論　　文
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［電子回路]
 
■ CMOS　インバータを用いたカオス発生回路と内部状態の観察 .......... 531
        高窪かをり　高窪　統　庄野克房

■ スイッチトキャパシタ形AC-ACコンバータを用いたエレクトロルミネセンス用
   電源 ............................................................ 538
        大田一郎　原田一孝　井上高宏　上野文男

［材　料]
 
■ 鉄過剰バリウムフェライト膜の垂直磁気異方性に対する基板温度と成膜後熱
   処理の影響 ...................................................... 547
        平信之　東條　聡　越川衛一　藤田　実

［半導体材料・デバイス]
 
■ ホトレジストの感光パラメータ (A, B, C) 測定装置の開発 ........... 555
        関口　淳　南　洋一　松澤敏晴　武澤　亨　宮川久行

■ 低圧CVD-Si３N４　薄膜内の電荷捕獲中心の検討 ..................... 564
        南　眞一　神垣良昭

［集積エレクトロニクス]
 
■ 連想メモリを用いたLempel-Ziv型高速データ圧縮回路 ................ 573
        佐藤　証　新島秀人

［電子管，真空・ビーム技術]
 
■ 衛星搭載用進行波管の高信頼化とその実証 .......................... 580
        三田長久

■ 含浸形陰極の劣化機構解析法 ...................................... 585
        三田長久　下川清志

［超伝導エレクトロニクス]
 
■ YBCO　薄膜ジョセフソン素子によるミリ波周波数混合 ................ 591
        野末宝志　安岡義純　陳　　健　山下　努


レター
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■ 金拡散シリコンMOSFET ............................................ 598
        崔　一■　梶　平和　渡辺一仁　岡田　工　佐藤洋一

◎ 英文論文誌紹介　（IEICE Transactions on Electronics） ........... 601
◎ 平成6年総目次 ................................................... 603
◎ 複写をされる方に ................................................ 609