| No | 172969 |
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| 標題（和） | 移動度の低下により劣化したMOSトランスコンダクタの線形性を改善するための一手法 |
| 標題（英） | A Technique to improve linearity deterioreted by mobility degradation for an MOS transconductor |
| 研究会名（和） | 回路とシステム, 信号処理, 通信方式 |
| 研究会名（英） | Circuits and Systems, Signal Processing, Communication Systems |
| 開催年月日 | 2006-03-06 |
| 終了年月日 | 2006-03-07 |
| 会議種別コード | 5 |
| 共催団体名（和） | |
| 資料番号 | CAS2005-128, SIP2005-174, CS2005-121 |
| 抄録（和） | 従来のMOSトランスコンダクタは、単純な2乗則による解析から線形特性を有するとみなされてきたが、現実の回路の線形性は悪い。その最も重要な要因のひとつがゲートの垂直電界による移動度の低下である。本稿では、移動度の低下によって線形性の悪化したトランスコンダクタの線形性改善手法を提案する。移動度の低下を考慮すると数式が極めて複雑になり、伝達特性の解析解が得られない。そこで、近似を用いた線形化パラメータ導出法とその有効性について述べる。 |
| 抄録（英） | Using a square-law function, a conventional MOS transconductor has been regarded as a linear circuit. In practice, however, the characteristic is not linear because of mobility degradation from an effect of vertical field. This paper presents a technique to improve the linearity of the transconductor. Considering the mobility degradation, the output current and the transconductance can not be expressed as simple equations. Thus, it has been difficult to find analytic solution for the linearization. In this paper, a derivation method emplying approximation is presented. |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.105, No.634,636,638 |
| ページ開始 | 61 |
| ページ終了 | 66 |
| キーワード（和） | アナログ集積回路,線形回路,トランスコンダクタ,MOSトランジスタ |
| キーワード（英） | analog integrated circuits,linear circuits,transconductor,MOS transistors |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | 北島皓興 |
| 著者（ヨミ） | キタジマ テルオキ |
| 著者（英） | Teruoki Kitajima |
| 所属機関（和） | 防衛大学校 |
| 所属機関（英） | National Defense Academy |
| 著者（和） | 谷地舘 陽 |
| 著者（ヨミ） | ヤチダテ アキラ |
| 著者（英） | Akira Yachidate |
| 所属機関（和） | 防衛大学校 |
| 所属機関（英） | National Defense Academy |
| 著者（和） | 松元藤彦 |
| 著者（ヨミ） | マツモト フジヒコ |
| 著者（英） | Fujihiko Matsumoto |
| 所属機関（和） | 防衛大学校 |
| 所属機関（英） | National Defense Academy |
| 著者（和） | 野口泰明 |
| 著者（ヨミ） | ノグチ ヤスアキ |
| 著者（英） | Yasuaki Noguchi |
| 所属機関（和） | 防衛大学校 |
| 所属機関（英） | National Defense Academy |