| No | 260165 |
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| 標題（和） | 携帯電話用ヘテロ接合バイポーラトランジスタ適用電力増幅器の非線形解析 |
| 標題（英） | Analysis of Non-linearity on Heterojunction Bipolar Transistor Power Amplifiers for Mobile Phone |
| 研究会名（和） | 回路とシステム, 通信方式 |
| 研究会名（英） | Circuits and Systems, Communication Systems |
| 開催年月日 | 2019-03-08 |
| 終了年月日 | 2019-03-09 |
| 会議種別コード | 5 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CAS2018-154, CS2018-122 |
| 抄録（和） | 5G(第5世代)携帯電話では変調帯域が100 ~ 400MHzと広帯域化されるとともに，DC (Dual Connectivity)， MIMO (Multiple-Input and Multiple-Output) のようにハードウェアの規模が増大し，且つ動作が複雑になる構成も適用される．このため4G(第4世代)携帯電話で適用されてきた，ET(Envelope Tracking)やDPD (Digital Pre-Distortion)のみに全面的に頼るのではなく，電力増幅器自身の線形性改善が重要な課題となると予想される．本報告では線形増幅器の非線形性の指標であるAM(Amplitude Modulation)-AM/PM (Phase Modulation)特性に着目し，HBT(へテロ接合バイポーラトランジスタ)を適用した単段増幅器のAM-AM/PM特性の出力電力依存性のメカニズムについて論ずる． |
| 抄録（英） | In 5G (5th Generation) mobile phone, maximum modulation bandwidth is enlarged from100 to 400 MHz. In addition, complicated systems such as DC (Dual Connectivity) and MIMO (Multiple-Input and Multiple-Output) will be applied. With this wide bandwidth and complicated parallel operating systems, the ET (Envelope Tracking) systems and the DPD (Digital Pre-Distortion) systems may not be always the optimum solutions. The PA (Power Amplifier) for a 5G mobile phone should achieve good linearity with standalone operation. In this paper, AM (Amplitude Modulation)-AM/PM (Phase Modulation) characteristics of a single-stage PA of HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) is analyzed. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.118, No.488,489 |
| ページ開始 | 87 |
| ページ終了 | 92 |
| キーワード（和） | 携帯電話,電力増幅器,ヘテロ接合バイポーラトランジスタ,非線形,LTE,5G |
| キーワード（英） | Mobile phone,Power amplifier,Heterojunction bipolar transistor,Non-linear,LTE,5G |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 田中聡 |
| 著者（ヨミ） | タナカ サトシ |
| 著者（英） | Satoshi Tanaka |
| 所属機関（和） | 株式会社 村田製作所 |
| 所属機関（英） | Murata Manufacturing Co., Ltd. |