電子情報通信学会
レーザ・量子エレクトロニクス（ＬＱＥ）研究会のご案内
LQE研究会を2004年10月21日(木)−22(金)に京都大学にて下記の通り開催致します．
皆様のご参加をお待ちしています．
日時：2004年10月21日(木) 9:30-17:15
−22日(金) 9:00-16:30
会場： 京都大学吉田キャンパス 電気系(工学部３号館)西館W301室 PDFファイルはこちら
交通：(1)京阪出町柳駅から徒歩15分
(2)京都駅から地下鉄今出川駅下車，市バス17/201/203系統百万遍下車
(3)京都駅から市バス17/206系統百万遍下車
（17系統の場合は京大農学部前下車の方が近いです）
会場世話人：藤田静雄先生（fujita@iic.kyoto-u.ac.jp）
特集 −窒化物混晶半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般−
CPM, ED研究会共催
(9/1修正版)
10月21日（木）
1. 9:30-9:50
サファイアR面オフ基板上へ作製したIII族窒化物半導体
○本塩 彰・三宅泰人・春日井秀紀・川島毅士・飯田一喜（名城大）
津田道信（京セラ）・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）
2. 9:50-10:10
様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長
○三宅泰人・本塩 彰・北野 司・春日井秀紀・川島毅士・飯田一善・岩谷素顕
上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・木下博之・塩見 弘（シクスオン）
3. 10:10-10:30
Si(111)基板上へのGaNの低温化による影響
福山高章・○渕上紘志・白石雄起・染矢晃嘉・室田将考・原田義之・淀徳男（大工大）
4. 10:30-10:50
CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作
江川慎一・本田徹・長谷川文夫・川西英雄（工学院大学大学院電気・電子工学専攻）
10:50-11:05 休憩
5. 11:05〜11:25
凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長
○石賀章・大西孝（三重大・工），劉玉懐（三重大・工・SVBL），原口雅也（九大・総合理工学府）
桑野範之（九大・産学連携セ），柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ），三宅秀人・平松和政（三重大・工）
6. 11:25-11:45
ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長
熊谷義直・纐纈明伯（東京農工大学大学院工学系）
7. 11:45-12:05
MgドープGaNの成長圧力依存性
○生方映徳・徳永裕樹・矢野良樹・阿久津仲男・山崎利明・松本功（日本酸素株式会社）
昼食 12:05-13:05
8. 13:05-13:25
分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性
○中野佑紀・須田淳・木本恒暢（京都大学電子工学専攻）
9. 13:25-13:45
高Alモル分率AlGaNへのMgドーピングとその効果
大西孝・石賀章（三重大学工学部）・劉玉懐（三重大学工学部SVBL）・柴田智彦（日本ガイシ）
三宅秀人・平松和政（三重大学工学部）・田中光浩（日本ガイシ）
10. 13:45-14:05
容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価
○西浦政人・沖野 徹・大野雄高・岸本 茂・前澤宏一・大坂次郎・水谷 孝（名古屋大学工学部）
11. 14:05-14:25
高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価
○倉井聡・作田寛明・山中良友・田口常正（山口大工学部）
12. 14:25-14:45
遷移金属及び希土類元素添加GaNの結晶成長及び諸特性
○周 逸凱・金 武成・木村重哉・崔 誠佑・江村修一・長谷川繁彦・朝日一（阪大）
休憩 14:45-15:00
13. 15:00〜15:20
ECR-MBE法を用いたサファイア基板上InN薄膜成長温度依存性
○田本清温・嶋田照也・二口博行・藤井洋平・真岡岳史・原田義之・淀徳男（大工大）
14. 15:20-15:40
その場観察分光エリプソメトリーによるRF-MBE成長InNの成長表面ストイキオメトリー制御
○吉谷昌慶・崔成伯・赤坂康一郎・橋本直樹（千葉大工），王新強（千葉大VBL），
石谷善博・吉川明彦（千葉大工）
15. 15:40-16:00
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長
山本高裕・○高山智行・香山卓史・中村俊喜・立石恵美・原田義之・淀徳男（大工大）
16. 16:00-16:20
RF-MBE法を用いたN極性GaN上へのInNドット成長の観察
○橋本直樹・菊川直博・崔成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大工）
休憩 16:20-16:35
17. 16:35〜16:55
高出力AlGaN/GaN-HEMT用の非Al系オーミック電極
