたLDアレイモジュールのセルフアライメント実装…○佐々木純一・伊藤正隆・宇田明宏・鳥飼俊敬(NEC) C-206.数百μm以下での近端反射によるLDの発振特性解析…○山口省一郎・足立明宏・渡辺弘光(三菱電機) C-207.インライン型2波長多重受光モジュール…東門元二・○宇野智昭・西川 透・松井 康(松下電器) C-208.レセプタクル形双方向波長多重光モジュールT…○小楠正大・富岡多寿子・大島 茂(東芝) C-209.光モジュール封止樹脂の光学特性…○首藤義人・佐藤弘次・福田光男・東野俊一(NTT) 9月19日  9:00〜11:30  総合教育棟C2講義室座長 三富 修(NTT) C-210.(招待講演)Ti:LiNbO3変調器,フィルタの開発…清野 實(富士通研) C-211.異常光起電力膜によるLiNbO3光導波型センサの利得安定化…加藤直彦・市川 正・○伊藤 博・元廣友美・日置辰視・野田正治(豊田中研) C-212.モードフィルタによるマッハツェンダー型光変調器の安定化…○五明博之・直江和彦・大石昭夫・井戸立身・佐野博久・田中滋久(日立) C-213.フィルム液晶を用いた導波路型光変調器…○石橋重喜・高橋和枝・鬼頭 勤・姫野 明・小林 理・小川育生・堀川浩二(NTT) 休  憩(10:20 再開)座長 宇佐見正士(KDD) C-214.(招待講演)MQW電界吸収型超高速光ゲート…○井戸立身・小泉真里・田中滋久・井上宏明(日立) C-215.電界効果を用いた2次元アレー面型光変調器…○桑村有司・岡本信治・寺本 誠・山田 実(金沢大) C-216.半導体モノリシックAdd-Drop-Multiplexer…○柴田泰夫・奥  哲・近藤康洋・玉村敏昭・永沼 充(NTT) C-217.MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ…○畠山 大・佐々木達也・小松啓郎(NEC) 9月19日  1:00〜5:25  総合教育棟C2講義室座長 保立和夫(東大) C-218.平面実装に適した面取り入射型PINフォトダイオード…○乗松正明・山本直樹・牧内正男・桜井 力・三浦和則・矢野光博(富士通研) C-219.小型2.4Gb/Sプリアンプ内蔵APDモジュール…○古川博之(富士通HDT)・島野善雄・箱木浩尚・国兼達郎(富士通) C-220.電荷蓄積動作時のAPD利得制御解…○福田篤志・竹歳和久(国士館大)・下元泰治(浜松ホトニクス) C-221.DASTによるEOS…○永妻忠夫(NTT)・滝沢孝充(NTTアドバンステクノロジ)・横尾 篤・戒能俊邦(NTT) C-222.コヒーレントOFDRにおける光周波数掃引の直線性改善…○辻 幸嗣・清水 薫・堀口常雄・小山田弥平(NTT) C-223.光波コヒーレンス関数の合成による分布型光ファイバセンサ―非理想的要因の補正による性能改善―…○才田隆志・保立和夫(東大) C-224.マルチモードレーザダイオードを用いた光ファイバマイケルソン干渉計の多重反射光の増幅…○黄 國全・木村 匡・高島 貢(東京農工大) C-225.FMCWリフレクトメトリのための半導体レーザの線形光周波数掃引―ディジタルフィルタによる実現―…○岡本卓也・能川昌久・飯山宏一・林 健一(金沢大) 休  憩(3:10 再開)座長 井上宏明(日立) C-226.最大エントロピー法を用いた高分解能FMCWリフレクトメトリ(第2報)…○飯山宏一・板倉章太郎・林 健一(金沢大) C-227.周波数変調半導体レーザを用いた微小変位測定のためのヘテロダイン干渉計測…○村上直弘・今井正明(室蘭工大) C-228.光波コヒーレンス関数の合成による画像情報の選択的な抽出―MSLM2次元光ロックインアンプを用いたシステム―…○何 祖源・奥川 徹(東大)・向坂直久(浜松ホトニクス)・保立和夫(東大) C-229.正弦波変調自己混合半導体レーザによる距離計測…○小竹佑治・古寺 博・角 正雄(千葉工大) C-230.導波路型共振方式光ジャイロにおける後方散乱誘起雑音の除去手法…○鈴木賢哉・保立和夫(東大)・瀧口浩一(NTT) C-231.位相差トラッキングにおけるオフセット補正学習方式の開発…○山元猛晴・渡辺克也・岸本 隆・守屋充郎(松下電器) C-232.光音響効果を用いた材料診断システム…○濱口幸久・内田敬久・古橋秀夫・山田 諄・比嘉俊太郎・内田悦行(愛知工大) C-233.自己混合型半導体LDVによる変位振動解析…○原 克彦・篠原茂信・池田弘明・吉田博文(静岡大)・角 正雄(千葉工大) C-234.能動光ファイバリングを用いた光トランシーバの特性評価…○佐野賢史・來住直人(電通大)・坂内正宏(NEC)・山下榮吉(電通大) 9月20日  9:00〜11:50  総合教育棟C2講義室座長 板屋義夫(NTT) C-235.(招待講演)グレーティング素子と量子井戸レーザを用いたモノリシック光集積デバイス…栖原敏明(阪大) C-236.プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討…○石坂政茂・小松啓郎・清水淳一(NEC) C-237.DFBレーザへの光注入による波長変換を用いたチャーピング抑制と変調歪補償…○東郷仁磨・若林信一(松下技研)・冨士原潔(松下電器)・豊田幸雄・武内喜則(松下技研) C-238.DBRレーザのスペクトル線幅拡大とSBS抑圧…○森  浩・尾登誠一・高橋良夫・須藤広志(アンリツ) 休  憩(10:20 再開)座長 荒井滋久(東工大) C-239.1.48μm高出力LDモジュール…○芦田 将・佐藤 力・堀内武敏・荒木幸雄(アンリツ) C-240.狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合…○天明二郎・須郷 満・西谷昭彦・玉村敏昭(NTT)・Fran●ois Bilodeau・Kenneth Hill(Canada CRC) C-241.偏波無依存LD型光スイッチモジュール…○竹下達也・吉野 薫・伊藤敏夫・Wayne W. Lui・曲 克明・鈴木安弘・永沼 充(NTT) C-242.1.3μm帯MQW半導体光増幅器…○小泉真里・井戸立身・土屋朋信・芳賀 徹・谷渡 剛・井上宏明(日立) C-243.1.55μm帯LDアンプゲートモジュール…○北村昌太郎・木村直樹・蔵田和彦・山口昌幸(NEC) C-244. 半導体MOPA-LD励起1.3 帯光ファイバ増幅器…○山田 誠(NTT)・清水 誠(NTTエレクトロニクステクノロジー)・金森照寿(NTT)・照沼幸雄(NTTエレクトロニクステクノロジー)・大石泰丈・須藤昭一(NTT) 9月20日  1:00〜5:35  総合教育棟C2講義室座長 生野浩生(熊本大) C-245.(招待講演)結合光導波路に対する結合モード理論…安元清俊(九大) C-246.A designing method of a corrugated optical waveguide filter…○Ahmed Moustafa・山田 実・山根康広(金沢大) C-247.ファイバグレーティングにおけるクラッドモード結合の数値解析…○島 研介・酒井哲弥・奥出 聡・須藤正明・和田 朗・山内良三(フジクラ) C-248.FD-BPMとFD-TDMとを結合した伝搬ビーム法による先球コアレスファイバの解析(U)…山内潤治・○西尾浩二・中野久松(法政大) C-249.FD-TD法によるノッチ付きT字形ビームスプリッタの解析(V)…山内潤治・○神原宏之・中野久松(法政大) C-250.FD-TD法によるLSIチップ内光配線の解析…○土居武司・宮崎誠一・広瀬全孝・岩田 穆(広島大) C-251.リブ導波路アレイの放射界のFD-BPM解析…山内潤治・○柄谷康治・中野久松(法政大) 休  憩(3:05 再開)座長 小柴正則(北大) C-252.Wave Digital Filter原理に基づくFD-TD法による誘電体導波路の特性解析…○中 良弘・生野浩正・矢田 粲・西本昌彦(熊本大) C-253.斜交座標を用いた広角ビーム伝搬法…○穴田哲夫・許 瑞邦(神奈川大)・T.M. Benson(ノッティンガム大)・P.C. Kendall(シェフィールド大) C-254.不均一サンプリンググリッドのための改良形差分ビーム伝搬法(U)…山内潤治・○関口 稔・柴山 純・中野久松(法政大) C-255.ステップインデックス形光導波路のための広角陽的差分ビーム伝搬法…山内潤治・○諸橋直史・西尾浩二・中野久松(法政大) C-256.フーリエ級数展開によるグレーティング付き光導波路の数値解析…○前田 洋・後藤知則・安元清俊(九大) C-257.モード変換部を有する3分岐スラブ光導波路の一構成法…小野和雄・○永野 勲・堀田昌志(愛媛大) C-258.有限要素法による微小コーナ反射鏡の反射率の解析…○鈴木耕一・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-259.新たに円柱が付加された2次元三角格子結晶のフォトニック・バンド構造…○磯崎誠史・榊原 健・小久保吉裕・河合 正・太田 勲(姫路工大) C-260.テーパ形結合器の広帯域設計…○江森芳博・水本哲弥・内藤喜之(東工大) C-261.短光パルスの波形再生法…○藤田真也・桜井孝夫(アドバンテスト研) 9月21日  10:30〜12:00  総合教育棟C2講義室座長 上西克二(東芝) C-262.パス無依存損失配置及び二重干渉計SWを用いた低損失・高消光比8×8熱光学マトリクススイッチ…○郷 隆司・姫野 明・奥野将之・高橋 浩・服部邦典(NTT) C-263.ポリマー導波路を用いたデジタル熱光学スイッチ…○大庭直樹・肥田安弘・吉村了行・渡辺俊夫・疋田 真・栗原 隆・日比野善典(NTT) C-264.複屈折素子を用いた液晶多チャンネル光スイッチ…○野口一博・川上 弥(NTT) C-265.