| No | 180314 |
|---|---|
| 標題（和） | ［ポスター講演］SiC-SBDのパッケージ内部における熱伝導に関する一検討 |
| 標題（英） | [Poster Presentation] A Study on Thermal Conduction and Distribution in Package for SiC-SBD |
| 研究会名（和） | 信号処理, 回路とシステム, 通信方式 |
| 研究会名（英） | Signal Processing, Circuits and Systems, Communication Systems |
| 開催年月日 | 2007-03-05 |
| 終了年月日 | 2007-03-06 |
| 会議種別コード | 5 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CAS2006-98, SIP2006-199, CS2006-115 |
| 抄録（和） | 半導体素子の電気的特性は温度によって変化する．特に，パワーデバイスでは動作条件により導通損失，スイッチング損失による発熱が大きく変化するため，電気的特性の変化を考慮した回路設計が必要となる．著者らが対象としているワイドバンドギャップ半導体であるSiC素子は，従来のSi素子よりも高い温度で動作させることが可能であり，それにより熱的な影響を考慮することの重要性が増してくる．本報告では，SiC-SBDのパッケージ内部での電力損失による熱伝導を回路シミュレータにより解析し，得られた結果について実験結果との比較，および検討を行っている． |
| 抄録（英） | Electrical characeristics of semiconductor devices vary with temperature. Thermal influence becomes more important for SiC devices, because it is expected to operate under wide temperature range. Heat generation by conduction loss and switching loss in power devices changes due to operating conditions. Therefore, it is inevitable to take the temperature dependency of characteristics of devices into account for the design of power conversion circuit. This paper models and analyzes heat conduction in SiC-SBD package with respect to current flow in electrical circuit. On the model we discuss the tenperature distribution with comparison to experimental results. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.106, No.568,570,572 |
| ページ開始 | 29 |
| ページ終了 | 34 |
| キーワード（和） | SiC-SBD,熱伝導,熱回路,回路シミュレータ |
| キーワード（英） | SiC-SBD,heat conduction,thermal circuit,circuit simulator |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 舟木剛 |
| 著者（ヨミ） | フナキ ツヨシ |
| 著者（英） | Tsuyoshi Funaki |
| 所属機関（和） | 京都大学 |
| 所属機関（英） | Kyoto University |
| 著者（和） | 西尾彬 |
| 著者（ヨミ） | ニシオ アキラ |
| 著者（英） | Akira Nishio |
| 所属機関（和） | 京都大学 |
| 所属機関（英） | Kyoto University |
| 著者（和） | 引原隆士 |
| 著者（ヨミ） | ヒキハラ タカシ |
| 著者（英） | Takashi Hikihara |
| 所属機関（和） | 京都大学 |
| 所属機関（英） | Kyoto University |