| No | 55117 |
|---|---|
| 標題（和） | 10Gb/s光伝送用送信モジュ-ル-電界吸収型変調器付きDFBレ-ザ・GaAsドライバIC内蔵- |
| 標題（英） | An optical transmitter module for 10Gb/s optical transmission systems -With an electroabsorption modulator monolithically integrated with DFB laser and GaAs driver IC- |
| 研究会名（和） | 通信方式; 光通信システム |
| 研究会名（英） | Communication Systems; Optical Communication Systems |
| 開催年月日 | 1994-05-26 |
| 終了年月日 | 1994-05-27 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CS94-23 // OCS94-13 |
| 抄録（和） | 10Gb, s光伝送用に電界吸収型変調器付きDFBレ-ザとGaAsドライバICを内蔵した光送信モジュ-ルの試作を行った。GaAsドライバICは、利得が15dBで、-3dB帯域は9.5GHzであった。DFBレ-ザの発振波長は1.554μmで、サイドモ-ド抑圧比は40dB以上であった。光送信モジュ-ルは、0.6Vppの入力振幅で12dBの消光比が得られた。-3dB帯域は9.0GHzで、入力のリタ-ンロスは20GHzまで11dB以上であった。この送信モジュ-ルを用いて10Gb/s伝送実験を行い、Back to Back、DSF80kmにおいて最小受光電力-30.7dBmが得られ、パワ-ペナルティは生じなかった。 |
| 抄録（英） | For IOGb, s optical transmission systems,we have developed an optical transmitter module with an,eectroabsorption modulator monolithically integrated with DFB laser and a GaAs driver IC.For the GaAs driver IC,a 15dB gain and a small signal -3dB bandwidth of 9.5GHz was obtained.For the DFB laser,a lasing wavelength of 1.554,μm and a side-mode suppression more than 4OdB was obtained.The optical transmitter module showed an extinction ratio of 12dB at an input voltage amplitude of 0.6Vpp,a small signal -3dB bandwidth of 9.1 GHz and an input return loss more thaxi 11 dB up to 20GHz.A 10Gb/s transmission experiment using this module was performed.A received optical power of -30.7dBm was obtained in back to back and DSF80km with no power penalty. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.94 No.68〜71 |
| ページ開始 | 87 |
| ページ終了 | 92 |
| キーワード（和） | 光通信 |
| キーワード（英） | optocal communication |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 牛窪孝 |
| 著者（ヨミ） | ウシクボタカシ |
| 著者（英） | Ushikubo Takashi |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 尾関幸宏 |
| 著者（ヨミ） | オゼキユキヒロ |
| 著者（英） | Ozeki Yukihiro |
| 所属機関（和） | 沖電気工業第二基幹NW事業部 |
| 所属機関（英） | Lightwave Transmission System Department,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 坂井俊二 |
| 著者（ヨミ） | サカイシュンジ |
| 著者（英） | Sakai |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 村井仁 |
| 著者（ヨミ） | ムライヒトシ |
| 著者（英） | Murai Hitoshi |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 山田光志 |
| 著者（ヨミ） | ヤマダコウジ |
| 著者（英） | Yamada Kouji |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 四方誠 |
| 著者（ヨミ） | シカタマコト |
| 著者（英） | Shikata Makoto |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 峯尾尚之 |
| 著者（ヨミ） | ミネオナオユキ |
| 著者（英） | Mineo Naoyuki |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |
| 著者（和） | 西野章 |
| 著者（ヨミ） | ニシノアキラ |
| 著者（英） | Nishino Akira |
| 所属機関（和） | 沖電気工業半導体技術研究所 |
| 所属機関（英） | Semiconductor Technology Laboratories,Oki Electric Industry |