ポリシリコンを用いた積層形偏光分離素子の層間平滑化について…○室 幸市・白石和男・菊池幸市・松村和仁(宇都宮大) C-266.a-Si:H/SiOx:Hからなる積層形偏光分離素子の作製…○杉山典三・佐藤 尚・大野 潤・川上彰二郎(東北大) C-267.TECファイバアレイにレンズフリー・アラインメントフリー一括集積した光アイソレータ…○笠原亮一・佐藤 尚・孫  鈞・川上彰二郎(東北大) 9月21日  1:00〜5:35  総合教育棟C2講義室座長 川井義雄(沖電気) C-268.(招待講演)アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況…○佐々木達也・竹内 剛・牧田紀久夫・田口剣申・小松啓郎(NEC) C-269.PLCプラットフォームを使用した10Gbit/s級ハイブリッド集積光送信サブモジュール…○大山貴晴・美野真司・赤堀裕二・柳澤雅弘・橋本俊和・山田泰文・板屋義夫(NTT) C-270.PLCプラットフォームを用いた10Gb/sハイブリッド集積光送受信モジュール…○赤堀裕二・美野真司・大山貴晴・山田泰文・柳沢雅弘(NTT) C-271.石英系PLCとLiNbO3導波路のハイブリッド集積法の検討…○石井元速・日比野善典・塙 文明・姫野 明(NTT)・鬼頭 勤(NTTエレクトロニクステクノロジー) C-272.偏波無依存EA変調器モジュール…○峯尾尚之・山田光志・坂井俊二・牛窪 孝(沖電気) C-273.10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール…○山口昌幸・森江正夫・向原一誠・杉山優子・清水淳一・長谷川芳弘・高野信司・小松啓郎(NEC) C-274.石英系PLCへの面型PDアレイ実装…○照井 博・下小園真・柳澤雅弘・橋本俊和・山田泰文(NTT) C-275.高NA非球面モールド型アレイレンズ…○足立明宏・渡辺弘光・前川滋樹(三菱電機) 休  憩(3:20 再開)座長 山口昌幸(NEC) C-276.微細光ビームを用いたアクティブアライメント型ボード間光インタコネクションの検討…○山本 剛・平林克彦・日野滋樹(NTT) C-277.集積化光インタコネクション用CMOS受光アンプ…○岡田克美・永田 真・岩田 穆(広島大) C-278.面発光レーザ(VCSEL)リンクモジュールのパッシブアライメント実装…○山田みつき・梶田幹浩・小坂英男・杉本喜正(NEC) C-279.面発光レーザ(VCSEL)リンクモジュールの高速変調特性…○梶田幹浩・山田みつき・小坂英男・杉本喜正(NEC) C-280.1.3μm帯狭出射ビームスーパールミネッセンスダイオード…○岡本 浩・和田正人・界 義久・川口悦弘・近藤康洋・門田好晃・岸 健志・板屋義夫(NTT) C-281.偏光解消型SLDモジュール…○小野 純・村上清一(アンリツ) C-282.光通信用UV接着剤の耐久性…○村田則夫(NTT)・村越 裕(NTTアドバンステクノロジ) C-283.導波路型WDMにおける誘電体多層膜フィルタ接着部の信頼性…西尾友幸・石神良明・○寺岡達夫・塩田恒夫(日立電線)・金谷達憲(日立) C-284.光・電子部品用エポキシ樹脂の開発…村田則夫・○丸野 透(NTT) C―4. レーザ・量子エレクトロニクス      9月18日  9:00〜12:05  総合教育棟C5講義室座長 中沢正隆(NTT) C-285.(招待講演)波長多重光ソリトン伝送…長谷川 晃(阪大) C-286.40Gbit/s WDM(10Gbit/s×4波)-10,000kmソリトン伝送…○鈴木和宣・山田英一・木村康郎・中沢正隆(NTT) C-287.スライディング周波数制御を用いた2×10GHz波長多重光ソリトン周回伝送実験…○戸田裕之・大谷篤志・長谷川 晃(阪大) C-288.ガイディングセンターソリトン理論に基づく周期的分散補償光ソリトン伝送系の解析…○丸田章博・長谷川 晃(阪大) C-289.偏波モード分散によるソリトンエネルギーの減衰…○赤木泰章・松本正行・長谷川 晃(阪大) 休  憩(10:35 再開)座長 長谷川 晃(阪大) C-290.分散アロケート(D-A)ソリトンによるパワーマージンの増大…○中沢正隆・久保田寛和・佐原明夫(NTT) C-291.光伝送特性を評価するためのQマップ法の提案―ソリトン・NRZ・零分散におけるRZパルスの比較―…○佐原明夫・久保田寛和・中沢正隆(NTT) C-292.分散アロケート(D-A)ソリトンを用いた1.3μm SMファイバ伝送路の大容量化…○久保田寛和・佐原明夫・中沢正隆(NTT) C-293.ピコ秒ソリトンの伝送可能領域の検討…○下浦一宏・金岡泰弘・青海恵之(関西電力) C-294.2台のEA変調器と分散減少ファイバによる光パルス圧縮の検討…○金岡泰弘・下浦一宏・青海恵之(関西電力) C-295.極超短ダークソリトンのNLCM法による計算機シミュレーション…阿部宏尹(龍谷大) 9月19日  9:00〜12:05  総合教育棟C5講義室座長 魚見和久(日立) C-296.SMT光モジュールの自動組立ライン開発…○佐野芳樹・塚目政勝・山内賢治・佐藤靖彦・栗原 充(NEC) C-297.単一横モードの観点から比較した順メサと逆メサのブロック層構造    …○住吉謙吾・小久保吉裕・河合 正・太田 勲(姫路工大) C-298.(招待講演)スポットサイズ変換レーザ…○板屋義夫・東盛裕一・和田正人・深野秀樹・山本●夫・鳥羽 弘(NTT) C-299.各種スポット変換LD(SS-LD)の結合特性の3-D BPMによる比較…○河野健治・神徳正樹・東盛裕一・岡本 浩・和田正人・三富 修・界 義久・板屋義夫・永沼 充(NTT) C-300.水平テーパー活性層型スポット径拡大レーザに関する検討…○細井洋治・有元洋志・鹿島保昌・的場昭大・高野 紘・内藤勝好(沖電気) 休  憩(10:35 再開)座長 水戸郁夫(NEC) C-301.高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ…○石川 務・小林宏彦・竹内辰也・渡辺孝幸・山本剛之・藤井卓也・荻田省一・小林正宏(富士通研) C-302.高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討…○山本剛之・小林宏彦・石川 務・竹内辰也・渡辺孝幸・藤井卓也・荻田省一・小林正宏(富士通研) C-303.石英導波路に作製したUV誘起グレーティングとスポットサイズ変換LDを用いたハイブリッド集積レーザ…○田中拓也・高橋 浩・小熊 学・橋本俊和・日比野善典・山田泰文・板屋義夫(NTT) C-304.テーパ活性ストライプを有する1.3μm帯狭放射角レーザ    …○稲葉雄一・鬼頭雅弘・西川 透・石野正人・松井 康(松下電器) C-305.バットジョイント構造を有するスポットサイズ変換レーザの発振スペクトル特性の検討…○黒崎武志・東盛裕一・笠谷和生・三冨 修・界 義久・和田正人・岡本 浩・岡本 稔・須崎泰正(NTT) C-306.スポットサイズ変換LDの近端戻り光雑音特性…○界 義久・黒崎武志・和田正人・岡本 浩・東盛裕一・鳥羽 弘(NTT) 9月19日  1:10〜5:00  総合教育棟C5講義室座長 中野義昭(東大) C-307.(招待講演)波長可変半導体レーザ…石井啓之(NTT) C-308.(招待講演)電界吸収型光変調器集積化DFBレーザ…小滝裕二(富士通研) C-309.EA変調器のWDM光源への応用に関する検討…○遠山政樹・船水将久・平山雄三(東芝) C-310.MOVPE選択成長を用いたEA-変調器集積波長可変DBRレーザ…加藤幸雄・山田光志・○国井達夫・小川 洋(沖電気) C-311.電界吸収型光変調器集積DFBレーザにおける前端面光反射の伝送特性に与える影響…○青木雅博・高嶋重弘・藤原祥隆・青木 聡(日立) 休  憩(2:55 再開)座長 八坂 洋(NTT) C-312.(招待講演)光アクセスネットワーク用半導体レーザ…○魚見和久・茅根直樹(日立) C-313.回折格子の精密制御EB描画によるWDM用異波長DFB-LDの一括形成…○山崎裕幸・工藤耕治・佐々木達也(NEC)・林 國人・大井英之(クレステック)・山口昌幸(NEC) C-314.重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御…○室谷義治・鈴木尚文・奥田哲朗・山田博仁・鳥飼俊敬(NEC) C-315.DFBレーザの結合係数自動抽出プログラム…○名倉 徹・佐藤健二(東大)・Geert Morthier・Roel Baets(ゲント大)・中野義昭・多田邦雄(東大) C-316.(招待講演)有機X族を用いた高均一長波長半導体レーザ…○鳥飼俊敬・中村隆宏・山田博仁(NEC) C-317.指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性…○佐川みすず・平本清久・豊中隆司・紀川 健・藤崎寿美子・魚見和久(日立) C-318.1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送…○古嶋裕司・佐々木善浩・杉山優子・清水淳一・村上智樹・蓮見秀世(NEC) 9月20日  9:00〜12:05  総合教育棟C5講義室座長 河口仁司(山形大) C-319.(招待講演)面発光レーザの新展開…伊賀健一(東工大) C-320.酸化膜閉じ込め構造面発光レーザの単一モード条件…○ハンス ビセシュール・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-321.(311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性…○高橋光男(ATR)・渡辺敏英(NHK)・向原智一(古河電工)・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-322.1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計…○宮本智之・高田 剛・竹内寛爾・小山二三夫・伊賀健一(東工大) C-323.