光エレクトロニクス研究会（OPE）１２月研究会

レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）との共催研究会です。

★レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）

専門委員長　吉國裕三　副委員長　荒井滋久

幹事　狩野文良・向原智一

★光エレクトロニクス研究会（OPE）

専門委員長　國分泰雄　副委員長　和田朗

幹事　日比野善典・浜本貴一

日時　12月18日（木） 9:30〜18：00

　　　12月19日（金） 9:30〜19：00

　　　12月20日（土） 9:30〜17：30

会場　神戸ベイシェラトン　ホテル＆タワーズ
　（神戸市東灘区向洋町中2丁目13番地，JR神戸線「住吉駅」、または阪神電鉄「魚崎駅」より六甲ライナーで約8分「アイランドセンター駅」下車，改札口左側徒歩約1分）

　　http://www.sheraton-kobe.co.jp/page/top.html

　　Tel:078-857-7000/Fax: 078-857-7001

議題　−半導体レーザ及び光パッシブコンポネント，及び一般−

Pre-Conference of IEEE International Semiconductor Laser Conference 2004

IEICE LQE/OPE Technical Meeting

December 18-20, 2003

December 18, Thursday

21 Contributed papers on passive optical components and semiconductor lasers

9:30- 9:50 ○土屋剛雅，西田　毅，大田建久（同志社大）

外部共振器内に偏光素子を挿入した633nm He-Neレーザの特異な偏光特性

9:50-10:10 〇田中宏和，J. Pachamuthu，内上昌裕，喜多　隆，和田修（神戸大），中田義昭，秋山知之（富士通），江部広治，菅原　充，荒川泰彦（東大）

量子ドットの偏光制御とSOAへの応用

10:10-10:30○高橋宏昌，土屋剛雅，大田建久（同志社大）

エルビウムドープファイバリングレーザの発振スペクトル特性

10:30-10:50 ○住村和彦（同志社大），河仲準二（日本原子力研究所），大田建久（同志社大）

Yb:YLFを用いた30mJ再生増幅器の開発

11:00-11:20 ○澤村明彦，二文字俊哉，小林寛道，佐藤　孝，大河正志，丸山武男（新潟大学），吉野泰造，國森裕生，細川瑞彦，伊東 宏之，李　瑛，長野重夫（通信総合研究所），川村静児（国立天文台）

Rb吸収線の磁気光学効果を用いた半導体レーザの周波数安定化〜fsレーザ光コムを用いた安定度の評価と光フィードバックを用いた周波数安定化の検討〜

11:20-11:40 ○近藤光正，大澤康暁，瀬戸祥夫，佐藤　孝，大河正志，丸山武男（新潟大学）

磁界印加時における半導体レーザの諸特性変化とそのメカニズム

11:40-12:00 ○芳賀佑介，成田真也，前原進也，佐藤　孝，丸山武男，大河正志（新潟大学），吉野泰造，国森裕生，細川瑞彦，伊藤宏之，長野重夫，李　瑛（通信総合研究所），川村静児（国立天文台）

光フィードバック法による半導体レーザの波長安定度の改善

12:00-12:20 ○�M田芽衣，西尾謙三，裏升吾（京都工繊大）

干渉露光法を用いた0.28μm周期グレーティングの精密周期制御

13:20-13:40 ○松尾慎治，吉國裕三，瀬川　徹，大礒義孝，岡本　浩（ＮＴＴ）

ラダー型フィルターとリング共振器を用いた波長可変レーザ

13:40-14:00 ○Kyu-Sang Kim and Yong-Hee Lee（Korea Advanced Institute of Science and Technology）

Mode Characteristics of Curved Mirror Integrated Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser

14:00-14:20 ○星　望，丹野克晴，我妻新一，吉田繁礼，壱岐秀人（ソニー白石セミコンダクタ），佐原健志（ソニー），熊澤文香，長崎洋樹，内田史朗，山本　直（ソニー白石セミコンダクタ）

モノリシック高出力二波長レーザ

14:20-14:40 ○中原宏治，田中滋久，藤崎寿美子，近藤正彦，工藤　真（日立）

1.1μｍ帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作

14:40-15:00 ○羽根田健太郎，吉田真人，横山弘之，小川　洋，中沢正隆（東北大）

超高速モード同期半導体レーザの縦モード線幅とその強度雑音特性の測定

15:10-15:30 ○大野哲一郎，佐藤憲史，伊賀龍三，近藤康洋，吉野　薫，古田知史，伊藤弘（ＮＴＴ）

半導体再生モード同期レーザによる160Gbit/s信号からの80GHz光クロック信号再生

15:30-15:50 ○瀬尾浩司，西村直也，柴　啓明（古河電工）

通信用光ファイバの高出力耐久性に関する検討

15:50-16:10 ○田村幸久，依田秀彦，Luis Romeu Nunes，白石和男（宇都宮大），大田一義，吉田智武，加藤英郎（モリテックス）

インライン光デバイス用大ビーム径伝搬GIファイバ

16:10-16:30 ○畠山意知郎，三好一徳，樋野智之，清水隆徳，佐々木純一，山本圭介，栗原充（ＮＥＣ），田中英樹（ＮＥＣエンジニアリング），蔵田和彦（ＮＥＣ）

