集積化配線技術論文特集 ====================== ■ 集積化配線技術論文特集の発行にあたって .......................... 163 遠藤伸裕 招待論文 ======== ■ クォーターミクロン世代に向けての多層配線技術の課題と展望 ........ 165 柴田英毅 ■ 低抵抗・低ε材料による平たん化多層配線の課題 .................... 177 本間喜夫　楠川喜久雄　古澤健志　宮崎博史　小林伸好 ■ Using Tungsten Chemical Mechanical Polishing to Integrate a Local Interconnect into ULSI Microprocessor Technology ................ 188 Matthew RUTTEN 論　　文 ======== 〔層間絶縁膜〕 ■ リフロー性有機塗布ガラスによる平たん化技術 ...................... 193 古澤健志　本間喜夫　島村泰夫　森嶋浩之　山本靖浩　佐藤任廷 ■ 多層配線構造に対するSOGプロセスの改良 ........................... 200 大橋直史　根津広樹　大和田伸郎　平澤茂樹 ■ ヘリコンプラズマバイアスCVDにおける層間絶縁膜の埋設特性評価 ..... 207 田村好宏　井上陽一　佐藤　誠　義高　光　酒井純朗 ■ WF6/Si2H6によるWSixブランケットCVDのモデリングとシミュレーション 213 江頭靖幸　会田弘文　齊藤丈靖　霜垣幸浩　小宮山宏　菅原活郎 〔メタルCVD〕 ■ WSix-CVDプロセスの反応機構――WF6/SiH4，WF6/Si2H6反応系の比較―― 221 齊藤丈靖　霜垣幸浩　江頭靖幸　小宮山宏　菅原活郎　高広克己　永田 晋二　山口貞衛 ■ 新核形成法によるバリヤ層のないCVD-A1埋込配線形成 ................ 230 新澤　勉　菅井和己　小林明子　林　喜宏　中島　努 　岸田俊二　岡 林秀和　八子忠明　恒成欣嗣　村尾幸信 ■ CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性――堆積膜表面からの反射光強度の モニタ―― ...................................................... 237 小林明子　菅井和己　関口　敦　岸田俊二　岡林秀和　八子忠明　新澤 　勉　岡田　修　細川直吉　門倉秀公 〔コンタクト・サリサイド技術〕 ■ コンタクト底部のSi表面状態によるコンタクト抵抗の劣化 ............ 244 関根　誠　角原由美　吉川公麿 ■ TiN.4合金ターゲットにより形成したスパッタTiN膜の評価とそのコンタクト への適用 ........................................................ 251 中村浩樹　伏見公久 ■ コリメーションスパッタ法によるTiN/Ti密着層の形成 ................ 259 大崎明彦　藤沢雅彦　小谷秀夫 ■ Cu拡散防止用アモルファスTi-Si-N薄膜の検討 ....................... 266 飯島　匡　下岡義明　須藤恭一 ■ Alリフローによるコンタクト埋込特性に与えるコンタクト形状およびリフ ロー下地膜の影響 ................................................ 273 伊藤信和　霍　大成　山田義明　菊田邦子　吉川公麿 ■ ビアホールマスクレス多層配線形成技術（マスクレスピラープロセス) . 281 上田哲也　矢野航作 ■ .1μmCMOS用サリサイドプロセスの最適化 ........................... 288 後藤賢一　伏田篤郎　山崎辰也 〔配線金属・信頼性〕 ■ アルミニウム配線中のボイドのエレクトロマイグレーション挙動の分子動力 学シミュレーション .............................................. 294 新宮原正三　宇都宮勇夫　藤井泰三 ■ Al-Si-Cu配線膜の（111）面からの傾きとこれに影響を与えるCu高濃度層 305 原　　徹　木野幸浩　奥田智久　品田清隆 ■ スパッタCuリフロー法による溝埋込み配線形成 ...................... 311 阿部一英　原田裕介　橋本圭市　●田　博 ■ 銅のセルフスパッタとその埋込み特性 .............................. 319 麻蒔立男　三浦　勉 ◎ 英文論文誌紹介(IEICE Transactions on Electronics) ............... 328 ◎ 複写をされる方に ................................................ 329