低次元量子井戸半導体レーザにおけるフォトンリサイクリング効果…○モティ マダンラシュ・荒井滋久・芹澤直樹・田村宗久(東工大) 休  憩(10:35 再開)座長 吉国裕三(NTT) C-324.半導体レーザの変調2次歪の発生機構…○山田博仁・奥田哲朗・鳥飼俊敬(NEC) C-325.1.5μm帯LDアンプの非線形利得の波長依存性…○宇佐見正士・鶴沢宗文・松島裕一(KDD) C-326.活性層光混合法におけるLD変調周波数特性の注入光波長依存性…○後藤了祐・森 正和・後藤俊夫(名大)・宮内 彰(富士通) C-327.エタロン対を用いた半導体レーザの周波数安定化…○酒巻秀行・榛葉 寶(東京電機大)・佐藤 孝(新潟大) C-328.半導体レーザ発振周波数安定化における微小変調と符号誤り率の関係…○佐々木健一・榛葉 寶(東京電機大) C-329.短い光ファイバ遅延線を用いた半導体レーザのスペクトル線幅測定…○野村忠和・今井正明(室蘭工大) 9月20日  1:10〜4:35  総合教育棟C5講義室座長 小滝裕二(富士通研) C-330.加入者系用低暗電流メサ型超格子APD…○渡邊 功・辻 正芳・林 雅子・牧田紀久夫・田口剣申(NEC) C-331.アイセーフ波長帯レーザ計測用InAlGaAs/InAlAs超格子APD…○林 雅子・渡邊 功・辻 正芳・牧田紀久夫・田口剣申・山片茂樹(NEC)・蘆立修一・大島正明(東京電力) C-332.InGaAs/InPアナログPDモジュールの開発…○工原美樹・藤村 康・石黒正人・稲野 滋・秋田 治・寺内 均・山林直之(住友電工) C-333.高効率,低暗電流導波路型受光素子    …○西片一昭・平岩浩二・清水 均・岩井則広・山中信充・入川理徳・粕川秋彦(古河電工) C-334.表面実装向けInGaAlAs導波路型PIN-PDの高効率・高信頼化…○宍倉正人・中村 均・松岡康信・田中滋久(日立)・小野綱男(日立デバイス)・宮崎隆雄・辻 伸二(日立) C-335.深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオードの低電圧化…○加藤和利・幸前篤郎・湯田正宏・村本好史・野口一人・中島長明(NTT) C-336.低電圧光ハイブリッド実装用高効率導波路型フォトダイオード…○村本好史・加藤和利・幸前篤郎・植木峰雄・野口一人・赤津祐史・中島長明(NTT) 休  憩(3:05 再開)座長 山田 実(金沢大) C-337.光ファイバグレーティングを用いた波長可変Qスイッチレーザ…○今井健之・小向哲郎・中沢正隆(NTT) C-338.光強度に依存する位相整合条件を考慮した高効率四光波混合…○山本貴司・今井健之・中沢正隆(NTT) C-339.光パラメトリック発振器を用いたスクイズド状態の発生…菊池和朗・○山下真司・加藤一弘(東大) C-340.一様強度分布のレーザ光によるフォトリフラクティブ結晶からの位相共役波の発生…○守部義一・阿河大輔・松原三人(日大) C-341.レーザ内部第二高調波発生における変換効率飽和による雑音増大…○前田謙治・沼田拓也・小越澄雄(東京理科大) C-342.光注入による2モードHeNeレーザの偏光スイッチング…○久保田宗親・大田建久・一井麻理子・一ノ瀬琢美(同志社大) C―5. 機構デバイス      9月20日  9:00〜11:10  総合教育棟B6講義室座長 渡辺克忠(工学院大) C-343.投影処理法による摺動コンタクト表面の損傷解析について…○伊與田正徳・金沢宮孝・谷口正成・赤崎 勇(名城大)・高木 相(日大) C-344.電流通電時の摺動コンタクトの接触抵抗とその材質との相関に関する実験的検討…○金沢宮孝・谷口正成・赤崎 勇(名城大)・高木 相(日大) C-345.2台の分光器によるアーク光の分光測定―AgCdO12%のスペクトル強度変化―    …○吉田 清・福地一博・高橋篤夫(日本工大) C-346.輝度変換処理による光ファイバのスペックルノイズパターン計測…○佐藤昌治・金沢宮孝・谷口正成・赤崎 勇(名城大)・高木 相(日大) 休  憩(10:10 再開)座長 安田圭一(NTT) C-347.複数個の電磁継電器を実装したプリント配線図の音響ノイズ放射特性…○上田 誠・土屋 隆・谷口正成・赤崎 勇(名城大)・高木 相(日大) C-348.ピンボードマトリクススイッチの低漏話化…稲垣秀一郎(NTT) C-349.ユニット間高速電気ケーブルインタコネクションの検討…○中村正人・杉浦伸明(NTT) C-350.密閉筐体と開放型筐体の冷却性能の比較…岩田敏行(NTT) C―6. 電子部品・材料      9月18日  1:00〜4:55  総合教育棟C4講義室座長 星 陽一(東京工芸大) C-351.マイクロ磁気デバイスのためのNi-Fe磁性薄膜の作製…○小沢 武・馬場康壽・栗原幸男・根岸 靖(神奈川産業技術総合研究所) C-352.Li 2次電池用Mn酸化物薄膜の生成…○以西雅章・山口克馬(静岡大)・伊藤泰充・藤安 洋(スズキ) C-353.GaAs薄膜の構造と移動度…○竹本益生・竹歳和久(国士舘大)・下元泰治(浜松ホトニクス) C-354.減圧熱CVD法によるZnS膜の成膜温度依存性…○榊原 努・桑原忠之・近藤真樹・遠山 桂・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) C-355.RFスパッタによるZnS/p-Si接合の特異なC-V特性に関する一検討…○橿渕祐介・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) C-356.Al/Y2O3/ZnS(Sm,F)/Al/Y2O3/SnOx積層構造の初期Q-V特性…○平手孝士・高橋瑞樹・佐藤知正(神奈川大) C-357.ZnSe薄膜への塩素による不純物添加…○松井雅広・海野倫宏・伊東一臣・小橋忠雄(足利工大) C-358.赤発色ジアゾニウム塩の開発と光定着型記録媒体への応用…小谷野武・海部勝晶・○中川二三男・岩渕俊之・曽根貞雄・木村晴雄(沖電気) 休  憩(3:10 再開)座長 佐々木公洋(金沢大) C-359.対向ターゲット式超高真空スパッタ装置を用いたAg薄膜初期成長過程の検討    …○石原一騎・川畑州一・星 陽一(東京工芸大) C-360.CB-紫外線硬化樹脂系抵抗体の研究…○鈴木史人・金子郁夫(武蔵工大) C-361.粒子配向Bi4Ti3O12セラミックスの強誘電性疲労…○相川瑞佳・荘司和男・上原康男(足利工大) C-362.PbnBi4Tin+3O3n+12セラミックスの電気的・機械的特性…○酒井友治・荘司和男・上原康男(足利工大) C-363.圧電バイモルフの電気的共振周波数制御法…○水野卓也(日本特殊陶業)・藤田孝之・リチャード ケニー・前中一介・前田宗雄(姫路工大) C-364.無線アンテナにおけるはっ水性塗料の着雪防止効果…○高井健一・斎藤博之・山内五郎・長谷川正巳・工藤文仁(NTT) C-365.ホログラム回折格子の作製とその回折効率に関する基礎的検討…○伊藤健一・土屋 隆・谷口正成・赤普@勇(名城大)・沖 允人(足利工大)・燒リ 相(日大) 9月19日  9:00〜11:40  総合教育棟C4講義室座長 恒次秀起(NTT) C-366.SAW発振子におけるフラックスレス半田接続に関する一検討    …○中村禎志・安藤大蔵・大石邦彦・梅田真司(松下電子部品) C-367.Au-Al固相拡散フリップチップ実装における接合信頼性に関する一考察    …○森 三樹・福田由美・木崎幸男・飯田敦子(東芝) C-368.CSP実装技術…○佐藤知稔・頼 明照・貫井 孝・山地泰久(シャープ) C-369.高信頼性CSPの開発―プラスチックパッケージ技術(W/B,トランスファーモールド)の活用…○曽田義樹・宮田浩司・山地泰久・並井厚也・木村公士・藤田和弥・嘉田守宏(シャープ) C-370.プラスチックパッケージにおけるワイヤ流れ支配要因の研究…○●原忠史・幸 幹雄・大野恭秀(熊本大) 休  憩(10:25 再開)座長 金森孝史(沖電気) C-371.BGA半田バンプの3次元非線形解析…○櫻井雅也・相川 保・藤田義昭(沖電気)・佐久田博司(青学大) C-372.フェースアップ型PBGAパッケージの放熱特性…○海津勝美・金子保夫・小池真司・岸本 亨(NTT) C-373.2.4Gb/s光送受信回路用マルチチップモジュールの開発…○煖エ和史・財津武央(NEC)・早坂英輝(日電宮城)・池内隆雄・渡辺昭子(NEC) C-374.光通信システム用超高速ICに適した新しいモジュール構造…○山口 聡・今井祐記(NTT) C-375.高速高密度コネクタの等価回路モデル…○正岡 靖・渕田裕美・吉原邦夫(東芝) C―7. 磁気記録      9月18日  10:00〜11:45  総合教育棟C2講義室座長 山本 学(NTT) C-376.光磁気ディスクにおける下位互換とオーバーライト技術…○戸田 剛・石丸誠彦・賀来敏光・前田武志・重松和男(日立) C-377.光磁気ディスクにおける微小マークの高精度形成の検討…○嵯峨秀樹・助田裕史(日立) C-378.光磁気記録再生系における新規PRML検出の検討…○沼田富行・藤原恒夫・石井光夫・山口 毅・倉田幸夫(シャープ) C-379.光記録再生系における位相誤差検出器の検討…○藤原恒夫・沼田富行・石井光夫・山口 毅・倉田幸夫(シャープ) C-380.2再生信号の位相一致検出方法…○安齋秀一・田中邦麿・玉置亮太郎(帝京平成大)・西沢●夫(シバソク) C-381.再生光フィルタリングによるクロストーク低減法…○土橋寿昇・田辺隆也(NTT) C-382.液晶シャッタ方式互換ピックアップを用いたDVD/CDディスク判別の検討…○多田浩一・高木直之・土屋洋一・梶山清治・加納康行・市浦秀一(三洋電機) 9月18日  1:00〜5:30  総合教育棟C2講義室座長 杉田龍二(松下電器) C-383.薄膜磁気記録媒体の記録感度に磁気粘性が及ぼす影響…○伊藤研也・山中一助(日立) C-384.狭ギャップMIGヘッドとCo-Cr単層膜垂直記録媒体によるGbit/inch2記録…○梁瀬 智・本多直樹・大内一弘(秋田県高度技術研) C-385.