招待論文
負性抵抗デバイスの新時代―共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開―
前澤宏一 …………………………………………………………………295
論文
〔レーザ・量子エレクトロニクス〕
パラメトリック下方変換光子対を用いた1550 nm帯単一光子発生
行方直人 森 茂彦 本谷将之 平野圭一 井上修一郎 …………303
〔光エレクトロニクス〕
相互利得変調波長変換器のカスケード型光信号再生器の入力ダイナミックレンジに関する研究
武田秀和 植之原裕行 …………………………………………………314
〔半導体材料・デバイス〕
GaAsMESFETにおける相互コンダクタンスとドレーンコンダクタンス周波数分散の解析
蓮見由美子 大島 勉 松永信敏 古寺 博 ………………………321
〔集積エレクトロニクス〕
ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価と考察
山田 浩 …………………………………………………………………329
レター
強反転領域におけるSGTの移動度増加
坂本 渉 羽田秀生 桜庭 弘 中村広記 舛岡富士雄 …………338
導電性高分子における非線形光電導の電界効果
田中大志 西原雄祐 藤井彰彦 尾崎雅則
オイゲン フランケビッチ 吉野勝美 ………………………………340
レター著者紹介…………………………………………………………………342
ショートノート
並列計算による三次元時間領域光散乱体光学パラメータ推定の高速化
大友 隆 石川拓臣 市坪公太 谷藤忠敏 …………………………344
英文論文誌紹介(IEICE Transactions on Electronics)…348
複写される方へ… 351
NEWS LETTER… 後付