| 日時 | 2008年 8月 4日(月) 14:00 - 16:40 |
| 議題 | 電子部品・材料,一般 |
| 会場名 | 室蘭工業大学 |
| 住所 | 〒050-8585 室蘭市水元町27-1 |
| 交通案内 | JR東室蘭駅東口から徒歩7分 http://www.muroran-it.ac.jp/index-j.html |
| 会場世話人 連絡先 |
室蘭工業大学 植杉克弘 0143-46-5546 |
| 8月4日(月)
午後 14:00 - 16:40 | |||
| (1) | 14:00-14:25 | 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 | ○福田 永(室蘭工大)・古川雅一(ARIC) |
| (2) | 14:25-14:50 | スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性 | ○宮崎 慶・田口義之・斉藤裕史・宮永琢也・山上朋彦・林部林平・上村喜一(信州大) |
| (3) | 14:50-15:15 | 交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製 | ○清水英彦・平田 真・岡田智弘・岩野春男・川上貴浩(新潟大) |
| 15:15-15:25 | 休憩 ( 10分 ) | ||
| (4) | 15:25-15:50 | ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用 | ○今村哲也・馬渡康輝・福田 永・田畑昌祥(室蘭工大) |
| (5) | 15:50-16:15 | ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 | ○福田 永・植杉克弘(室蘭工大) |
| (6) | 16:15-16:40 | ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 | ○夛田芳広・山田真也・植杉克弘・福田 永(室蘭工大) |
| 講演時間 | |
| 一般講演(25) | 発表 20 分 + 質疑応答 5 分 |
| 問合先と今後の予定 | ||
| CPM | 電子部品・材料研究会(CPM) [今後の予定はこちら] | |
| 問合先 | 清水英彦(新潟大学) TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811 E- : mizu eng![]() iga -u![]() 竹村 泰司(横浜国立大学) TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151 E- : ![]() mura y![]() | |
Last modified: 2008-06-27 21:26:48