蒸着Co/Pd人工格子垂直2層媒体の記録特性とノイズ特性    …○木谷貴則・呉 連軍・本多直樹・大内一弘(秋田県高度技術研) C-386.コンタクト記録におけるヘッド先端形状の検討…○白藤幸喜・村岡裕明・中村慶久(東北大) C-387.垂直磁気記録における非線形転移点シフト…○村岡裕明・中村慶久(東北大) 休  憩(2:25 再開)座長 田中陽一郎(東芝) C-388.磁気記録ニューロ弁別におけるランダム雑音エラーレートについての考察…○吉沢 滋・木下裕一郎・種市修浩・加藤貴文・降旗浩司(拓殖大) C-389.磁気記録ニューロ弁別における雑音波形の部分変化の影響…○木下裕一郎・吉澤 滋・種市修浩・加藤貴文・降旗浩司・芹沢由之(拓殖大) C-390.磁気記録ニューロ弁別における1ビット波形の極小分割の検討…○加藤貴文・吉澤 滋・木下裕一郎・種市修浩・降旗浩司(拓殖大) C-391.磁気記録ニューロ弁別における二次微分波弁別特性…○降旗浩司・吉澤 滋・木下裕一郎・種市修浩・加藤貴文・芳賀 薫(拓殖大) C-392.EPR4対応セットパーティション符号の検討(その1)…A. Kaznetsov・○梅本益雄(日立) C-393.PRML方式におけるMRヘッド非線形性補正の検討…○西田靖孝・澤口秀樹(日立) 休  憩(4:15 再開)座長 梅本益雄(日立) C-394.高密度記録用8-16変調方式の検討…○真島恵吾・小川正一郎・上原年博・大島英男(NHK) C-395.高密度ディジタル磁気記録のための2次元PRMLに関する一検討…○山本泰彦・石井直人・河野隆二(横浜国大) C-396.ISIキャンセラを備えたPRML方式の誤り率特性改善…岡本好弘・○宮下晴旬・斎藤秀俊・大沢 寿(愛媛大) C-397.遺伝的アルゴリズムによる不等間隔トランスバーサルフィルタの最適タップ配置…大沢 寿・○森山 裕・岡本好弘・斎藤秀俊(愛媛大) C-398.MRヘッド非線形歪に対するニューラルネットワーク等化の一検討…大沢 寿・○若宮幸平・岡本好弘・斎藤秀俊(愛媛大) C―8. 超伝導エレクトロニクス      9月20日  10:00〜12:00  総合教育棟B7講義室座長 田原修一(NEC) C-399.S-C-S系におけるサブギャップ構造の温度依存性…○笹沼拓也・斉藤 敦・後藤浩治・鈴木清修・中瀬太郎・濱崎勝義(長岡技科大) C-400.超伝導体―constrictions―超伝導体デバイスにおけるテレグラフノイズ…○関谷一成・姉崎 聡・後藤浩治・斉藤 敦・濱崎勝義(長岡技科大) C-401.超伝導マイクロストリップ線路端部のデバイス特性に及ぼす影響…○都築玄一・鈴木正信・榊原伸義・上野祥樹(移動体通信先端技術研究所) 休  憩(11:00 再開)座長 浜撫沂`(長岡技科大) C-402.高電流密度ジョセフソン接合のVm値の解析的表現…○水柿義直・中島康治(東北大) C-403.論理ゲートとしての4接合結合型SQUIDの特性評価…○古田 太・松本昇司・赤池宏之・藤巻 朗・早川尚夫(名大) C-404.ジョセフソン256ワード16ビットRAMの設計…○永沢秀一・沼田秀昭・田原修一(NEC) C-405.超伝導データ交換スイッチの基本動作実験…○萬 伸一・橋本義仁・沼田秀昭・小池雅志・田原修一(NEC) C―9. 電子ディスプレイ      9月20日  1:00〜3:00  総合教育棟B7講義室座長 内田龍男(東北大) C-406.V-Q Lissajous図形を用いたac-PDPの放電計測…○民田太一郎・岩田明彦・田中正明(三菱電機) C-407.ac-PDPにおけるプライミングと画像応答速度…○橋本 隆・角田義一・岩田明彦・田中正明(三菱電機) C-408.PDPの動画偽輪郭低減に関する一検討…渡辺尚友・○鈴木●輝・南 浩次・山崎辰男(三菱電機) C-409.基板・ネマティック相・等方相共存状態における接触角の測定…○川村忠史・内田龍男(東北大) C-410.3.3V256階調TFT-LCDドライバ…○四柳道夫・加藤文彦・石田昌己・北村謙太郎・斉藤 正(NEC) C-411.フルカラーTFT-LCDドライバ用8ビットDAC…○石田昌己・加藤文彦・四柳道夫・北村謙太郎・斉藤 正(NEC) C-412.マルチスキャン対応poly-Si TFT駆動回路内蔵2.7型131万画素液晶ライトバルブ…○浅田秀樹・平田和美・小澤一徳・中村健一・田邊 浩・世良賢二・浜田耕治(NEC) C-413.光散乱型空間光変調素子を用いた投写型ディスプレイ…○河北真宏・菊池 宏・藤井孝憲・藤掛英夫・滝沢國治(NHK) C―10. 電子デバイス      9月18日  10:30〜11:55  総合教育棟B7講義室座長 上田大助(松下電子) C-414.(招待講演)プラズマ窒化によるGaAs絶縁膜形成…○生駒英明・中村隆一・原 章雄(東京理科大) C-415.22GHz帯高出力AlGaAs/InGaAs HJFET…○三浦郁雄・岡本康宏・松永高治・葛原正明(NEC) C-416.0.18μm WSi AlGaAs/InGaAs HJFETによるミリ波帯MMIC技術…○宇野沢浩精・横井正幸・松村隆男(NEC) C-417.Ni MH電池1本で動作するPDC用パワーヘテロ接合FET…○山口佳子・岩田直高・葛原正明(NEC) C-418.ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET    …○岩田直高・富田正俊・山口佳子・及川洋一・葛原正明(NEC)      9月18日  1:00〜4:50  総合教育棟B7講義室座長 葛原正明(NEC) C-419.(招待講演)インジウムリン系材料への新しいゲート技術…○長谷川英機・橋詰 保・鈴木 敏(北大) C-420.Ptショットキゲート高電流InP MESFET…○尾藤康則・岩田直高・葛原正明(NEC) C-421.低歪みPower BP-MESFET…○伊藤正紀・須藤和雄・齋藤 正・伊東昌章・中村 浩・猪口和之(沖電気) C-422.HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール…○吉田直人・片山秀昭・井上 晃・林 一夫・中本隆博・浅田智之・●女 豊・谷野憲之・山内眞英(三菱電機) C-423.1.9GHz帯低歪みGaAsパワーアンプIC…及川隆一・高橋 潔・○上村和義(NEC) C-424.自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET…正戸宏幸・西辻 充・森本 滋・井上 薫・○太田順道(松下電子) C-425.1.9GHz小型GaAs MMICアンテナスイッチ…○安村文次・藤岡 徹・佐藤好三・武藤 晃・佐々木健次(日立) 休  憩(3:05 再開)座長 日向文明(NTT) C-426.1.9GHz帯GaAs共振型SPDTスイッチIC…○亀山 敦・川久克江・池田佳子・長岡正見・石田賢二・内富直隆(東芝) C-427.エミッタ電極からの熱伝導を利用したAlGaAs/GaAsパワーHBTの特性…○小野村純子・杉山 亨・本郷禎人・森塚宏平(東芝) C-428.InGaP/GaAs HBTの線形性に対するソースインピーダンスの影響…○小原史朗・山田 浩・岩井大介・山口泰弘・今西健治・常信和清(富士通研) C-429.ゲートバイアス印加時における高周波FETのゲート伝送線路モデル…○秦 克範・藤原誠司・Richard Kenny・前中一介・前田宗雄(姫路工大) C-430.パルスRF/パルスW測定を用いたGaAs FET評価…○松林弘人・井上 晃・中島康晴・高木 直(三菱電機) C-431.HJFET非対称埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション…○能米雅信・大野泰夫(NEC) C-432.変位電流動作型雷サージ防護素子…○佐藤秀隆・井鍋泰宣・下田義雄(NTT) 9月19日  9:20〜11:55  総合教育棟B7講義室座長 田上知紀(日立) C-433.(招待講演)超高速ディジタルIC用InP系HEMT…○榎木孝知・楳田洋太郎・石井康信(NTT) C-434.波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性…○楳田洋太郎・長船一雄・尾辻泰一・榎木孝知・石井康信(NTT) C-435.ゲート接地型トランスファゲートを用いた新構造フリップフロップの動作特性の検討…○山田浩幸・関 昇平(沖電気) C-436.GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発…○平間哲也・東坂範雄・太田 彰・日坂隆行・島田征明・大村隆司・高木 直(三菱電機) 休  憩(10:40 再開)座長 赤木順子(東芝) C-437.InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUXモジュール…○尾辻泰一・米山幹夫・今井祐記・山口 聡・榎木孝知・楳田洋太郎・佐野栄一(NTT) C-438.AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC…○宮下美代・吉田直人・小島善樹・北野俊明・東坂範雄・中川潤一・高木 直(三菱電機) C-439.超高速GaAs加算回路の待機時消費電力除去技術…○廣部厚紀・榎本忠儀(中大) C-440.動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討…○山本和也・前村公正・井上 晃・笠井信之・高木 直(三菱電機) C-441.低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路…○原田直樹・山口正臣・粟野祐二・彦坂康己・横山直樹(富士通) 9月19日  1:00〜2:15  総合教育棟B7講義室座長 榎本忠儀(中大) C-442.InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC…○佐野栄一・米山幹夫・山幡章司・松岡 裕(NTT) C-443.