光I/O内蔵システムLSIモジュール

16:30-16:50 ○菊池順裕，柴田泰夫，岡本　浩，川口悦弘，奥　哲，近藤康洋，東盛裕一（ＮＴＴ）

半導体モノリシック集積による大規模WDMチャネルセレクタ

17:00-17:20 ○長谷川淳一，斎藤恒聡，奈良一孝（古河電工）

Semi-Flatタイプ100GHz-48ch温度無依存AWGモジュール

17:20-17:40 ○鈴木修一，國分泰雄（横浜国大）

DWDMシステムにおける波長フィルタの最適スペクトル特性の検討 -クロストークフロアの極限符号効率への影響-

17:40-18:00○加藤智行，國分泰雄（横浜国大）

マイクロリング共振器を用いたノンブロッキング波長スイッチの理論的検討

December 19, Friday

Session 19-A High speed photonics

9:30- 9:50 H. Ishikawa (FESTA)

(Invited) Ultrafast optical switching

9:50-10:10 Y. Ogawa and S. Arahira (Oki Electric)

(Invited) High-speed mode-locked laser diodes and its application

10:10-10:30 ○K. Tajima, S. Nakamura, R. Kuribayashi, Y. Hashimoto, and I. Ogura (NEC Corp.)

(Invited) All-optical signal pulse regeneration with symmetric Mach-Zehnder type all-optical switch.

10:30-10:50 ○H. Kawaguchi (Yamagata Univ.)

(Invited) Polarization bistable switching in VCSELs.

Session 19-B Photonic integration and functional devices

11:10-11:30 T. Suhara and M.Uemukai (Osaka Univ.)

(Invited) Semiconductor lasers with integrated grating elements

11:30-11:50 Y. Hasumi (NTT)

(Invited) Device technologies for photonic networks

11:50-12:10 M. Usami and K. Nishimura (KDDI R&D Labs)

(Invited) Wavelength converters with EA modulators

12:10-12:30 ○M. Sugawara, H. Ebe, N. Hatori, Y. Arakawa, T. Akiyama, and K. Otsubo (Univ. of Tokyo / Fujitsu Ltd.)

(Invited) High penalty-free output power of 20 dBm and broad gain bandwidth of 10 nm achieved by quantum-dot semiconductor optical amplifiers

13:30-13:40 Announcement of ISLC 2004

Session 19-C Visible lasers and LEDs

13:40-14:00 ○T. Mizuno, M. Takeya, S. Ikeda, T. Fujimoto, Y. Ohfuji, T. Hashizu, and M.Ikeda (Sony)

(Invited) High power and high temperature operation of blue-ultraviolet semiconductor lasers

14:00-14:20 ○S. Nagahama, T. Kozaki, T. Yanamoto, and T. Mukai (Nichia Corp.)

(Invited) Wavelength coverage expansion in AlInGaN laser diodes

14:20-14:40 ○T. Egawa and H. Ishikawa (Nagoya Tech. Inst.)

(Invited) InGaN LEDs on Si grown by MOCVD

14:40-15:00 ○K. Kishino and I. Nomura (Sofia Univ.)

(Invited) Yellow-green semicondcutor lasers fabricated by II-VI compounds on InP substrates

15:00-15:20 K. Yamamoto and K. Mizuuchi (Matsushita Electric.)

(Invited) Blue and ultraviolet SHG in periodically poled MgO:LiNbO₃

Session 19-D GaInNAs LDs and uncooled lasers

15:40-16:00 ○M. Kondow, K. Nakahara, S. Fujisaki, S. Tanaka, M. Kudo, T. Taniguchi, A. Terano, and H. Uchiyama (Hitachi Ltd.)

(Invited) GaInNAs lasers

16:00-16:20 ○T. Katsuyama, J. Hashimoto, T.Yamada, Y. Iguchi, S. Takagishi, M. Murata, K. Koyama, M. Ito, and A. Ishida (Sumitomo Electric.)

