電子デバイス研究会（ED研） 専門委員長 榎木 孝知 副委員長 和保 孝夫 幹事 中島 成・田中 毅 幹事補佐 江川 孝志 信頼性研究会（Ｒ研） 専門委員長 益田昭彦 副委員長 福田収一 幹事 陶山貢市・若井一顕 幹事補佐 井原惇行・弓削哲史 ◆日本信頼性学会関西支部，IEEE Reliability Society Japan Chapter 共催 日時 １１月１２日（金）１０：１５〜１６：４５ 会場 （社）中央電気倶楽部 （大阪駅より徒歩12分，JR北新地駅より徒歩6分） 大阪市北区堂島浜2-1-25 TEL: 06-6345-6351 http://www.chuodenki-club.or.jp/map/annai.html 参照 議題 電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価 ［午前のセッション］１０：１５〜１２：１５ （１）国際規格に基づく制御則の確率的安全性評価・管理の試み 陶山貢市（東京海洋大学） （２）液槽式熱衝撃試験の加速性に関する一考察 ○小林吉一，井原惇行（楠本化成株式会社） （３）SOI基板上の横形IGBTにおける耐圧特性の経時変化 澄田仁志（富士電機デバイステクノロジー） （４）Au配線技術に対するエレクトロマイグレーション評価 ○宮下直之，斉藤淳二，古川幸彦，岩上哲一，五味俊二（ユーディナデバイ ス） ［午後のセッション］１３：１５〜１６：４５ （５）［招待講演］窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面 の制御 ○橋詰保，小谷淳二，長谷川英機（北海道大学量子集積エレクトロニクス研究 センター） （６）Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション ○戸塚正裕，奥友希，宮國晋一，志賀俊彦，國井徹郎，加茂宣卓，中野博文 （三菱電機高周波光デバイス製作所） （７）フッ素系プラズマによる損傷とその回復に関する検討 ○紀川健，内山博幸，谷口隆文（日立中研） （８）i線露光0.18μmゲートGaAs-MESFETの信頼性 ○登坂保弘，渡邉昌崇，福士大地，矢野浩，中島成（ユーディナデバイス） （９）衝突イオン化抑制によるInP HEMTの信頼性改善 ○原直紀，岡本直哉，今西健治，高橋剛，牧山剛三（富士通研究所） （10）InP-HBT とデジタルICsの高温通電による特性変動とその相関 ○深井佳乃（NTTフォトニクス研究所），栗島賢二（NTT PH研），山幡章司 （ATR），井田実（NTT情流総研），榎木孝知（NTT PH研） ◎研究会終了後、懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。 ☆ED研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日 詳しくは、http://www.ieice.org/~ed/jpn/welcome.htmlをご覧下さい。 平成16年12月16日（木）、17日（金） 大阪大学（吹田キャンパス） 「電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術」 [10月中旬] 平成17年1月17日（月）、18日（火）、19日（水） 東京（機会振興会館） 「化合物半導体IC 及び 超高速・超高周波デバイス」 (MW研究会共催) [11月中旬] 平成17年1月27日（木）、28日（金） 北海道（北大） 「量子効果デバイス及び関連技術」 (SDM研究会共催) [11月中旬] 【発表申込・問合先】 中島 成（ユーディナデバイス） TEL: 045-853-8153、FAX: 045-853-8170 E-mail: sh.nakajima@eudyna.com 田中 毅 （松下電器産業） Tel: 075-956-9083、FAX: 075-956-9110 E-mail: tanaka.tsuyoshi@jp.panasonic.com 江川孝志（名古屋工業大学） Tel:052-735-5544、Fax:052-735-5546 E-mail: egawa.takashi@nitech.ac.jp ☆信頼性研究会今後の予定 12月17日（金） 信頼性国際規格，保全性，信頼性一般 東京 1月 休会 2月18日（金） 機構デバイスの信頼性，信頼性一般 オムロン(京都) 【発表申込・問合せ先】 陶山貢市（東京海洋大学） TEL & FAX: 03-5245-7478 E-mail: suyama@e.kaiyodai.ac.jp 若井一顕（NHK菖蒲久喜放送所） TEL: 0480-85-1118 FAX: 0480-85-1508 E-mail: wakai.k-dm@nhk.or.jp ☆信頼性研究会のホームページ http://www.ieice.org/~r/