ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集の発行にあたって
吉田貞史………………………………………………………………………………………333
招待論文
昇華法によるSiCバルク単結晶成長―数値解析の活用―
西澤伸一 加藤智久 木藤泰男 廣瀬富佐雄 小柳直樹 山口博隆 荒井和雄
…………334
パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展
木本恒暢 松波弘之 ……………………………………………………………………………342
縦型ホットウォール炉における低マイクロパイプ密度・厚膜4H-SiCエピタキシャル成長
土田秀一 鎌田功穂 和泉俊介 俵 武志 泉 邦和 ………………………………………350
SiCデバイスのオーミックコンタクト形成技術
谷本 智 桐谷範彦 星 正勝 大串秀世 荒井和雄 ………………………………………359
SiCのMOS界面制御技術
矢野裕司 ………………………………………………………………………………………368
超低損失SiCパワーデバイスのハイブリッド電気自動車用パワーモジュールへの応用展開
ラジェシュ クマール マルハン ………………………………………………………………376
SiC高周波MESFETの開発
新井 学 本田弘毅 小野修一 沢崎浩史 尾形 誠 ………………………………………386
高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FETの現状と展望
葛原正明 安藤裕二 井上 隆 岡本康宏 笠原健資 中山達峰 宮本広信
……………396
リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
佐野芳明 海部勝晶 見田充郎 山田朋幸 槇田毅彦 鷺森友彦 大来英之 石川博康 江川孝志 神保孝志
……404
ハイパワーAlGaN/GaN HFET
吉田清輝 …………………………………………………………………………………………412
水素終端表面伝導層を用いた高周波ダイヤモンドFET
梅沢 仁 石坂博明 宮本真吾 宋 光燮 立木 実 川原田洋 ……………………………419
特集論文
炭化ケイ素基板上に成長させた1200。Cドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果
吉川正人 石田夕起 直本 保 土方泰斗 伊藤久義 奥村 元 高橋徹夫 土田秀一 吉田貞史
……426
p型不純物イオン注入による4H?SiC高耐圧pn接合ダイオード
根来佑樹 木本恒暢 松波弘之 ………………………………………………………………434
論 文
〔マイクロ波，ミリ波〕
折返し形コムラインフィルタの特性解析……吉田賢太郎 北村敏明 下代雅啓 石崎俊雄
……442
〔電子材料〕
低損失高誘電率磁性体に関する研究
北原直人 水本哲弥 ………………………………………………………………………………450
〔半導体材料・デバイス〕
極薄シリコン酸化膜におけるPre-Breakdown現象のキャリヤセパレーション法による解析
宇野重康 石田明寛 鎌倉良成 谷口研二 ………………………………………………………457
〔電子ディスプレイ〕
ネマティック液晶を配向させる延伸多孔質ポリマ膜の作製
久保木昌史 藤掛英夫 村重 毅 佐藤弘人 藤崎好英 河北真宏 菊池 宏 栗田泰市郎 佐藤史郎
……467
レター論文
共振器混在型BPFを用いたプレーナ型アンテナ共用器に関する基礎的検討
大野貴信 和田光司 橋本 修 ……………………………………………………………………474
横方向電界印加型多重量子井戸からのテラヘルツ波発生
諸橋 功 小森和弘 板谷太郎 志村 恒 日高建彦 渡辺正信 池田博一 辻倉伸弥 山本正美 岡本恭典
……476
プラスマイナス高電圧を発生する高効率基板制御型チャージポンプ回路
山添孝徳 ………………………………………………………………………………………………478
シリコン上へのジルコニウム酸窒化薄膜の形成と誘電特性
鳥居雅俊 齋藤洋司 ……………………………………………………………………………………480
レター論文著者紹介…………………………………………………………………………………… 482
レター
異周期ドメイン反転構造を縦続接続した電気光学ディジタル偏向器の印加電界に対する偏向特性
小柳幸次郎 ………………………………………………………………………………………………484
英文論文誌紹介（IEICE Transactions on Electronics）………………………………………………488
複写される方へ…………………………………………………………………………………………… 490
NEWS LETTER ……………………………………………………………………………………… 後付