温度補償定電流源回路―10Gb/s光通信用スライサ増幅器への応用―…○西野 章・小林信夫・佐藤秀暁・大室和彦・牛窪 孝(沖電気) C-444.(招待講演)超高速シリコンLSIの課題と展望…○栗栖正和・古川昭雄・田代 勉(NEC) C-445.充放電電流を補償した高速エミッタホロワの評価…○中川敏郎・国田謙二・本間紀之(法政大)・上川井良太郎(日本女子大)・後藤英一(理研,神奈川大) 9月19日  9:40〜11:55  総合教育棟B8講義室座長 野崎真次(電通大) C-446.(招待講演)InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術…○粟野祐二・佐久間芳樹・杉山芳弘(富士通)・関口隆史(東北大)・武藤俊一(北大)・横山直樹(富士通) C-447.対称矩形三重障壁構造における共鳴トンネル現象…○青山敏則・山本弘明・谷口慶治(福井大) C-448.深い井戸を有する対称矩形四重障壁構造における共鳴トンネル現象…○栗田 晃・蟹江洋二(シャープ)・山本弘明(福井大) C-449.N重複合障壁構造における共鳴トンネル現象…○趙 旭東・山本弘明・谷口慶治(福井大) 休  憩(11:00 再開)座長 黒田 滋(富士通研) C-450.(招待講演)シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス…○浅田雅洋・渡辺正裕・齋藤 渉・森  郁・河野義史(東工大) C-451.リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測…○石黒仁揮・平本俊郎・藤井呂如・更屋拓哉・橋口 原(東大)・生駒俊明(テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター) C-452.直列接続共鳴トンネル素子のスイッチング制御に基づく機能可変論理ゲート…K.J. Chen・和保孝夫・○前澤宏一・山本眞史(NTT) C―11. シリコン材料・デバイス      9月18日  1:00〜5:15  総合教育棟B8講義室座長 徳光永輔(東工大)      [高性能デバイス・プロセスC453〜C460] C-453.XPSによるサブミクロンCuビアホールのクリーニング方法の解析…○上野和良(NEC)・V.M. ドネリー(ルーセントテクノロジーズ・ベル研)・土屋泰章・吉川公磨(NEC) C-454.SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法    …○渡辺重佳・布施常明・大脇幸人・寺内 衛・吉見 信・大内和則(東芝) C-455.微細MOSデバイスにおけるオーバーラップ容量の影響…○籾山陽一・杉井寿博(富士通研) C-456.256MDRAM用シリンダー型セルの開発…○水谷和宏・姉崎 徹・兒嶋秀之・河野通有・荏本省二・江間泰示・石井祐樹(富士通) C-457.Bi CMOS回路用低電圧動作BJTの検討…○● 躍生・浅野種正(九工大) C-458.12-ps ECL自己整合金属/IDP Siバイポーラ技術…○鷲尾勝由・大植栄司(日立)・田辺正倫(日立デバイス)・尾内享裕(日立) C-459.瞬間気相拡散法によりベースを形成したSiバイポーラトランジスタの試作と評価…○大植栄司・清田幸弘・尾内享裕(日立)・田邊正倫(日立デバイス)・鷲尾勝由(日立) C-460.高速PNPトランジスタ…松木純一・石井正樹(日電山形)・加藤 博(NEC)・○高野 勇(日電山形)・小瀬 泰(NEC) 休  憩(3:30 再開)座長 渡辺重佳(東芝)      [高耐圧デバイスC461〜C462] C-461.コレクタショート層導入によるSOI横型IGBTの耐圧特性改善…○澄田仁志・平林温夫(富士電機) C-462.車載用バッテリ逆接続保護内蔵インテリジェントパワーMOSFETの提案…○坂本光造・渕上伸隆(日立超LSIエンジニアリング)・高川恭一・大高成雄(日立)      [シミュレーション・評価技術C463〜C467] C-463.n形シリコン中鉄関連欠陥の導入と回復…○田中秀司・北川 興(福岡工大) C-464.デバイスシミュレーションの陽解法:3次元定常問題および2次元非定常問題    …○倉田 衛(東芝リサーチ)・中村 慎(東芝) C-465.EB部分一括露光マスクにおける電子散乱…○山下 浩・野村英一・依馬貴弘・野末 寛(NEC) C-466.PMOSFETのSiO2-Si界面における燐のパイルアップモデル…○青木隆宏(NTT)・赤澤正道(北大)・田澤 聡(NTT) C-467.TCADフレームワークの開発…○為ヶ谷幸夫・金子浩勝・森 岳志・太田敏行(NEC) C―12. 集積回路A      9月19日  9:00〜11:55  総合教育棟C3講義室座長 笠井良太(NTT) C-468.ハイブリッドGAによるCADレイアウトとDUT配線パターン観測画像とのパターンマッチング…○福留康和・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-469.レイアウトCADの素子抽出機能を用いたサブストレート基板抵抗綱モデルの抽出…○木村智寿・奥村万規子(東芝) C-470.集積回路内の近接型配線における3次元容量のモデル化…○三堂哲寿・浅田邦博(東大) C-471.集積回路の平行する伝送線路における遅延を考慮した断面形状の最適化…○浅田邦博・三堂哲寿(東大) C-472.保護導体を用いた伝送線の改良…○国田謙二・中川敏郎・本間紀之(法政大)・上川井良太郎(日本女子大)・後藤英一(理研,神奈川大) 休  憩(10:25 再開)座長 渡辺恭志(シャープ) C-473.DUT配線パターン光学顕微鏡観測画像からの知識ベース構築による回路抽出…○大西篤志・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-474.放熱構造を考慮した三次元メモリモジュールの熱解析…○三窪和幸・仙波直治・北城 栄(NEC) C-475.放熱フィン付配列パッケージの熱流体解析モデル簡易化の検討…○北城 栄・三窪和幸(NEC) C-476.ラッチ型センスアンプのCPL回路への応用…○山下高廣・浅田邦博(東大) C-477.LOC構造のCSPにおける樹脂特性と反り量の関係…幡野和久・○竹谷則明・安田 朋・米本隆治・吉岡 修・村上 元(日立電線) C-478.両面配線TABテープの微細ビアホール加工技術…○亀山康晴・岡部則夫・多賀勝俊(日立電線) 9月19日  1:00〜4:55  総合教育棟C3講義室座長 後藤源助(富士通研) C-479.(招待講演)クォータミクロン時代のEBテスティング…○久慈憲夫・竹田忠雄(NTT) C-480.EB故障診断のためのTrレベル回路データからの知識処理による高位回路記述システム…○中田恭彦・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-481.EBテストシステムVLSI故障追跡支援のためのレイアウトからのスケマティック自動生成…○松原 豊・三浦克介・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-482.フルスキャンテスト対応のIddq故障解析システム…○丹野雅明・久慈憲夫・小峰行雄・寺元光生・竹田忠雄(NTT) C-483.バウンダリスキャン回路生成の一手法…○鮫島康則・深沢友雄(NTT) C-484.ASIC内メモリブロックのテストプログラム自動生成技術…○石原隆子・武谷 健(NTT) C-485.LSI生産システムにおけるファイナルテスト工程の評価(U)…○東吾紀男・中前幸治・藤岡 弘(阪大) 休  憩(3:10 再開)座長 増田英司(東芝) C-486.超LSI生産システムファイナルテスト工程のロット処理優先規則スケジューリングの評価…○近村晶央・中前幸治・藤岡 弘(阪大) C-487.浮動小数点乗算器の実時間速度テスト方式…○萩原靖彦・乾 重人・岡本冬樹・西田政人・中村俊彦・山田八郎(NEC) C-488.超高密度Si接合技術によるマイクロプロセッサの欠陥救済方法…○宇佐美光雄・徳田正秀・田勢 隆・河野顕臣・堀野正也・佐々木康彦(日立) C-489.赤外線画像にニューラルネットワークを適用したボードの故障診断の一試み…○西野 聰・大嶋建次(小山高専) C-490.Iddq異常現象を用いた,CAD利用によるCMOS論理回路の故障診断方式…真田 克(NEC) C-491.BCCの開発…○迫田英治・辻 和人・米田義之・織茂政一・埜本隆司・小野寺正徳・河西純一(富士通) C-492.銅コアボールを用いた多層プラスチックBGA…阿部光夫・宮本 浩・岡田 晃・浅田憲治・南澤正榮・久保田義浩・○浜野寿夫(富士通) C―12. 集積回路B      9月18日  9:00〜11:55  総合教育棟C3講義室座長 末吉敏則(九工大) C-493.(招待講演)FPGAによるシステム設計と先進的応用の現状と展望…末吉敏則(九工大) C-494.ファームウェア開発用仮想LSIにおけるUNIXシステムコールの仮想化…○遠藤 真・岩崎裕江・長沼次郎(NTT) C-495.オンチップリアルタイムOS構成法の検討…○岩崎裕江・長沼次郎・遠藤 真(NTT) C-496.MPEG2多重/分離LSIのリアルタイムファームウェア構成法…○長沼次郎・遠藤 真(NTT) 休  憩(10:25 再開)座長 徳田 健(三菱電機) C-497.290MFLOPSベクトルパイプラインプロセッサ…○乾 重人・萩原靖彦・岡本冬樹・西田政人・中村俊彦・山田八郎(NEC) C-498.32ビットRISC CPUコアを内蔵した通信用ASICの開発…○内海功朗・小久保朝生・井上浩一・渋谷貴利・今関將市・五十嵐正寛・竹之下博士・羽田芳仁(沖電気) C-499.CS-ACELPをDSPで処理するときの実行サイクル削減案…○山中隆太朗・南田智昭・瀧 秀士(松下通信) C-500.