(Invited) OMVPE grown GaInNAs lasers and SOAs operating at 1.3mm region

16:20-16:40○M. Aoki, T. Tsuchiya, H. Sato, and K. Nakahara (Hitachi)

(Invited) Long-wavelength InGaAlAs/InP MQW lasers for cost-effective 10-Gbit/s applications

16:40-17:00 ○T. Aoyagi, K. Takagi, S. Shirai, and E. Omura (Mitsubishi Electric)

(Invited) Approaches to 10Gbps operation on 1.3mm uncooled DFB lasers

Session 19-E Tunable lasers and photonic integration

17:20-17:40 ○H. Oohashi (NTT)

(Invited) High speed opration of wavelength selectable DFB laser array

17:40-18:00 ○T. Mukaihara, H. Nasu, H. Kambayashi, M. Oike, S. Yoshimi, T. Kurobe,

T. Kimoto, K. Muranushi, T. Nomura, and A. Kasukawa (Furukawa Electric)

(Invited) Full C-band thermally tunable high power DFB laser module integrated with wavelength monitor

18:00-18:20 ○T. Sasaki, K. Yashiki, K. Sato, H. Hatakeyama, S. Sudo, and K. Kudo (NEC)

(Invited) Wavelength selectable light sources using microarray selective epitaxy

18:20-18:40 ○K. Morito, K. Takabayashi, K. Takada, N. Hashimoto, M. Doi, S. Tomabechi, T. Takeuchi, G. Nakagawa, H. Miyata, and T. Nakazawa (Fujitsu Labs.)

(Invited) Widely wavelength tunable laser (132 nm) using a semiconductor optical amplifier and an acousto-optic tunable filter

18:40-19:00 ○Y. Nakano, M. Takenaka, X. Song, and M. Shimizu (Univ. of Tokyo)

(Invited) Digital photonic devices based on semiconductor active waveguides

19:00-21:00 Buffet Party

December 20, Saturday

Plenary Session 20-A

Plenary Talk

9:30-10:05 K. Iga (JSPS)

"New Era of semiconductor laser - Eradiation or Eradication?-"

Invited Presentation

10:05-10:35 J. Buus (Gayton Photonics Ltd., UK)

(Invited) New branches on the tunable laser family tree

10:35-11:05 A. Larsson (Chalmers University, Sweden)

(Invited) High frequency VCSEL dynamics and microwave applications

11:05-11:35 C.E. Zah, R. Bhat, C. Caneau, M. Hu, V. X. Liu, H. K. Nguyen, and K. Song (Corning, USA)

(Invited) High power 980-nm pump lasers

11:35-12:05 C. Chang-Hasnain (UC Berkeley, USA)

(Invited) Frequency response enhancement of injection-locked VCSELs

13:10-13:20 Announcement of ISLC 2004

Session 20-B Nano Structures, Photonic Crystals and Nitride Devices

13:20-13:40 ○Y. Arakawa (Univ. of Tokyo)

(Invited) Progress in quantum dot lasers

13:40-14:00 ○S. Arai (Tokyo Tech)

(Invited) GaInAs/InP long wavelength quantum-wire lasers

14:00-14:20 ○S. Noda (Kyoto University)

(Invited) Photonic crystal lasers and related devices

14:20-14:40 ○T. Baba, A. Nakagawa, D. Sano, K. Nozaki, and S. Ishii (Yokohama National Univ.)

(Invited) Progress on microdisk lasers

14:40-15:00 ○H. Kumano and I. Suemune (Hokkaido Univ.)

(Invited) Pyramidal-shaped optical microcavities and preparation of atom-like states

15:00-15:20 ○H. Amano, M. Iwaya, T. Kamiyama, and I. Akasaki (Meijo Univ.)

(Invited) Recent progress and future prospect of nitride light emitters

15:20-15:40 ○N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki (Toshiba)

(Invited) GaN-based intersubband transitions for ultrafast optical switching

Session 20-C VCSELs and temperature insensitive lasers

16:00-16:20 ○T. Miyamoto and F. Koyama (Tokyo Tech)

(Invited) GaIn(N)As/GaAs long wavelength surface emitting lasers

16:20-16:40 ○A. Kasukawa，H. Shimizu，Y. Ikenaga，C. Setiagung，M. Ariga，M. Iwase，T. Kageyama，N. Iwai, and K. Nishikata (Furukawa Electric)

(Invited) 1300nm GaInNAs(Sb) VCSELs

16:40-17:00 N. Nishiyama, C. Caneau, S. Tsuda, M. Hu, X. S. Liu, G. Guryanov, R. Bhat, and C. E. Zah (Corning)

(Invited) Long wavelength InP-based VCSEL

17:00-17:20 ○N. Ueki, H. Nakayama, S. Omori, A. Sakamoto, A. Murakami, J. Sakurai, H. Otoma, Y. Miyamoto, M. Yamamoto, R. Ishii, N. Mukoyama, M. Yoshikawa, Y. Kuwata, and T. Nakamura (FujiXerox)

(Invited) 780-nm VCSELs for printer and 850-nm VCSELs for datacom

17:20-17:40 ○Y.K. Zhou, H.J. Lee, A. Fujiwara, A. Imada, K. Mukai, S. Hasegawa, and H. Asahi (Osaka Univ. )

(Invited) TlInGaAs lasers for temperature–insensitive wavelength operation

Closing Remarks