| No | 140839 |
|---|---|
| 標題（和） | Yパラメタを用いたMOSFET高周波特性記述の検討 |
| 標題（英） | |
| 研究会名（和） | VLSI設計技術 |
| 研究会名（英） | VLSI Design Technologies |
| 開催年月日 | 2002-10-01 |
| 終了年月日 | 2002-10-01 |
| 会議種別コード | 2 |
| 共催団体名（和） | シリコン材料・デバイス研究会，応用物理学会；シリコンテクノロジー分科会，モデリング研究会 |
| 資料番号 | VLD2002‐75 |
| 抄録（和） | |
| 抄録（英） | |
| 収録資料名（和） | 電子情報通信学会技術研究報告 |
| 収録資料の巻号 | Vol.102No.345 |
| ページ開始 | 13 |
| ページ終了 | 17 |
| キーワード（和） | |
| キーワード（英） | |
| 本文の言語 | JPN |
| 著者（和） | マタウシュ ハンス・ユルゲン |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 三浦道子 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 中山範明 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 森川慶一 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 河野博昭 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 神保聡 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） | |
| 著者（和） | 上野弘明 |
| 著者（ヨミ） | |
| 著者（英） | |
| 所属機関（和） | 広島大 |
| 所属機関（英） |