○多木 俊裕・金村 雅仁・高橋 剛・吉川 俊英・常信 和清・原 直紀（富士通研究所）
18. 16:55-17:15
SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性
○川島良男・井上彰・浅井明・空田晴之・神澤好彦・川島孝啓・原義博・高木剛（松下電器産業(株)）
19. 17:15-17:35
ダイヤモンドＭＥＳＦＥＴのマイクロ波特性
Ｏ嘉数 誠・山内喜晴・M.Kubovic・A. Aleksov・E. Kohn・牧本俊樹（ＮＴＴ物性科学基礎研，ウルム大学）
10月22日（金）
20. 9:00-9:20
中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価
○坂井正宏（名工大・日本ガイシ），江川孝志・Maosheng HAO・石川博康（名工大）
21. 9:20-9:40
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善
○出口忠義・脇英司・小野悟・中川敦（新日本無線），石川博康・江川孝志（名工大）
22. 9:40-10:00
AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響
○星 真一・丸井 俊治・戸田 典彦・海部 勝晶・見田 充郎・佐野 芳明・関 昇平（沖電気）
23. 10:00-10:20
高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー
○塩島 謙次・牧村 隆司・小杉 敏彦・杉谷 末広・重川 直輝（NTTフォトニクス研究所），江川 孝志・石川 博康（名工大）
24. 10:20-10:40
4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響
○松井慎一・山本幸太郎・石川博康・江川孝志（名工大）
休憩 10:40〜10:55
25. 10:55-11:15
RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルへテロ構造の成長
大橋達男・光野徹也・石沢峻介・菊池昭彦・岸野克巳(上智大学)
26. 11:15-11:35
MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長
○高橋孝志・佐藤俊一・軸谷直人・上西盛聖・原 敬・佐藤史朗（リコー）
27. 11:35-11:55
不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性
○中原宏治・近藤正彦・藤崎寿美子・谷口隆文・田中滋久・工藤 真（日立中研）
28. 11:55-12:15
GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長
○宮本智之・松浦哲也・太田征孝・古旗達也・松井康尚・小山二三夫（東工大）
昼食 12:15〜13:15
29. 13:15-13:35
フォトニック結晶高Q共振器の設計と作製
赤羽良啓（京都大学，住友電工），浅野卓・宋奉植・野田進（京都大学）
30. 13:35-13:55
一次元フォトニック結晶の作製と応用
細見和彦・深町俊彦（東京大学，（財）光産業技術振興協会，日立），山田宏治（東京大学）
勝山俊夫（東京大学，（財）光産業技術振興協会），荒川泰彦（東京大学）
31. 13:55-14:15
低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製と解析
○倉持栄一・Stephen Hughes・新家昭彦・渡辺俊文（NTT）・Lora Rammuno（オタワ大）・納富雅也（NTT）
32. 14:15-14:35
集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作
○畑田芳隆・小谷晃央・船戸充・成川幸男・向井孝志・川上養一（京都大学）
休憩 14:35-14:50
33. 14:50-15:10
GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子
松井聰・石井洋平・Petter Holmstrom・関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳(上智大学)
34. 15:10-15:30
Moth Eye発光ダイオード
○春日井秀紀・三宅泰人・本塩 彰・川島毅士・飯田一喜・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・
赤崎 勇（名城大）・木下博之・塩見 弘（シクスオン）
35. 15:30-15:50
RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製
菊池昭彦・川井瑞恵・多田誠・岸野克巳(上智大学)
36. 15:50-16:10
Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用
青木陽太・本田徹・長谷川文夫・川西英雄（工学院大学大学院）
37. 16:10-16:30
サファイアR面上に作製した紫色LED
○飯田一喜・春日井秀紀・三島俊介・三宅泰人・本塩 彰・川島毅士（名城大）・津田道信（京セラ）
岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）