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平成１５年１０月　シリコン材料・デバイス研究会プログラム
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専門委員長　徳光 永輔　　　　副委員長　渡辺 重佳
幹事　平谷正彦・浅野種正　　幹事補佐　西岡　泰城


●日時　10月20日（月）　13:15 〜 17:45，　　10月21日（火）　10:00 〜 16:15

●会場：東北大学未来科学技術共同研究センター
未来情報産業研究館5階大会議室（仙台市青葉区荒巻字青葉10）
連絡先：022-217-3977（小谷光司）
※詳細は　http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm　をご覧ください。

●テーマ：「プロセスクリーン化と新プロセス技術」

-プログラム-

平成15年10月20日午後
１．【招待講演】多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション
○木村睦（龍谷大）

２．ラジカル酸化によるpoly-Si TFTの高性能化に関する研究
○石井克治，今泉文伸，林朋彦，寺本章伸，平山昌樹，須川成利，大見忠弘（東北大学）

３．RLSAを用いたラジカル酸化プロセスによる絶縁膜形成
○北川淳一，古井真悟，小林岳志，尾崎成則（東京エレクトロン）

４．RLSAを用いた酸窒化プロセスによる極薄膜ゲート絶縁膜形成
○佐藤吉宏，松山征嗣，中西敏雄，尾崎成則（東京エレクトロン）

５．シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
○塩路昌利（武蔵工大），東和文，中田行彦（液晶先端技術開発センター），高橋健介，ムスタファ・ビン・セマン，白石貴義，吉田徹史，野平博司（武蔵工大），高田恭孝（理研），小林啓介（高輝度光科学研究センター），辛埴（理研），服部健雄（武蔵工大）

６．酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定
○河瀬和雅（三菱電機），井上真雄（ルネサステクノロジ），上原康（三菱電機），梅田浩司（ルネサステクノロジ），黒川博志（三菱電機）

７．N2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製
○井上真雄，土本淳一，大野吉和（ルネサステクノロジ）

８．NH*ラジカルを用いたシリコンの直接窒化技術による高信頼ゲート絶縁膜形成
○小村政則，樋口正顕，程イ涛，大嶋一郎，寺本章伸，平山昌樹，須川成利，大見忠弘（東北大学）

平成15年10月21日午前
１．シリコン表面の高速化量子分子動力学法による大規模電子状態計算
○佐々木由美子，内田晶子，千葉景子，遠藤梨紗，菅原健太郎，千田朝子，松浦純，伊賀英樹，磯田直征，篠田克己，横須賀俊之，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），宮本明（東北大）

２．シリコン表面の水素終端処理プロセスに関する計算化学的検討
○伊賀英樹，千葉景子，内田晶子，佐々木由美子，遠藤梨紗，菅原健太郎，千田朝子，松浦純，磯田直征，篠田克己，横須賀俊之，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），二井啓一，寺本章伸，大見忠弘，宮本明（東北大）

３．次世代ウェーハプロセスにおけるケミカルコンタミネーションの影響と制御技術
○伊藤彰子，玉置真希子，嶋崎綾子，灘原壮一（東芝）

４．高アスペクト比微細構造におけるウェット洗浄の限界とパターン破壊フリー洗浄技術
○嵯峨幸一郎，国安仁，服部毅（ソニー）

平成15年10月21日午後
５．シリコン(110)面の平坦化
○赤堀浩史，二井啓一，平山昌樹，寺本章伸，大見忠弘（東北大）

６．界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
○濱田龍文，赤堀浩史，二井啓一，諏訪智之，平山昌樹，寺本章伸，大見忠弘（東北大）

７．(110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性
○中村英達，江崎達也，岩本敏幸，東郷光洋，池澤健夫，五十嵐信行，羽根正巳，山本豊二（NEC）

８．電場下でのダイナミックス計算を可能とする高速化量子分子動力学法の開発と応用
○久保百司，磯田直征，篠田克己，黒川仁，遠藤明（東北大），今村詮（広島国際学院大），宮本明（東北大）

９．シリコン表面への低エネルギーボロン注入プロセスに関する計算化学的検討
○篠田克己，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），薮原秀彦，加納正明（東芝），宮本明（東北大）

10．ドーパント導入によるPDP用MgO保護膜の安定性の効果に関する計算化学的検討
○遠藤梨紗，内田晶子，佐々木由美子，千葉景子，菅原健太郎，千田朝子，松浦純，磯田直征，篠田克己，遠藤明，久保百司，宮本明（東北大）

◎20日18:00より，懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。