平成19年 3月 6日施行

1. エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞の選定分野は以下の三分野（カッコ内は対応するう研究専門委員会）とする。

   	イ．	電磁界およびマイクロ波（電磁界理論、マイクロ波）
   	ロ．	化合物半導体および光エレクトロニクス（超伝導エレクトロニクス、電子デバイス、光エレクトロニクス、レーザ・量子エレクトロニクス）
   	ハ．	シリコンおよびエレクトロニクス一般（機構デバイス、磁気記録・情報ストレージ、電子ディスプレイ、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス、集積回路、有機エレクトロニクス）

2. 時限研究専門委員会が担当するセッション、複数の研究専門委員会が共催するシンポジウム等の扱いは、エレクトロニクスソサイエティ学生奨励賞選定委員会で協議の上、都度決定するものとする。
3. 運営委員会は、各分野の選定対象者数の比が２倍を越えないよう、適宜分野の見直しを行う。研究専門委員会の改廃、新設があった場合、その他選定に不都合を生じた場合も見直しを行う。