| No | 98101 |
|---|---|
| 標題（和） | 0.35μm CMOSを用いた50Mbpsバ-スト対応光受信ICの開発 |
| 標題（英） | Development of newly devised, 50Mpbs burst mode optical receiverIC using 0.35μm CMOS |
| 研究会名（和） | 通信方式; 光通信システム |
| 研究会名（英） | Communication Systems ; Optical Communication Systems |
| 開催年月日 | 1998-06-25 |
| 終了年月日 | 1998-06-26 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CS98-54 // OCS98-26 |
| 抄録（和） | 近年、PDS方式の光加入者システムの実用化に向けた取り組みが各所にて盛んになされている。このシステムでは、バ-スト信号を扱え、低雑音で広ダイナミックレンジを実現する低コストな光受信器が求められている。我々はこれらを実現するため、無調整で実現でき、プリアンプ、AGCアンプとコンパレ-タをワンチップに集積し、汎用プラスチックパッケ-ジへ封入して十分な低雑音を実現し、広温度範囲で安定動作する光受信ICを0.35μmCMOSプロセスを用いて実現することを検討し、試作を行った。評価結果では、-20℃〜85℃の範囲で最小受光レベルが-43dBm〜-41dBmであり、送受信用光モジュ-ルと組み合わせての最小受光レベルのばらつき評価結果でもばらつきが十分抑えられていることがわかった。 |
| 抄録（英） | Recently PDS optical access network is widely developed because low cost can be achieved sharing an SLT with ONUs. We have developed a 50Mbps burst mode optical receiver IC using 0.35um CMOS process. Our target is (1) it can be used without adjustment, (2) it contains a pre-amplifier, and AGC amplifier, and a comparator, (3) low noise characteristics can be achieved in a plastic package, (4) stable operation under wide temperature range. The result of the evaluation shows the minimum optical received power of -43dBm〜-41dBm under -20℃〜85℃. And the variation of the minimum optical received power is satisfactorily suppressed. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.98 No.147,148 |
| ページ開始 | 37 |
| ページ終了 | 42 |
| キーワード（和） | AGCアンプ |
| キーワード（英） | AGC amplifier |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 内海邦昭 |
| 著者（ヨミ） | ウツミクニアキ |
| 著者（英） | Utsumi Kuniaki |
| 所属機関（和） | 松下通信工業大阪開発センタ- |
| 所属機関（英） | Matsushita Communication Industrial Co., Ltd. Osaka development center |
| 著者（和） | 宇野均 |
| 著者（ヨミ） | ウノヒトシ |
| 著者（英） | Uno Hitoshi |
| 所属機関（和） | 松下通信工業ネットワ-クシステム開発センタ- |
| 所属機関（英） | Matsushita Communication Industrial Co., Ltd. Network system development center |
| 著者（和） | 木村博 |
| 著者（ヨミ） | キムラヒロシ |
| 著者（英） | Kimura Hiroshi |
| 所属機関（和） | 松下電器産業半導体先行開発センタ- |
| 所属機関（英） | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Advanced LSI technology Development center |
| 著者（和） | 浅野弘明 |
| 著者（ヨミ） | アサノヒロアギ |
| 著者（英） | Asano Hiroaki |
| 所属機関（和） | 松下通信工業大阪開発センタ- |
| 所属機関（英） | Matsushita Communication Industrial Co., Ltd. Osaka development center |