日時 2008年 8月 4日(月) 14:00 - 16:40
議題 電子部品・材料,一般 
会場名 室蘭工業大学 
住所 〒050-8585 室蘭市水元町27-1
交通案内 JR東室蘭駅東口から徒歩7分
http://www.muroran-it.ac.jp/index-j.html
会場世話人
連絡先
室蘭工業大学 植杉克弘
0143-46-5546

8月4日(月) 午後 
14:00 - 16:40
(1) 14:00-14:25 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 福田 永室蘭工大)・古川雅一ARIC
(2) 14:25-14:50 スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性 宮崎 慶田口義之斉藤裕史宮永琢也山上朋彦林部林平上村喜一信州大
(3) 14:50-15:15 交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製 清水英彦平田 真岡田智弘岩野春男川上貴浩新潟大
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
(4) 15:25-15:50 ヘテロ原子含有置換ポリアセチレンの有機トランジスタへの応用 今村哲也馬渡康輝福田 永田畑昌祥室蘭工大
(5) 15:50-16:15 ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 福田 永植杉克弘室蘭工大
(6) 16:15-16:40 ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 夛田芳広山田真也植杉克弘福田 永室蘭工大

講演時間
一般講演(25) 発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: mizuengiga-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E-: muray 


Last modified: 2008-06-27 21:26:48


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