No |
28515 |
標題(和) |
半導体レ-ザのAM-FM位相差とFM偏移幅の干渉測定 |
標題(英) |
Interferometric measurement of AM-FM phase difference and FM frequencydeviation in directly modulated semiconductor lasers |
研究会名(和) |
通信方式; 光通信システム |
研究会名(英) |
Communication Systems; Optical Communication Systems |
開催年月日 |
1988-09-26 |
終了年月日 |
1988-09-27 |
会議種別コード |
2 |
共催団体名(和) |
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資料番号 |
CS88-45 // OCS88-22 |
抄録(和) |
半導体レ-ザの直接変調時のFM特性をマイケルソン干渉計を用いて干渉縞の可視度を測ることにより調べた。また直接変調時の強度変調の効果とAM-FM位相差を考慮してFM偏移幅を評価した。2種類のAlGaAsレ-ザダイオ-ド(0.83μm)について測定した結果、変調効率(=周波数偏移幅, 電流振幅)は、10Hz-100KHzの範囲で徐々に低下して、100KHzを超えると急激に低下し始め1MHz-10MHzの周波数範囲で極小になることがわかった。また位相差は10Hz-10MHzにおいて180°-150°の範囲に収まる(out-of-phase)ことが明らかになった。 |
抄録(英) |
A laser diode under direct modulation exhibits FM superposed AM and a phase difference between frequency modulation and modulation current depends strongly on stripe structures of semiconductor laser.In this paper,a simple and accurate method for measuring direct frequency modulation characteristics of magnitude and phase in AlGaAs semiconductor lasers has been developed and examined for wide range of modulation frequencies,from 10 Hz to 10 MHz.The applicability of this method has been discussed in conjunction with the conventional method in which a pure FM-modulated field is taken into account in the formalism.However,it should be noted the magnitude of the frequency modulation is determined accurately only when phase difference between the frequency modulation and the modulation current is known a priori. |
収録資料名(和) |
電子情報通信学会技術研究報告 |
収録資料の巻号 |
Vol.88 No.202,203; Vol.88 No.204,205 |
ページ開始 |
9 |
ページ終了 |
14 |
キーワード(和) |
AM-FM位相差 |
キーワード(英) |
AM-FM phase difference |
本文の言語 |
JPN |
著者(和) |
川北浩二 |
著者(ヨミ) |
カワキタコウジ |
著者(英) |
Kawakita Koji |
所属機関(和) |
アンリツ |
所属機関(英) |
Anritsu |
著者(和) |
大塚喜弘 |
著者(ヨミ) |
オオツカヨシヒロ |
著者(英) |
Ohtsuka Yoshihiro |
所属機関(和) |
北海道大学工学部 |
所属機関(英) |
Faculty of Engineering,Hokkaido University |
著者(和) |
今井正明 |
著者(ヨミ) |
イマイマサアキ |
著者(英) |
Imai Masaaki |
所属機関(和) |
北海道大学工学部 |
所属機関(英) |
Faculty of Engineering,Hokkaido University |