適応増殖型量子化ニューロLSIの開発…○山本 明・福田 大・崎山史朗・中平博幸・丸山征克(松下電器) C-501.ビットレベルパイプライン手法を用いたディジタルニューロチップの最小化…○入田隆宏・帆足克己・藤島 実・鳳紘一郎(東大) C-502.MTCMOS技術による低電圧/低電力ディジタル信号処理プロセッサの設計…○武藤伸一郎・重松智志・松谷康之(NTT) 9月18日  1:00〜4:40  総合教育棟C3講義室座長 曽根田光生(ソニー) C-503.多段バレルシフタに基づく高並列剰余数演算回路の設計…○島袋勝彦・瑞慶覧長定(琉球大) C-504.同期式完了予測型加算器…○李 知漠・浅田邦博(東大) C-505.乗算器の高速化設計に関する一考察…○田中 靖・齊藤 剛・Alberto Palacios(桐横大) C-506.画像処理に適した汎用プロセッサ用演演器の一検討…○井上俊明・山田八郎(NEC) C-507.クロックによる2回アクセスのアキミュレータを用いた2次元IDCTマクロセル…○寺澤敏弘・千葉明彦・渡辺●規(東芝マイクロエレクトロニクス)・原 浩幸(東芝)・松田光司(東芝マイクロエレクトロニクス) C-508.スタックMUX設計における問題点…○須長英男・田中正行(富士通ディジタル・テクノロジ) 休  憩(2:40 再開)座長 青野邦年(松下電器) C-509.10Gb/s 16:1 MUX/1:16 DMUX ICの開発…○渡辺圭紀(日立)・金山正文・篠原 隆(日立超LSIエンジニアリング)・河葺a弘・土濃塚太郎(日立) C-510.低重心コーディングによるLSIインターフェースのノイズ半減化…○中村和之(NEC)・M. Horowitz(スタンフォード大) C-511.疑似差動インパルス伝送による低電力高速CMOSインタフェース回路…○野河正史・大友祐輔・井野正行(NTT) C-512.LVTTLコンパチブルCMOS/SIMOX出力回路…○大友祐輔・小松徹郎・野河正史(NTT) C-513.0.5V MTCMOS/SIMOX回路…○道関隆国・原田 充・土屋敏章(NTT) C-514.超低消費電力ADCL回路…○池上 光・高橋一清・王 碩玉・水沼 充(山形大) C-515.エンベデッドプロセッサを用いた低電圧LSI用パワーマネージメント手法…○重松智志・武藤伸一郎・松谷康之(NTT) C-516.デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVtCMOS技術…○水野正之・古田浩一朗・成田 智・安彦 仁・酒井勲美・山品正勝(NEC) C―12. 集積回路C      9月21日  1:00〜5:10  総合教育棟C3講義室座長 松澤 昭(松下電器) C-517.3.3V動作2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC…○早田征明・手塚 宏・石川 肇・江村克己(NEC) C-518.2.4Gb/s広ダイナミックレンジプリアンプICの開発…○荒木良浩(NEC)・久保 哲(日電アイシーマイコンシステム)・池内隆雄・岡村敏之・筑間直行・都筑織衞(NEC) C-519.2.4Gb/s光受信用低消費電力ICの開発…○岡本 稔・篠塚利幸・内田宏章・菊池 衛(日電エンジニアリング)・早坂英輝(宮城日電)・都筑織衞・荒木良浩・池内隆雄(NEC) C-520.2.4Gb/s光送信用低消費電力ICの開発…○大木敦博・沼田圭市・朔晦正志・財津武央・中林昌彦・岡村敏之・池内隆雄(NEC) C-521.2.4Gb/s識別再生・タイミング抽出PLL-IC…○広瀬正樹・石原 昇・市野晴彦・赤沢幸雄・小原 仁(NTT) C-522.10Gb/s EA変調器駆動IC…○山本雅彦・纐纈達也・福井宗利・諏訪元大・石川恭輔・村田 淳(日立)・新井 満(日立超LSIエンジニアリング) C-523.3.3V,50MHz帯域高感度CMOSプリアンプIC…中村 誠・石原 昇・赤沢幸雄(NTT)・○松山 哲・高氏敏行(富士通HDT)・早川敦史(富士通VLSI)・上野典夫(富士通) C-524.放射線検出器用CMOS電荷感応型アンプIC…○足立 晋・徳田 敏・佐藤敏幸・石田進一郎・喜利元貞(島津製作所) 休  憩(3:10 再開)座長 岡崎孝男(日立) C-525.浮動回路節点を持つスイッチトキャパシタオールパスフィルタの一検討    …○後藤俊晴・高橋一清・王 碩玉・水沼 充(山形大) C-526.カウンタ方式PWM信号メモリ回路…○野間舞蝠縺E永田 真・岩田 穆(広島大) C-527.高精度PWM信号アナログ並列加算回路…○船越 純・永田 真・岩田 穆(広島大) C-528.νMOS多入力多数決回路の歩留まり予測…○池辺将之・雨宮好仁(北大) C-529.ノーリンギング アナログ フロントエンドLSI…小高利彦・中村徳雄・○上原啓靖(沖電気) C-530.νMOS論理回路の低電力化…○本間久仁彦・柴田直人・雨宮好仁(北大) C-531.画像圧縮イメージセンサのためのアナログDCT演算回路の検討…○坂井丈泰・永井宏昌・松本 隆(早大) C-532.オンチップインダクタを用いた低歪みダウンミキサ回路…○小紫浩史・佐々木なぎさ・佐藤久恭・益子耕一郎(三菱電機) C―12. 集積回路D      9月20日  9:00〜12:05  総合教育棟C3講義室座長 沼田健二(東芝) C-533.強誘電体メモリにおけるプレートパルス駆動読出方式…○浅利康二・平野博茂・本多利行・角 辰己(松下電子) C-534.強誘電体メモリ読出動作におけるワード線電圧の影響…○平野博茂・浅利康二・極多利行・角 辰己(松下電子) C-535.画像処理用1トランジスタセル4値ユニバーサルリテラル連想メモリ…○羽生貴弘・新垣 学・亀山充隆(東北大) C-536.1V動作ステップダウン昇圧ワード線方式…○森村浩季・柴田信太郎(NTT) C-537.6トランジスタSRAMセルの電気的設計の一指針…市川 勉(ソニー) C-538.Super-CMOS SRAMにおけるアクセス解析…○長岡英昭・小猿邦彦・木下 淳・和田知久・有田 豊(三菱電機) 休  憩(10:40 再開)座長 松田吉雄(三菱電機) C-539.(招待講演)超低電圧DRAMの技術動向…有本和民(三菱電機) C-540.DRAMにおけるチップサイズ縮小時のFMM方式の検討…○杉林直彦・宇津木智・成竹功夫・室谷樹徳(NEC) C-541.CMOSチャージポンプ回路の動作特性…○齋藤晋一・鈴木八十二・吉田正廣・寺本三雄(東海大) C-542.SSTL-3インタフェースによる信号入力特性の改善…○荒木岳史・岩本 久・澤田誠二・谷村政明(三菱電機)・村井泰光(三菱電機エンジニアリング)・小西康弘・熊野谷正樹(三菱電機) C-543.1V動作電荷再利用形入出力バッファ…○柴田信太郎・渡辺まゆみ・森村浩李(NTT) C―13. 有機エレクトロニクス      9月20日  9:00〜11:55  総合教育棟C4講義室座長 岩本光正(東工大) C-544.ラングミュア膜分子の揺動運動解析…○木村尚仁(北海道工大)・荒磯恒久(北大) C-545.イオン化蒸着重合法によるポリ尿素薄膜の配向制御    …○菊池布美子・田中邦明・臼井博明・渡邊敏行・宮田清藏(東京農工大)・Harald Bock・Wolfgang Knoll(マックスプランク高分子研究所) C-546.イオン化蒸着法によるビニル系重合膜の作製…○小坂篤司・田中邦明・臼井博明(東京農工大) C-547.ポリピロール繊維の伸縮性…小野田光宣・中山博史(姫路工大)・○南波成道(東芝) C-548.フレキシブルマルチモードポリマー導波路…○疋田 真・金子明正・今村三郎(NTT) C-549.電子線描画ポリイミド光導波路の特性…○丸野 透・阪田知巳・佐々木重邦・石井哲好・玉村敏明(NTT) 休  憩(10:40 再開)座長 丸野 透(NTT) C-550.酸化剤,モノマー均一系溶液によるポリアニリン固体電解コンデンサの電解質形成…○屋ヶ田弘志・石川仁志・天野公輔・佐藤正春・長谷川悦雄(NEC) C-551.電荷移動錯体による新型電界効果素子の作製…白鳥靖人・○住本 勉・飯塚正明・国吉繁一・工藤一浩・田中國昭(千葉大) C-552.導電性高分子を用いた電界発光素子の電流注入機構…○藤田大輔・松吉将司・小野田光宣・中山博史(姫路工大) C-553.多色発光有機EL素子の発光機構…多田典生・○吉田正義・藤井彰彦・大森 裕・吉野勝美(阪大) C-554.色素ドープポリ(3-アルキルチオフェン)ELダイオードの発光特性…弘中康久・吉田正義・多田典生・藤井彰彦・○大森 裕・吉野勝美(阪大) シンポジウム講演 SC―1. エキゾチックマテリアル(キラル,オメガ,bi-isotropic,bi-anisotropic,プラズマ,超伝導,非線形媒質など)と電磁界      9月19日  9:25〜11:30  総合教育棟B6講義室座長 橋本正弘(阪電通大) SC- 1- 1.Chiral,Omega,Bi-Isotropic Bi-Anisotropic媒質とこれらの媒質からなる導波路の有限要素法解析…○丸山眞示・小柴正則(北大) SC- 1- 2.層状1軸キラルスラブの反射および透過特性…○楠 敦志・田中 充(大分大) SC- 1- 3.ロケット・衛星観測による地上局電波の球面波full wave解析…長野 勇(金沢大) SC- 1- 4.光機能性導波路における光モードと多重電磁波との非線形相互作用…宮崎保光(豊橋技科大) SC- 1- 5.凝縮節点ベクトルポテンシャル空間回路網における媒質条件の取り扱い…吉田則信(北大) SC―2. ワイヤレス通信を支える高周波帯デバイスの最新技術動向      9月19日  9:00〜12:10  総合教育棟D10講義室座長 村口正弘(NTT) SC- 2- 1.IF帯リミッタ増幅器の一構成法…○林  等・村口正弘(NTT) SC- 2- 2.