第9回研究会

　主催：シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会
　委員長：和田 一実　(東大)
　副委員長：大橋　啓之　(NEC)

　日時：2008年7月18日(金)13:00 〜 19日(土) 12:30頃
　場所東北大学　金属材料研究所(東北大学 片平キャンパス)　講堂
　協賛：光エレクトロニクス研究専門委員会(ＯＰＥ）
　　　　　フォトニクスネットワーク研究専門委員会(PN)
　　　　　集積光デバイス技術時限研究専門委員会（IPD)

テーマ：

シリコンフォトニクスの最新動向と新展開にむけたブレークスルー技術

国内外におけるシリコンフォトニクスの現状と展望、そして今後の新たな展開にむけたブレークスルー技術などの興味深いテーマについて、第一線で活躍する先生方に講演をお願いいたしました。

・詳細プログラム（PDF）

講演者：

　　・大橋　啓之　（NEC/MIRAI-Selete）　　　　　　　　海外のシリコンフォトニクスプロジェクト　
　　・宇高　勝之　（早大）　　　　　　　　　　　　　　　　　通信用デバイスにおけるシリコンフォトニクス　　　　　　　　
　　・横山　新　（広島大）　　　　　　　　　　　　　　　　　LSI配線技術とシリコンフォトニクス　　　　　　　　　　　　　　
　　・石川　靖彦　（東大）　　　　　　　　　　　　　　　　　シリコン上ゲルマニウム受光素子 - 現状と将来 -　　　　　
　　・若原　昭浩　（豊橋科技大）　　　　　　　　　　　　　Si/III-V/Si異種接合構造によるモノリシック光電子集積　
　　・水本 哲弥　（東工大）　　　　　　　　　　　　　　　　シリコン導波路型光非相反デバイス　　　　　　　　　　　　　
　　・羽根一博　（東北大）　　　　　　　　　　　　　　　　　極微小光ＭＥＭＳによるシリコンフォトニクス　　　　　　　　　
　　・戒能　俊邦　（東北大）　　　　　　　　　　　　　　　　ポリマー光導波路の現状と展望　　　　　　　　　　　　　　　　
　　・川上 彰二郎　（フォトニックラティス）　　　　　　　　あるナノフォトニクスVBの技術と経験　　　　　　
　　・森田　博文　（NTT-ATナノファブリケーション）　　シリコン導波路加工の商用サービス技術　　　　　　　　　　
　　・昌原　明植　（産総研）　　　　　　　　　　　　　　　　グリーンITイニシアティブ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　(敬称略）

最新情報は、随時、ご覧のWEBページに掲載されますので、御注意頂けると幸いです。

参加申し込み

事前に下記幹事(e-mail：siph-kanji2@mail.ieice.org）まで御連絡頂くと準備の都合上助かります。当日も会場にて受付いたします。
また18日講演終了後、懇親会を企画しております。こちらも御参加下さい。

参加費： 一般　3000円　　学生　無料　

懇親会: 1000円

問合せ

下記幹事まで御連絡ください。

幹事

e-mail： ：siph-kanji2@mail.ieice.org
山田　浩治（ＮＴＴ）
川西　悟基 (ＮＴＴ)
一色　秀夫（電気通信大学）