移動通信用低雑音GaAsモノリシック増幅器の小型化…長谷英一(日立) SC- 2- 3.Si 3次元MMIC…○豊田一彦・徳満恒雄・山口 力・平野 真・西川健二郎・鴨川健司(NTT) SC- 2- 4.Si基板上の受動素子のモデリング…○藤本竜一(東芝)・高橋慎一(長岡技科大)・高橋 誓・谷本 洋(東芝) SC- 2- 5.デジタルセルラー無線用小型SAW分波器モジュール…○柴垣信彦・崎山和之(日立)・住岡淳司(日立電子)・疋田光孝(日立) 休  憩(10:50 再開)座長 大久保尚史(富士通研) SC- 2- 6.900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション…○松野典朗・矢野仁之・鈴木康之・井上壽明・戸田 鉄・小瀬 泰・本城和彦(NEC) SC- 2- 7.単一電源動作高出力GaAs E/DデュアルゲートHEMT…○谷本琢磨・大部 功・河合秋絵・工藤 真・田中 聡・中村 徹(日立) SC- 2- 8.超小形高調波抑圧型1.9GHz線形電力増幅器モジュール…○加屋野博幸・尾林秀一・前田忠彦・鈴木康夫(東芝) SC- 2- 9.単層アルミナ薄膜基板を用いた1.5GHz帯ディジタル携帯電話用パワーアンプモジュール…○市岡俊彦・根本正久・寺田 智・関 昇平(沖電気) SC―3. 光波・マイクロ波融合デバイス/回路技術      9月19日  9:00〜12:30  総合教育棟C1講義室座長 小川博世(NTT) SC- 3- 1.(招待講演)周波数開放形無線ハイウェイネットワーク…○小牧省三・塚本勝俊・岡田 実(阪大) SC- 3- 2.(招待講演)マイクロ波フォトニックスの話題…米山 務(東北大) SC- 3- 3.光照射MESFETを用いたHMIC発振器の光パルス変調…○塩見英久(東海大)・米山幹夫・柴田随道・佐野栄一(NTT)・川部ノ男(東海大) SC- 3- 4.光・マイクロ波融合回路を用いた光空間信号処理マルチビーム受信アンテナ…○柴田 治・稲垣恵三・●  宇・唐沢好男(ATR) 休  憩(10:50 再開)座長 永沼 充(NTT) SC- 3- 5.2次元アレー励振を可能にするスラブ導波路構造光BFNの提案…○小川育生・堀川浩二(NTT)・鬼頭 勤(NTTエレクトロニクステクノロジー)・小川博世・姫野 明(NTT) SC- 3- 6.A Wide-band Ti:LiNbO3 Optical Modulator with improved Microwave Reflections…○マダブシ ランガラージュ・北村光弘(NEC) SC- 3- 7.偏光無依存化Ti:LiNbO3高速光スイッチの検討…○土居正治・谷口眞司・清野 實(富士通研) SC- 3- 8.高速・低駆動電圧MQW光変調器を用いた低デューティ光パルス発生実験…○大柴小枝子・中村幸治・堀川英明(沖電気) SC―4. フェムト秒テクノロジー      9月18日  1:00〜5:45  総合教育棟C5講義室座長 佐々木孝友(阪大) SC- 4- 1.(招待講演)超短パルス高輝度レーザー装置T6の開発…○阪部周二・上山宏樹・浦野 徹・久下智之・井澤靖和(阪大) SC- 4- 2.(招待講演)フェムト秒レーザーアブレーション…緑川克美(理研) SC- 4- 3.(招待講演)フェムト秒レーザーによる導波路形成…○平尾一之(京大)・三浦清貴・Kenneth M. Davis(新技術事業団) SC- 4- 4.(招待講演)超高速短光パルスの発生と通信への応用…猿渡正俊(NTT) SC- 4- 5.(招待講演)超短光パルス測定…神谷武志(東大) 休  憩(3:15 再開)座長 伊賀健一(東工大) SC- 4- 6.波長1.5μmにおける750fs,10GHz再生モード同期ファイバレーザ…○吉田英二・中沢正隆(NTT) SC- 4- 7.フェムト秒ファイバレーザからの10GHz-16チャンネルWDMパルス発生…○田村公一・吉田英二・中沢正隆(NTT) SC- 4- 8.フェムト秒非線形ループミラーを用いたテラビット光信号のDEMUX…○山田英一・鈴木和宣・中沢正隆(NTT) SC- 4- 9.面発光半導体レーザの超高速偏光双安定動作…河口仁司(山形大) SC- 4-10.量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調…○浅野 卓・野田 進(京大)・佐々木昭夫(京大,現阪電通大)・鈴木敏司,三露常男・西 和久・大山秀明・冨増多喜夫(自由電子レーザ研究所) SC- 4-11.電気光学サンプリング法によるフェムト秒電気信号の評価…○板谷太郎・中川 格(電総研) SC―5. 電気・光インターコネクション・コネクタ      9月19日  1:00〜5:20  総合教育棟B6講義室座長 小松耕哉(NEC) SC- 5- 1.小形光アクティブコネクタの開発…○佐々木伸一・田中伸幸・安東泰博・山口 悟・安田圭一(NTT) SC- 5- 2.光並列伝送…○中谷 晋・山口尊士(沖電気) SC- 5- 3.高速10チャネル集積化光インタコネクト用受信モジュール…○深代康之(日立)・荒川文彦(日立デバイス)・金子 聡・大石昭夫・花谷昌一(日立) SC- 5- 4.200Mbit/s/ch×12ch光インタコネクト送受信モジュール…○三浦 篤・高井厚志・刀祢平高一郎・近藤知信・花谷昌一・入江裕紀・金子 聡(日立) SC- 5- 5.面発光レーザ(VCSEL)リンクモジュールの開発…○小坂英男・梶田幹浩・山田みつき・杉本喜正・蔵田和彦・田辺 尚・粕川泰彦(NEC) 休  憩(3:15 再開)座長 安東泰博(NTT) SC- 5- 6.先球ファイバによる光結合系の設計…○木村直樹・本望 宏・蔵田和彦・秋山 修(NEC) SC- 5- 7.電気光混載配線板上における受光素子搭載技術―微小ミラー部品を用いた光結合構造の検討―…○碓氷光男・小池真司・高原秀行・松井伸介・恒次秀起・桂 浩輔(NTT) SC- 5- 8.高密度実装用MU形簡易光レセプタクルの設計と特性…○岩野真一・長瀬 亮・小林 勝・本多竜二・三田地成幸・中西 功(NTT) SC- 5- 9.N×M高周波インタコネクションの構成法と要素技術…○石塚文則・久々津直哉・岩崎 登・安東泰博・大平 孝(NTT) SC- 5-10.マルチインタフェース収容実装構成の検討…○杉浦伸明・中村正人・岡崎勝彦(NTT) SC―6. 新しい電子部品・材料用薄膜技術の動向      9月18日  10:00〜12:05  総合教育棟C4講義室座長 花房廣明(NTT) SC- 6- 1.ポリマー系PTC組成体を用いた3216サイズのチップ型過電流保護素子…○上野 彰・菅谷昭一・山内のりか・古瀧賢一(大東通信機) SC- 6- 2.イオンビームスパッタ法における反跳アルゴンとスパッタ粒子の鉄薄膜特性に及ぼす影響…○岩坪 聡(富山県工技センター)・高橋隆一(富山大) SC- 6- 3.対向ターゲット式スパッタ法によるDLC薄膜の作製…○星 陽一・神戸明宏・鈴木英佐(東京工芸大) SC- 6- 4.新しいスパッタ堆積モードによるPZT薄膜の低温作製…○佐々木公洋・張 威暁・畑 朋延(金沢大) SC- 6- 5.Au/ZnS(Sm, F)/P-Si構造の電気的特性における不純物軽減の効果…○細野浩司・佐藤達也・松井賢造・佐藤知正・平手孝士(神奈川大) SC―9. 量子効果デバイスのための回路アーキテクチャ      9月19日  2:30〜5:20  総合教育棟B7講義室座長 雨宮好仁(北大) SC- 9- 1.(招待講演)量子効果と回路システムを結びつけるには―研究のスタンスと電子波デバイス―…古屋一仁(東工大) SC- 9- 2.単電子エレクトロニクスによる情報処理回路…○谷口研二・桐原正治(阪大) SC- 9- 3.直列接続の共鳴トンネルデバイスを用いた量子機能回路…○山本眞史・前澤宏一・和保孝夫・Kevin Jing Chen(NTT) 休  憩(4:05 再開)座長 大野泰夫(NEC) SC- 9- 4.量子セルオートマトンによる論理回路の動作可能性…○赤澤正道・雨宮好仁(北大) SC- 9- 5.RHETおよびマルチエミッタ型RHETを用いた論理回路…○熬テ 求・横山直樹(富士通) SC- 9- 6.量子ドットを用いた光入出力素子…○野本和正・宇賀神隆一・鈴木寿一・平 健一・長谷伊知郎(ソニー) SC―10. フラッシュ/強誘電体メモリー技術      9月18日  9:00〜12:05  総合教育棟B8講義室座長 大路 譲(日立) SC-10- 1.高信頼性酸化窒化膜のフラッシュメモリトンネル膜への適用…○荒川富行・松本良一(沖電気) SC-10- 2.フラッシュメモリ保持信頼性とフローティングゲート/トンネル酸化膜界面…○村松 諭・安藤公一・久保田大志(NEC) SC-10- 3.PchセルによるDINORフラッシュメモリのスケーラビリティの向上…○高田 裕・大中道崇浩・林 清志・坂本 治・小野田宏・味香夏夫・須賀原和之・畑中正宏・佐藤真一(三菱電機) 休  憩(10:25 再開) SC-10- 4.Shallow Trench Isolationを用いた高密度・多値NANDフラッシュメモリ…○有留誠一・竹内祐司・佐藤信司・渡部 浩・清水和裕(東芝)・Gertjan Hemink(Philips)・白田理一郎(東芝) SC-10- 5.4kbit強誘電体メモリ搭載マイコン…○川原昭文・福島哲之(松下電子)・難波 剛(松下電器)・松本政彦・西本敏夫・十代勇治・中熊哲治・有田浩二(松下電子)・高橋信一(PSDC)・池田信行(松下電子) SC-10- 6.フラッシュ連想メモリ(Flash CAM)検索センスアンプの開発…○三輪 達・山田八郎・広田義則・佐藤敏哉・原 英樹(NEC) SC-10- 7.2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路…○佐伯俊一(日立デバイス)・城野雄介・河原尊之・宮本直樹・木村勝高(日立) SC―13. 高速LSIにおけるクロック技術      9月20日  1:00〜4:55  総合教育棟C3講義室座長 中山貴司(NEC) SC-13- 1.高性能マイクロプロセッサを実現するクロック分配技術…○鈴木一正・山品正勝・泉川正則・野村昌弘・井倉裕之・杉山幸範・神津信一・佐藤一暁(NEC) SC-13- 2.バランスド・メッシュ法によるクロックスキュー低減化法…○佐藤秀則・小野沢晃・松田宏朗・笠井良太(NTT) SC-13- 3.LSI内のクロック分配CAD技術…○南 文裕・高野みどり(東芝) SC-13- 4.高速PLL/DLLの技術動向…○谷口研二・中司賢一(九大)・白濱弘幸(広島市立大) SC-13- 5.バースト伝送用156Mbps CMOSタイミング抽出回路…○中村 誠・石原 昇・赤沢幸雄(NTT) 休  憩(3:15 再開)座長 市野晴彦(NTT) SC-13- 6.チップ間信号伝送技術…田口眞男(富士通) SC-13- 7.低電力バイポーラクロック分配回路構成の一検討…○岸根桂路・市野晴彦(NTT) SC-13- 8.ダイナミック回路による低消費電力位相周波数比較器の検討…○吉澤弘泰・谷口研二・中司賢一(九大) SC-13- 9.プロセスばらつきに対して低ジッタを達成するオートロック回路を用いたPLL…○霜田招史・ユージン オサリバン・川口 学(NEC) SC-13-10.HDLによる1次DPLLの設計法の検討…○福本直也・中司賢一・谷口研二(九大) SC-13-11.バックボード同期伝送用DPLLの開発…○馬場光男・青木 泰(NEC) SC―14. 有機薄膜・超薄膜の物性評価とデバイス応用      9月20日  1:25〜3:30  総合教育棟C4講義室座長 工藤一浩(千葉大) SC-14- 1.チオフェンオリゴマー薄膜の作製と導波路デバイスへの適用…○蔵田哲之・深田千恵・浜野浩司・角田 誠(三菱電機) SC-14- 2.導電性高分子の分子セルフアセンブリ…○小野田光宣(姫路工大)・吉野勝美(阪大) SC-14- 3.有機EL素子におけるキャリアトランスポート過程評価…○大森 裕・弘中康久・吉田正義・多田典生・藤井彰彦・吉野勝美(阪大) (2:40 開始)座長 大森 裕(阪大) SC-14- 4.変位電流法による物質表面の有機分子膜の電子物性評価…○岩本光正・久保田徹(東工大) SC-14- 5.電界効果測定による機能性有機蒸着膜のその場電気物性評価…○工藤一浩・住本 勉・国吉繁一・田中國昭(千葉大)  ソサイエティ特別企画  プレナリーセッション      9月21日  9:00〜10:15  総合教育棟C1講義室司会 石原 宏(東工大)       ソサイエティ会長挨拶…伊賀健一(東工大)       1996年度ソサイエティ活動について…永沼 充(NTT)       プレナリー講演「21世紀へ向けてのシリコン集積エレクトロニクスの課題」…大見忠弘(東北大) ES―1. マイクロ波シミュレータの将来像―新しい回路および電磁界シミュレータ―      9月20日  1:30〜5:00  総合教育棟C1講義室座長 石川容平(村田製作所) ES-1-1.3次元マスタスライス型MMIC技術を用いた将来CAD…○豊田一彦・徳満恒雄・相川正義(NTT) ES-1-2.マイクロ波シミュレータに対する規範問題の効果に関する検討…崎山一幸(松下電器) ES-1-3.規範問題モデルとしての平面伝送線路構造の提案…中嶋政幸(トキメック) ES-1-4.マイクロ波回路の合理的解析法・合成法をめざして…許 瑞邦(神奈川大) ES-1-5.電磁界シミュレータの課題…橋本 修(青学大) ES-1-6.マイクロ波回路シミュレータを用いた解析結果…○礒田陽次・伊藤康之・伊東健治(三菱電機) 休  憩(15分)       討  論(65分) ES―2. 有機表示用材料・デバイス      9月19日  1:00〜4:10  総合教育棟C1講義室座長 大森 裕(阪大)・工藤一浩(千葉大) ES-2-1.広視野角LCD…○鈴木成嘉・鈴木照晃・住吉 研(NEC) ES-2-2.フッ素系液晶化合物について…杉森 滋(富山高専) ES-2-3.V字型応答を示す「反強誘電性液晶」の挙動…服部由香里(三井石油化学) 休  憩(15分) ES-2-4.有機EL素子の研究動向…○大森 裕・吉野勝美(阪大) ES-2-5.イオン化蒸着による有機薄膜構造制御とEL素子への応用…臼井博明(東京農工大) ES-2-6.色素ドープしたAlq3系有機発光素子の電気・発光特性…○森 竜雄・水谷照吉(名大) ES-2-7.色素をドープした有機EL素子における高効率化と長寿命化…○西尾佳高・佐野健志・藤井祐行・浜田祐次・柴田賢一(三洋電機) ES―3. シリコン知能集積エレクトロニクス―新しいパラダイムのコンピューティングハードウェアを求めて―      9月21日  10:20〜6:00  総合教育棟C1講義室座長 石原 宏(東工大)・亀山充隆(東北大)      午前の部(10:20〜12:20) ES-3-1.階層的障害物表現に基づく高安全自動車用VLSIプロセッサの構成…○亀山充隆・張山昌論(東北大) ES-3-2.ハードウェア論理とプログラム処理の統合的記述とその実現法…○許  炎・岩田 誠・滝根哲哉・寺田浩詔(阪大) ES-3-3.新機能デバイスを利用した高集積システム設計技術…○安浦寛人・池兼次郎・廣瀬 啓(九大)      午後の部(2:00〜6:00) ES-3-4.強誘電体ゲートFETの作製とニューロン回路への応用…○石原 宏・徳光永輔(東工大) ES-3-5.高機能シリコンヘテロ構造材料の開発…白木靖寛(東大) ES-3-6.励起状態活用によるシリコンヘテロ界面制御―酸素活性種を用いた極薄SiO2膜の形成―…○松波弘之・冬木 隆(京大) ES-3-7.オートマトンのツリー構造による画像信号の選択的読み出し手法とその応用…○浅田邦博・秋田純一(東大) ES-3-8.イメージセンサ上での動画像圧縮…○相澤清晴・江木雄一郎・浜本隆之・元木顕弘・羽鳥光俊(東大)・丸山裕孝・阿部正英(NHK) パネル討論 PC―1. 総合技術として見た光実装の革新はどうあるべきか?      9月20日  1:00〜4:00  総合教育棟B10講義室座長 中島啓幾(早大) PC-1.パネル討論「総合技術として見た光実装の革新はどうあるべきか?」…○中島啓幾(早大)・永沼 充(NTT) PC-1-1.はじめに:議論の導入と各パネラーへの要請[予稿なし]…永沼 充(NTT) PC-1-2.アライメント技術の現状と将来[予稿なし]…伊藤正隆(NEC) PC-1-3.ハイブリッド集積の現状と将来[予稿なし]…山田泰文(NTT) PC-1-4.半導体レーザの現状と将来[予稿なし]…辻 伸二(日立) PC-1-5.装置・電子回路からみた問題点[予稿なし]…山下治雄(富士通研) PC-1-6.システム・方式からの期待と現実[予稿なし]…柴田 宣(NTT) 休  憩(10分)       パネル討論(60分)司会 中島啓幾(早大) PC―2. 衛星搭載マイクロ波機器の技術動向      9月20日  1:20〜5:30  総合教育棟D4講義室座長 大平 孝(NTT) PC-2-1.衛星搭載マイクロ波機器の概要…大平 孝(NTT) PC-2-2.NASDAにおける衛星搭載マイクロ波機器の開発…○高畑博樹・若林裕之・粟沢 晃・北原弘志(NASDA) PC-2-3.衛星搭載大型アンテナ技術の動向と展望…角田博明(ASC) PC-2-4.次世代移動体通信用マルチビームアンテナ給電系技術…庄木裕樹(東芝) 休  憩(10分) PC-2-5.衛星搭載用固体増幅器の技術動向…志垣雅文(富士通) PC-2-6.衛星搭載電力増幅器の非線形補償方式とその改善効果…佐藤軍吉(KDD) PC-2-7.商用衛星搭載マイクロ波機器の技術動向…黒須孝一(NEC) PC-2-8.衛星搭載用デジタルビームフォーミング技術…千葉 勇(三菱電機) PC―3. マイクロ波・ミリ波電力合成の現状と動向      9月19日  9:30〜11:30  総合教育棟B10講義室座長 野木茂次(岡山大) PC-3-1.衛星通信および衛星放送におけるマイクロ波電力合成…山口 進(NEC) PC-3-2.ミリ波モノリシック電力増幅器における電力合成技術…尾崎寿一(東芝) PC-3-3.アクティブフェーズドアレーアンテナ…小西善彦(三菱電機) PC-3-4.アクティブ集積アンテナアレイによる空間電力合成…川崎繁男(東海大) PC-3-5.準光学的共振器を用いたミリ波・サブミリ波帯電力合成型発振器…○● 鐘石・水野皓司(東北大)       全体討論(60分) PC―4. 各種マイクロ波ミリ波デバイスの特徴と適材適所設計・応用(予稿なし)      9月20日  9:00〜12:00  総合教育棟B10講義室座長 本城和彦(NEC) PC-4-1.フリップチップ実装技術によるマイクロ波/ミリ波IC…佐川守一(松下技研) PC-4-2.GaAs/Siミックスソリューション…野口 務(NEC) PC-4-3.MMIC/スーパーMIC/MICの組み合せによる高付加価値化…伊藤康之(三菱電機) PC-4-4.Siマイクロ波パワーデバイスの動向…吉田 功(日立) 休  憩(15分) PC-4-5.化合物FET系高出力デバイスの現状と課題…尾崎寿一(東芝) PC-4-6.化合物バイポーラ系高出力デバイスの現状と課題…田中慎一(NEC) PC-4-7.GaAs/SiマスタスライスMMIC…徳満恒雄(NTT) チュートリアル講演^M ^M TC―1. 次世代高品位ディスプレイの現状      9月20日  9:00〜12:00  総合教育棟B1講義室座長 内池平樹(広島大)・中嶋秀樹(NTT) TC-1-1.総論―マルチメディア時代の高品位ディスプレイ技術―…安部正幸(富士通研) TC-1-2.半導体技術から見たTFT-LCDの将来像…松村英樹(北陸先端大) TC-1-3.反射型TFI-LCDの今後の展開…関 秀廣(八戸工大) TC-1-4.投写型ディスプレイの現状と将来…横澤美紀(東京情報大) TC-1-5.ELの高性能化への今後の展開…南 内嗣(金沢工大)